[orbity 0]

Уважаемые форумчане!

Есть следующий вопрос по DC (Distributed computing) в CST.

Frontend+MC+SC1: AMD x64 32GB;

SC2: Xeon 12X 96GB;

SC3: i5 16 GB

OS: Win7 Pro x64.

Все 3 SC корректно соединены и работают с MC.

Моделирование ведется в MWS, есть несколько различных по сложности моделей (от 300К cells до 30M cells).

Суть вопроса:

при запуске расчета (T и F солверы) простых моделей все замечательно параллелится и считается, а при расчете сложных (больших) моделей вычисления не параллелятся и весь расчет идет только на SC2.

Кто сталкивался с подобными проблемами? Кто что может посоветовать?

Заранее спасибо за ответ.

[UKvist 0]

Да как и в любом симуляторе.

Для рупоров общепринято "посмотреть" четыре кривые, все в Людвиг3:

При необходимости, для удобства есть смысл повернуть оси - рупор по Z. И выводить три нормированных L3_CoPol с шагом 45 и одну L3_XPol для угла 45. Причем XPol_45 нормируется по максимуму CoPol.

Д.б. как-то так:

 

Здравствуйте! А файл этого рупора можно?

 

[EVS 0]

>UKvist

И вам здравствуйте!

Файл - нельзя, профиль - на здоровье: C_Horn_A1608_10GHz_profile.rar

[UKvist 0]

>UKvist

И вам здравствуйте!

Файл - нельзя, профиль - на здоровье: C_Horn_A1608_10GHz_profile.rar

 

Спасибо! Уж очень красивые диаграммы у этого рупора. Интересно, как сохраняется осевая симметрия в диапазоне частот.

 

Профиль посмотреть не смог. Наверное разные версии программы(у меня 11-я).Но и из рисунка все понятно. Классный рупор.

Ваша модель?

Изменено 28 августа, 2013 пользователем UKvist

[UKvist 0]

Уважаемые форумчане, подскажите пожалуйста как по этой формуле построить кривую, или фэйс. P=50/cos(t)-1.

 

[Freesom 16]

Спасибо! Уж очень красивые диаграммы у этого рупора. Интересно, как сохраняется осевая симметрия в диапазоне частот.

 

Профиль посмотреть не смог. Наверное разные версии программы(у меня 11-я).Но и из рисунка все понятно. Классный рупор.

Ваша модель?

Сейчас это один из лучших дизайнов гофрированного рупора, придуманный антенной группой из Наварры. Гуглите Navarra Corrugated Horn. Есть CAD-ы, которые считают и оптимизируют его в считанные секунды, а потом получается вот такой замечательный профиль для импорта в CST. Характеристики действительно получаются что надо, особенно при использовании в качестве узкополосного фида для антенны Кассегрена.

[UKvist 0]

Сейчас это один из лучших дизайнов гофрированного рупора, придуманный антенной группой из Наварры. Гуглите Navarra Corrugated Horn. Есть CAD-ы, которые считают и оптимизируют его в считанные секунды, а потом получается вот такой замечательный профиль для импорта в CST. Характеристики действительно получаются что надо, особенно при использовании в качестве узкополосного фида для антенны Кассегрена.

Спасибо большое за информацию, посмотрю конечно.

 

[Stefan1 0]

Подскажите пожалуйста, как в данном проекте правильно расположить порт и сосредоточенный элемент: нужно присвоить конденсатору, изображенному на рисунке емкость номиналом в 100 пф. Для этого я использовал сосредоточенный элемент и расположил его на задней грани этого конденсатора (на рисунке виден только край в левой части конденсатора). А сосредоточенный порт я расположил на передней грани этого конденсатора. Второй порт находится за проволоками (его не видно).

Хочу замерить S параметры этого конденсатора.

 

Изменено 20 сентября, 2013 пользователем Stefan1

[andreysar 0]

Подскажите пожалуйста, как в данном проекте правильно расположить порт и сосредоточенный элемент..... А сосредоточенный порт я расположил на передней грани этого конденсатора. ......

Хочу замерить S параметры этого конденсатора.

А зачем порт на конденсаторе?

Порт подает и абсорбирует энергию. А в конденсаторе абсорбция только за счет потерь.

