Перейти к содержанию
    

finding the exact saturation region in NPN ICvs Vce

Hello , I have the following plot which i was told is not accurate and there are a lot of problem defining what is exactly saturation region for NPN.

I was told that its only a small protion of the knedd area shown below and not the whole area.

I have reacreated the NPN Ic vs Vce in the attached LTSPICE simulation.

By your opinion what is the exact mathematical area in the Vce vs Ic plot where i can say that the NPN is saturated?

Thanks.

 

image.thumb.png.16661732e0a733e3e05d0399c15481c5.png
image.thumb.png.b75ccb9acf7943980da8aeaa220bbe82.png
image.thumb.png.b154d110c240c921e1c8933cdf77b7d1.pngnpn_step.zip

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 6/18/2024 at 10:38 PM, vov4ick said:

По определению насыщение начинается когда Uкб<0

Определений не одно, и даже Вавше имеет двойное толкование - напряжения на переходах идеального транзистора или на выводах реального.

On 6/18/2024 at 10:55 PM, Точка Опоры said:

First of all - you shall break negative feedback via R3.

Это никак не влияет на межэлектродные напряжения/токи.

On 6/18/2024 at 5:12 PM, sergey23 said:

By your opinion what is the exact mathematical area in the Vce vs Ic plot where i can say that the NPN is saturated?

Смотря какое определение Вам нужно. Это м.б., например, падение h21э на 20% или увеличение Uкэ на эту же величину.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

I need to use PNP as a switch, I was told that putting the PNP in saturation takes longet time to switch from it.

Because in saturation we have a lot of charge accumulated.

How do i regognise the saturation which causes a longer delay then active state?

Thanks.
Смотря какое определение Вам нужно

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 6/23/2024 at 11:43 PM, sergey23 said:

How do i regognise the saturation which causes a longer delay then active state?

У малосигнальных - никак, у ключевых есть графики зависимостей таймингов от токов, но это совсем разные приборы. На глаз - при Uбэ = Uкэ - режим гарантированно активный (@ ток коллектора не более 0,2..0,3 максимального), при разнице более 0,2В - пдходим к насыщению. Про транзистор Шоттки слышали?

Ну и сомневаюсь, что Вам нужны субмикросекундные тайминги, уточните. У мелких даже с насыщением Tstg порядка 200.500нс емним.

Изменено пользователем ChristinaChadzynski

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...