Перейти к содержанию
    

Нужные ли резисторы на шине данных ARM7

Картинка рождена в Hyper Lynx. Все делается в Expedition PCB (Mentor)

Модель памяти бралась для M12L64322A

К сожалению есть места где поставить даже 0402 счетверенные сборки проблематично, поэтому и интересует практический опыт тех кто проделывал тоже самое....

Изменено пользователем PCBExp

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Коллеги. Сейчас делаем редизайн старого проекта на ARM7 (Samsung S34510, частота 50МГц). Устройство маленькое, места вообще нет. По совету коллег из Германии удалили из шин адреса и данных резисторы 33Ома (для экономии места). Помоделировали плату. С шиной адреса проблем нет. На шине данных, когда источник - процессор, то проблем тоже нет. Когда источник - SDRAM очень большие over и undershot-ы (см. аттач, фиолетовый - сигнал на ногах процессора). Хотелось бы понять эти выбросы помешают работе устройства или нет?

 

Господа. Огромная просьба, не пишите Ваши теоретические предположения не подкрепленные экспериментами. Интересует только практический опыт тех, кто реально делал железки и сталкивался с подобными задачами.

 

слоев на плате сколько?

на 2х слойной плате будет хорошо если вы 40МГц достигните. да и там резисторы не особо помогут.

а вот на 4х слойной уже могут быть ньюансы, у меня без резисторов на 90-133МГц работало при 133МГц

зависит от платы и типа памяти, то есть согласование шины проц-память

 

.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

К сожалению есть места где поставить даже 0402 счетверенные сборки проблематично

 

А может 0201x2 подойдут ? Размер 0.8x0.6mm. И при разводке оперировать с двойками бывает удобнее.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Слоев у нас 6. Верхний и нижний уставлен компонентами. второй - полигон земли. 3 - дифпары и другие проводники в полигоне земли. 4 -ый немного проводниов и опять полигон земли. 5-ый полигоны питаний. основной 3.3вольта в нем маленькие полигоны остальных питаний. Основная масса данных и адресов в 1 и 6 слое и благодаря расстановке VIA на этих проводниках мало. У большинства микросхем шаг 0.5 мм. То есть сборки 0402 кладутся на эти шины без всяких раздвижек-сужений. Так что если придется рвать эти сигналы то только такими. Частота всего 50 МГц так что 133 не наш случай.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Частота всего 50 МГц так что 133 не наш случай.

Разговор опять скатился к совершенно пустому слову "частота", Вы-же, должны были уже понять, что означенные проблемы определяются исключительно длительностью фронтов которые у Вашей элементной базы заточены на работу на частотах в том числе и 133MHz. Посему 133MHz это имено Ваш случай, даже если "частота всего 1 герц".

 

при питании 3.3В овершут до примерно 4В. Под линуксом пускал тест памяти memtester - проблем нет.

Поблемы, как здесь уже писал cioma, не исчерпываются прохождением или нет теста памяти :(. Страдает и надежнось для некоторых чипов (например для Циклонов-3) явно указывают численные уменьшения времени наработки на отказ, для многих - нет, но по любому не хорошо.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Еще возникла идея. Если потребление DC не критично, то можно использовать параллельное терминирование (особенно если на шине более двух устройств). Тогда просто за приемником, на конце линии ставится резистор равнфй волновому сопротивлению линии. Чтобы избежать избыточного потребления можно сделать и AC-termination (резистор + конденсатор). Раз HyperLynx есть, то проверить варианты будет несложно.

 

Ну, а если гарантию больше года давать не будете да и в космос это не запускать, то можете рискнуть - возможно, количество отказов за такой относительно небольшой период не будет критичным. И ставьте SDRAM, рассчитанную не более чем на 100 MHz :) .

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вы не в ту сторону оптимизируете- разводим шину под миниатюрные резисторные сборки (четверки обычно), но футпринт резисторов делаем с перемычкой. Берем две платы- на одной перемычки разрезаем и запаиваем резисторы, на второй- оставляем только перемычки. Делаем полный тестовый прогон (по температурам и напряжениям). Сравниваем число сбоев на двух экземплярах. Принимаем решение о выкидывании или невыкидывании резисторов из серии.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

НИГДЕ не видел, чтобы в шине данных стояли резисторы.