У конденсатора нет S-параметров как таковых (тем более, что он с сосредоточенными параметрами), они есть у схемы в которую он вставлен. Через конденсатор энергия ведь куда-то идет, вот и ставьте порт там.

Если конденсатор посажен на землю, то этот порт просто не нужен.

Изменено 22 сентября, 2013 пользователем andreysar

[Stefan1 0]

А зачем порт на конденсаторе?

Порт подает и абсорбирует энергию. А в конденсаторе абсорбция только за счет потерь.

У конденсатора нет S-параметров как таковых (тем более, что он с сосредоточенными параметрами), они есть у схемы в которую он вставлен. Через конденсатор энергия ведь куда-то идет, вот и ставьте порт там.

Если конденсатор посажен на землю, то этот порт просто не нужен.

 

Да, конденсатор посажен на землю. Можно поставить второй порт не на конденсаторе, а дальше - через проволоки идущие с верхней его обкладки на полоске (аналогично первому порту). Результат при этом не должен сильно измениться.

Хочу добиться, чтобы S параметры этого конденсатор сходились с реальностью, т.к. остаются вопросы с размерами рабочей области, сеткой и т.д. Затем буду усложнять расчет введением помимо него других элементов.

У меня в расчете S параметры получаются довольно не точными, например для mag S12 в зависимости от частоты, получается, как и следовало ожидать, спад по гиперболе с ростом частоты, но почему-то на него накладывается синусоида. С чем это может быть связано?

И еще: правильно ли так распологать сосредоточенный элемент (номинал самого конденсатора) - между гранью конденсатора и землей (по всей поверхности конденсатора сосредоточенный элемент здесь почему-то не получается задать)?

Изменено 23 сентября, 2013 пользователем Stefan1

[andreysar 0]

...

У меня в расчете S параметры получаются довольно не точными, например для mag S12 в зависимости от частоты, получается, как и следовало ожидать, спад по гиперболе с ростом частоты, но почему-то на него накладывается синусоида. С чем это может быть связано?

Синусоида может получаться из-за переотражений от порта, который Вы зачем-то поставили в конденсаторе, и других неоднородностей, которые есть сзади на линии (хотя бы от первого порта, волновое сопротивление которого может не совпадать с волновым сопротивлением линии). Конденсатор (как он нарисован) уже является конденсатором со своей емкостью (и индуктивностью, если его размеры с учетом эпсилон подложки как-то соотносимы с длиной волны). А с точки зрения сосредоточенного порта, который Вы к нему присоединили - это широкая но короткая полосковая линия.

К сожалению непонятен масштаб относительно длины волны и ширины основной полосковой линии.

[Stefan1 0]

Синусоида может получаться из-за переотражений от порта, который Вы зачем-то поставили в конденсаторе, и других неоднородностей, которые есть сзади на линии (хотя бы от первого порта, волновое сопротивление которого может не совпадать с волновым сопротивлением линии). Конденсатор (как он нарисован) уже является конденсатором со своей емкостью (и индуктивностью, если его размеры с учетом эпсилон подложки как-то соотносимы с длиной волны). А с точки зрения сосредоточенного порта, который Вы к нему присоединили - это широкая но короткая полосковая линия.

К сожалению непонятен масштаб относительно длины волны и ширины основной полосковой линии.

 

Сосредоточенный элемент на конденсаторе ставлю для того, чтобы задать его реальную емкость - 100 пФ (т.к. нарисовав конденсатор с его реальными размерами при толщине между его обкладками порядка 1 мкм - CST его не посчитает), а его размеры - 4х0,7 мм.

По поводу основного полоска - толщина диэлектрика - 2 мм, диэлектрическая проницаемость - 10, ширина металлизации - 1,9 мм. По расчету в TXline получается 50 Ом. Насчет длины полоска - я взял ее - 5 мм (при длине волны = 4,7 мм на 2 ГГц)?

 

Вот разварил проволки с конденсатора на другой борт, чтобы убрать порт с конденсатора:

 

Все равно при пересчете S параметров в эквивалентной схеме получаются 40, а не 100 пФ. Такая погрешность, как я понимаю, не может возникать из-за сетки и точности. Может сосредоточенный элемент так нельзя распологать или Waveguide port слишком большого размера? И на зависимость S параметров опять накладывается синусоида.

Также для подгона пробовал ввести у конденсатора диэлектрическую проницаемость - 1000, но почему-то при пересчете в эквивалентную схему результат также отличается от 100 пФ примерно на ту же величину.

