Перейти к содержанию
    

Почему производители транзисторов с каждым годов все сильнее занижают реальную емкость затвора?

Шансов конечно мало, что кто-то знает доподлинно. Но, вероятно, у кого-то будут мысли, предположительно объясняющие данный обман?

И так, все транзисторы оригинальные.
С каждым годом, с выходом все новых и превосходящих предшественников транзисторов, в первую очередь по сопротивлению канала в открытом состоянии, производители все сильнее и сильнее занижают официально заявленную в даташите входную емкость затвора.

Вот результат моих многолетних наблюдений доказывающий мои слова выше:

STP4NK80Z 800В 3А 3.5Ом 80Вт 575пФ (реально 800пФ, 625пФ на 100кГц)

FQP7N80C 800В 6.6А 1.5Ом 167Вт 1850пФ (реально 1600пФ, 1430пФ на 100кГц)

STP25N80K5 800В 19.5(78)А 0.26Ом  250Вт 1600пФ (реально 2300-2500пФ, 2250пФ на 100кГц)

FCP067N65S3 650В 44(110)А 59(<67)мОм 312Вт 3090пФ (реально 5500пФ, 5400пФ на 100кГц)

STW88N65M5 650В 84(336)А 24(<29)мОм 450Вт 8825пФ (реально 16нФ, 13нФ на 100кГц) - чемпион по занижению

IRFP7430PBF 40В 195А 1.3мОм 366Вт 14240пФ (реально 15.6нФ, 16.4нФ на 100кГц)

IRFB7434PBF 40В 195А 1.6мОм  294Вт 10820пФ (реально 11.4-11.6нФ, 10.8нФ на 100кГц)

STP110N7F6 68В 110А 6.5мОм 176Вт 5850пФ (реально 6.21-6.27нФ на 1кГц, 6.18-6.23нФ на 100кГц)

PSMN1R0-40YLD 40В 280А 0.93(<1.1)мОм 198Вт 8845пФ (реально 10.36нФ, 10нФ на 1кГц, 9.96нФ на 100кГц)

IRF4905PBF 55В 74А 20мОм 200Вт 3400пФ (реально 4800-4900пФ, 4300пФ на 100кГц)

SiHFU9310 400В 1.8(7.2)А <7Ом 50Вт 270пФ (реально 450пФ)

Зачем они это делают, в то время как остальные параметры, указанные в даташите, подтверждаются соответствующими измерениями пациентов.

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

11 minutes ago, Propretor! said:

Шансов конечно мало, что кто-то знает доподлинно. Но, вероятно, у кого-то будут мысли, предположительно объясняющие данный обман?

И так, все транзисторы оригинальные.
С каждым годом, с выходом все новых и превосходящих предшественников транзисторов, в первую очередь по сопротивлению канала в открытом состоянии, производители все сильнее и сильнее занижают официально заявленную в даташите входную емкость затвора.

Вот результат моих многолетних наблюдений доказывающий мои слова выше:

STP4NK80Z 800В 3А 3.5Ом 80Вт 575пФ (реально 800пФ, 625пФ на 100кГц)

FQP7N80C 800В 6.6А 1.5Ом 167Вт 1850пФ (реально 1600пФ, 1430пФ на 100кГц)

STP25N80K5 800В 19.5(78)А 0.26Ом  250Вт 1600пФ (реально 2300-2500пФ, 2250пФ на 100кГц)

FCP067N65S3 650В 44(110)А 59(<67)мОм 312Вт 3090пФ (реально 5500пФ, 5400пФ на 100кГц)

STW88N65M5 650В 84(336)А 24(<29)мОм 450Вт 8825пФ (реально 16нФ, 13нФ на 100кГц) - чемпион по занижению

IRFP7430PBF 40В 195А 1.3мОм 366Вт 14240пФ (реально 15.6нФ, 16.4нФ на 100кГц)

IRFB7434PBF 40В 195А 1.6мОм  294Вт 10820пФ (реально 11.4-11.6нФ, 10.8нФ на 100кГц)

STP110N7F6 68В 110А 6.5мОм 176Вт 5850пФ (реально 6.21-6.27нФ на 1кГц, 6.18-6.23нФ на 100кГц)

PSMN1R0-40YLD 40В 280А 0.93(<1.1)мОм 198Вт 8845пФ (реально 10.36нФ, 10нФ на 1кГц, 9.96нФ на 100кГц)

IRF4905PBF 55В 74А 20мОм 200Вт 3400пФ (реально 4800-4900пФ, 4300пФ на 100кГц)

SiHFU9310 400В 1.8(7.2)А <7Ом 50Вт 270пФ (реально 450пФ)

Зачем они это делают, в то время как остальные параметры, указанные в даташите, подтверждаются соответствующими измерениями пациентов.

 

навскидку 

STP110N7F6  5850пФ   VDS = 25 V, f = 1 MHz, VGS = 0  как Вы измеряли? в даташит есть зависимость емкости от напряжения VDS
-

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

16 минут назад, Propretor! сказал:

STW88N65M5 ... 8825пФ

При Uси=100 В, а при нуле эта ёмкость в точности как Вы измерили, изучайте Рис.9 паспорта.

18 минут назад, Propretor! сказал:

SiHFU9310 ... 270пФ

При Uси=25 В, а при нуле эта ёмкость в точности как Вы измерили, изучайте Рис.4 паспорта.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

37 минут назад, Vasil_Riabko сказал:

как Вы измеряли? в даташит есть зависимость емкости от напряжения VDS
-

При всех напряжениях стока (у всех транзисторов), отличных от 0 емкость затвора только уменьшается.

Измерял при 0В на стоке.

Изменено пользователем Propretor!

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

22 minutes ago, Propretor! said:

STW88N65M5 650В 84(336)А 24(<29)мОм 450Вт 8825пФ (реально 16нФ, 13нФ на 100кГц) - чемпион по занижению

image.thumb.png.f58c8e6e5c92b183948f4d9419b27179.png

ну нет в даташите максимального значения

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

32 минуты назад, Plain сказал:

При Uси=100 В, а при нуле эта ёмкость в точности как Вы измерили, изучайте Рис.9 паспорта.

Да, вы правы, бегло пробежался по данному даташиту, недоглядел.

Изменено пользователем Propretor!

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

30 минут назад, 1113 сказал:

ну нет в даташите максимального значения

Ну и фиг с ним, на графиках можно оценку сделать. И я действительно недоглядел, у всех емкость затвора при разных!!! и не нулевых напряжениях стока приводятся.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вопрос решен. Тему можно закрывать. Спасибо Plain за то, что обратил внимание на место моей невнимательности.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...