[pantelei4 0]

косинус 0,6?! Не верю...) Ну если только индуктора длиной десятки метров и частота промышленная;)))

 

 

 

Чего правильного-то, Дмитрий Саныч! Ни хрена не правильно!! Откуда у вас косинус до 0.3 на 66кГц, если на 50Гц выше 0,4 практически не бывает!

Добротность контура меньше 2 вполне реальна с длиннім индуктором и на более вісоких частотах чем промішленная. cosФ=1/sqrt(1+Q*Q)

 

На ИНУ 44кГц видел Q меньше 3.

[vadim50hz 0]

Добротность контура меньше 2 вполне реальна с длиннім индуктором и на более вісоких частотах чем промішленная. cosФ=1/sqrt(1+Q*Q)

 

На ИНУ 44кГц видел Q меньше 3.

 

Читайте внимательнее - когда я высказал сомнения про косинус 0,3 на 66кГц, разговор был про косинус закалочных индукторов, которые чаще всего одновитковые.

 

А то, что косинус на длинных индукторах независимо от частоты стремится к 1, я писал в предыдущем посте.

 

ЗЫ Есть еще один нюанс в разговоре про косинус - значения косинуса при запуске нагрева и в конце процесса нагрева отнюдь неблизкие, особенно при нагреве ферромагнетиков за точку Кюри. И когда я говорю про какие-то значения косинуса, я имею его величину при запуске, т.е. минимальное его значение в процессе нагрева, что с точки зрения проектирования УИН с жесткой комутацией более правильно.

 

ЗЗЫ Косинус можно и проще определить cosф=R/Z=Ia/Iz

Изменено 31 июля, 2009 пользователем vadim50hz

[SAVC 0]

Можно НЕ использовать жёсткую коммутацию и НЕ использовать последовательный колебательный контур.

Квазирезонансный режим, когда выходные ёмкости транзисторов перезарежаются током индуктор + добавочный дроссель.

 

При этом в установившемся режиме включение будет происходить при нуле напряжения и тока.

Выключаться будет при нуле напряжения, но придётся рвать ток.

Который тут же подхватят снабберы и собственная выходная ёмкость ключей.

Дальше перезаряд выходных емкостей, резонансный процесс.

Задача - быстро разорвать ток. На небольшую мощность делать на полевиках.

Можно реализовать источник на 1МГц. Такая есть задумка.

На большую мощность с появлением опыта применить ESBT

IGBT в этом случае плохо подойдут.. не оптимальный вариант.

 

Ещё одно. При регулировании ШИМ не должен быть глубоким.

Чтобы ток через обратный диод не смог бы закончиться до открытия ключа.

Нужен комбинированный способ управления с пропуском импульсов.

Что может обеспечить глубину ШИМ около 30% и менее.

Здесь тоже есть тонкости, который ключ открывать в таком режиме.

Но это решаемо.

 

Можно и ЧМ заюзать, никто не мешает. Плюс пропуск импульсов.

Глубина ЧМ в этом случае тоже не будет большой.

 

Для высоких частот можно пускать импульсы пачками, что проще.

И не обращать внимание на возможное жесткое включение транзистора в начале пачки.

Но этот момент должен быть тщательно проработан.