Изменено 25 сентября, 2013 пользователем Stefan1

[andreysar 0]

....Насчет длины полоска - я взял ее - 5 мм (при длине волны = 4,7 мм на 2 ГГц)?

..

Если бы длина волны была действительно 4,7 мм, то все как раз бы и было объяснимо: неоднородности в районе конденсатора порядка 5 мм (один порядок!!!). Но в действительности на 2 ГГц длина волны в десять раз больше (видимо просто вместо см написали мм), и неоднородности да и длина макета в целом получается что малы (ширина правда около 40 мм, ни и диэлектрика то мало).

Проверьте на всякий случай размерность длины (иногда по умолчанию дюймы стоят).

 

с сосредоточенными элементами дела не имел, нормально ничего не подскажу.

 

Либо это чисто счетная погрешность - тогда при изменении параметров счета и изменении сетки результат должен меняться, либо что-то в модели, тогда при изменении размеров и длин синусоида должна смещаться. Может быть что-то с материалами (должен быть металл, а стоит проводник), или ошибка при рисовании (лишний зазор, отсутствие контакта).

 

Я бы для начала вообще сильно упростил модель, раз пошли непонятные эффекты: убрал все и в "гольный" полосок "воткнул" сосредоточенную емкость, а потом снова стал усложнять модель.

[Stefan1 0]

Либо это чисто счетная погрешность - тогда при изменении параметров счета и изменении сетки результат должен меняться, либо что-то в модели, тогда при изменении размеров и длин синусоида должна смещаться. Может быть что-то с материалами (должен быть металл, а стоит проводник), или ошибка при рисовании (лишний зазор, отсутствие контакта).

 

Я бы для начала вообще сильно упростил модель, раз пошли непонятные эффекты: убрал все и в "гольный" полосок "воткнул" сосредоточенную емкость, а потом снова стал усложнять модель.

 

Благодарю за советы, попробую в этих направлениях варьировать модель.

Хотелось бы уточнить еще один момент: у меня почему-то после окончания расчета при вычитании S параметров внешних полосков через "deembed S parameter" в разделе Results S-параметры вообще не меняются (в поле "dist to ref plane" относительно port указываю длину полоска со знаком минус), почему так?

Изменено 27 сентября, 2013 пользователем Stefan1

[ДонСВЧан 0]

Всем доброго времени суток! Совсем запутался с CST точнее с отличием реальных измерений от результатов расчетов!

 

Вобщем дело было так: :smile3046:

 

1) Задача смоделировать микрополосковую антенную решетку мм диапазона длин волн. В результате задача решена с помощью CST, порт дискретный 50 Ом. Согласование в рабочей полосе частот 200 МГц не хуже минус 23 дБ, КСВН не более 1,5, реальный коэффициент усиления не хуже 25 дБ, уровень боковых лепестков не хуже минус 10 дБ, ширина ДН по уровню 0,5, 5х6 град. Короче говоря результаты приемлемые.

2) Собственно изготовливаю макет, припаиваю на вход отрезок СВЧ кабеля (RG405 с розенбергеровским разъемом 50 Ом, все держит до 40 ГГц) и снимаю характеристики. КСВН в рабочей полосе 2...2,4; КУ=20 дБ, ширина ДН 5х6 град, УБЛ на уровне минус 10 дБ.

 

Теперь собстсвенно сам вопрос: -где моя ошибка?

 

Куда пропали 5 дБ я догадываюсь, нет согласования в точке запитке антенны, смоделировал в CST уже запитку не дискретным портом, а волновым портом с использованием модели отрезка коаксиального кабеля, так расчет и показал примерно разницу в 5 дБ! Но почему такая разница при расчетах с использованием разных типов запитки, ведь топология антенны в точке запитке на теже 50 Ом расчитано? Раньше расчитывал подобные антенны но в 3 см диапазоне, все совпадало с реальностью, а тут такой промах? ... теперь никак не получается согласовать антенну на коаксиальный кабель в CST, резонанс скачет рядом, но ближе чем за 500 МГц не подходит, т.е топология нуждается в полной переработке, не помогают никакие согласующие трансформаторы, шаг решетки то уже не изменишь! :crying:

Изменено 5 октября, 2013 пользователем ДонСВЧан