Жаль, сейчас нет под рукой, а я раньше не разбирался внимательно - на стартките Olimex LPC2478 есть несколько резисторов, явно добавленных в уже спроектированную плату. В тему о радиолюбительстве :biggrin:

 

Принимаем решение о выкидывании или невыкидывании резисторов из серии.

Нелогично. Если работать будет, то выкидывать резисторы никто не будет.

 

А вообще-то сейчас сам участвую в подобном радиолюбительском эксперименте. Обязательно доложу результаты.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Слоев у нас 6. Верхний и нижний уставлен компонентами. второй - полигон земли. 3 - дифпары и другие проводники в полигоне земли. 4 -ый немного проводниов и опять полигон земли. 5-ый полигоны питаний. основной 3.3вольта в нем маленькие полигоны остальных питаний. Основная масса данных и адресов в 1 и 6 слое и благодаря расстановке VIA на этих проводниках мало. У большинства микросхем шаг 0.5 мм. То есть сборки 0402 кладутся на эти шины без всяких раздвижек-сужений. Так что если придется рвать эти сигналы то только такими. Частота всего 50 МГц так что 133 не наш случай.

 

как уже сказали ранее - вам как раз при моделировании нужно добиться фронтов нужных, указанных в даташите на чип. по идее слоев земли должно быть 2 шт, 2й и 5й слои.

то что есть питание в слоях - это хорошо, еще важен их порядок.

хотя в вашем случае это может и не проявиться. Если Вы моделировали свою плату в гиперлинксе (хотя бы) с вашими чипами - и там не добились нужных фронтов - маловероятно что в реале они появятся.

Это из личного опыта.

 

.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

по идее слоев земли должно быть 2 шт, 2й и 5й слои.

а как на шестислойке слои обычно роаскладваете ?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

а как на шестислойке слои обычно роаскладваете ?

 

1 - top

2 - gnd/vccx (mix)

3 - data buses(for top) + analog buses

4 - data buses(for bottom)

5 - gnd/vccx (mix)

6 - bottom

 

слои 3-4 некрасиво выглядят. Моделирование показало что даже когда они пересекаются, то взаимное влияние незначительное, благодаря противоположным земля/питание.

В реале нужно стараться что бы дороги на них не пересекались.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Прочитал тему, решил тож проверить. LPC2478(60 МГц) + K4S561632E на двусторонней плате с ручной разводкой. Записывал по байтам в одну ячейку X а в следующую 255-X чтобы больше разнообразия было. После записи сразу проверка записанного и изменение X. Гонял пять часов и ни разу не обнаружилось никакого расхождения между записанными и считанными данными.Резисторов не ставил. Память эта по шиту на 166МГц, резкие фронты должны быть. Расстояние от проца до память 2 см плюс проц в LQFP шириной в 3см.

Может какой-то более продвинутый способ тестирования памяти надо использовать?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Кроме надежности записи есть еще проблема постепенного выгорания входов микросхем, а также проблема ЭМС. Ни первое ни второе программными тестами не отловить.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Может какой-то более продвинутый способ тестирования памяти надо использовать?

Я тоже заинтересовался темой. У меня на TMS320VC5509a стоит M48LC4M16A2-75G, работает на 96МГц. Резисторы 47Ом только в цепях ^RAS, ^CAS, ^WE, CLK. ТМСка постоянно работает с внешней памятью. Overshoot максимум 4,36В на A10/AP, которая без резистора, на адресах то же значение, длительность не более 3нс . На линиях с резисторами - максимум 3,76В.

 

Использовал ещё и память K4S641632K-UC75, на ней выбросы были в среднем на 0,1-0,15В больше.

Изменено пользователем MikePic

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Извиняюсь, поспешил и представил не совсем точные результаты :(

 

Измерил активным щупом на осцилле TDS3044B. На Micron-овской памяти выбросы в самом худшем случае были не более ~0,3В на обоих фронтах. На Samsung-овской в самом худшем случае - ~0,4В. Расстояние между краями памяти и TMSки порядка 1см, самая длинная линия - 43мм, плата - 4 слоя.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...