[gregory 0]

14 hours ago, НЕХ said:

На порядок простой биполяр, а Дарлингтон на два))

Да, Plain, Вы детектив. Действительно схема с первой страницы от повторителя на р-канальном MOSFET. И становится понятным предназначение С3 - бутстреп, поднимающий величину высокоомного резистора, расширяющее НЧ. А С2, несколько пФ, задаёт коэффициент передачи заряда в Вольты. Просто в схеме была вторая ошибка - пьезоэлемент должен был быть подключен не на землю, а на выход. Блестяще потрудились !

Я тоже молодец, ваш патент не видел ранее, схема самописная))

С4 - теперь вредный лишний элемент.

 

 

[gregory 0]

14 hours ago, НЕХ said:

На порядок простой биполяр, а Дарлингтон на два))

Да, Plain, Вы детектив. Действительно схема с первой страницы от повторителя на р-канальном MOSFET. И становится понятным предназначение С3 - бутстреп, поднимающий величину высокоомного резистора, расширяющее НЧ. А С2, несколько пФ, задаёт коэффициент передачи заряда в Вольты. Просто в схеме была вторая ошибка - пьезоэлемент должен был быть подключен не на землю, а на выход. Блестяще потрудились !

Я тоже молодец, ваш патент не видел ранее, схема самописная))

С4 - теперь вредный лишний элемент.

 

Спасибо всем за критику и предложения.  Учел замечания.   Как и предлагалось,  Ёмкость С3 подключили к  затвору. В результате удалось получить при комнате требуемые параметры. Вот только мне не понятно , почему все пишут про усилитель заряда. Классический усилитель заряда на ОУ имеет нулевое входное сопротивление. Весь заряд переходит на емкость обратной связи. Коэффициент преобразования зависит только от величины этой ёмкости, но не зависит от ёмкости пьезодатчика и внешних конденсаторов на входе.  Здесь совсем другая схема.  Другие варианты, которые предлагались испытаем позднее.  Надо ещё добиться постоянства выходного напряжения при изменении выходного тока источника тока.  У BF 862 это получается , с другими транзисторами хуже.  "С4 - теперь вредный лишний элемент".  Да, особенно , если учесть , что это ёмкость  выходного кабеля, который может иметь длину сотни метров. Чем длиннее кабель, тем больше необходим потребляемый ток.

[НЕХ 4]

Пьезокерамика теперь "закорочена" повторителем. Напряжение на ней не меняется. Заряды перетекают в С2 ( в инвертирующей схеме это был бы конденсатор обратной связи)

Это тоже зарядочувствительный усилитель. При положительном питании его можно построить только на р-канальном mosfet.

[gregory 0]

1 hour ago, НЕХ said:

Пьезокерамика теперь "закорочена" повторителем. Напряжение на ней не меняется. Заряды перетекают в С2 ( в инвертирующей схеме это был бы конденсатор обратной связи)

Это тоже зарядочувствительный усилитель. При положительном питании его можно построить только на р-канальном mosfet.

Мне кажется, что с определениями не все хорошо. У этого усилителя есть зависимость выходного напряжения  от величины С2, а у усилителя заряда - нет.

[gregory 0]

21 hours ago, НЕХ said:

Вот поэтому и просится один SiGe HBT для пущего усиления. У него на таком минусе будет больше 1000. Каскодом включать придётся для высоковольтности.

На графиках коэффициента передачи производителя diodes при -50 ничего не предвещало беды))

Ядерщики пишут, что ОУ в пластике, выполненные по SiGe  процессу, не теряют способностей на холодке. В частности, opa211

 

Надо будет проверить opa211 . Правда, он потребляет много больше 2 мА.

[НЕХ 4]

Вы ошибаетесь. Мы сейчас говорим о схеме, изображенной внизу 4 страницы, а не то поделие  с 2 крупными ошибками с первого листа.

Тогда уж пытайтесь на OPA 827, он с входным каскадом на jfet

Вы понимаете, что это одно и тоже ? Только инвертированное))

Изменено 20 июня, 2023 пользователем НЕХ

[rloc 45]

Мне кажется, как назвать усилитель - это вопрос риторический. Перерисовал схемы с 1-го и 4-го листа.

В общем случае Zх - комплексные сопротивления, резистивно-емкостные. Условно усилитель можно назвать зарядовым при превалировании емкостной составляющей в Z1. Чисто емкостную связь сделать не получится, чем-то нужно "сбрасывать".

 

 

[gregory 0]

On 6/18/2023 at 3:59 PM, НЕХ said:

На криогенных температурах на затвор bf862 уже приходится плюс подавать -

https://www.google.com/url?sa=t&source=web&rct=j&url=https://arxiv.org/pdf/1102.4143&ved=2ahUKEwiA8vOpu8z_AhWQDuwKHfrKB_8QFnoECDAQAQ&usg=AOvVaw3pOjxp0zrgH-V6OtS69Woo

JFET хорошо бы прогревать током до 120К.

Если вторая обкладка датчика доступна, то вот вариант зарядо-чувствительного усилителя. Каков коэффициент передачи PNP транзисторов в жидком азоте - большой вопрос. Надеюсь, что больше 1))

В любом случае, схема с первой страницы с резистивной обратной связью недоразумение. Только при ёмкостной обратной связи получится классический зарядочувствительный усилитель. Ёмкость затвор-сток выполняет сейчас эту функцию, но она сильно зависит от напряжения на выходе. Обратная проводимость сток-исток 3-5 кОм. Это сопротивление будет в обратной связи коллектор-база Дарлингтона и определит усиление. Поэтому и предлагал запитать сток от батарейки временно. Судя по графику 13 в пдф bf861, при более 5 вольт на стоке начинаются негативные процессы, приводящие к росту тока затвора. Может это не спад на НЧ, а неоправданный рост усиления ВЧ из-за непредсказуемой обратной связи, обусловленной только внутренними свойствами полупроводников))

 

 

Коллега нашёл схему, которую рекомендует производитель транзисторов.  Вообще, параметры транзисторов настолько меняются при низких температурах, что ожидать сохранения режима работы по постоянному току не приходится.  

Изменено 20 июня, 2023 пользователем gregory

[НЕХ 4]

1 час назад, gregory сказал:

Коллега нашёл схему, которую рекомендует производитель транзисторов.  Вообще, параметры транзисторов настолько меняются при низких температурах, что ожидать сохранения режима работы по постоянному току не приходится.  

 

Такой вариант уже предлагался.

Лучше обойтись без новых непредсказуемых сущностей LT1009, TL431

Правильнее питать JFET отдельным генератором тока, что позволяет увеличить номинал нагрузочного резистора для большего усиления и снизит шум, привносимые током базы каскодного каскада. Хотя, погляжу, о шумах на картинках никто не заботится (особенная жесть на последней, рекомендованной)

Соберите правильно вашу же схему, заменив JFET на bss84p и переподключив второй электрод керамики с земли на выход.

Плохой из меня педагог, терпения  не хватает))

Изменено 20 июня, 2023 пользователем НЕХ

[gregory 0]

8 minutes ago, НЕХ said:

Такой вариант уже предлагался.

Лучше обойтись без новых непредсказуемых сущностей LT1009, TL431

Правильнее питать JFET отдельным генератором тока, что позволяет увеличить номинал нагрузочного резистора для большего усиления и снизит шум, привносимые током базы каскодного каскада. Хотя, погляжу, о шумах на картинках никто не заботится (особенная жесть на последней, рекомендованной)

Конечно, каждая новая деталька вносит проблемы.  Например, выходное напряжение стабилитронов при азоте скачет , ну шумы. конечно.

 

[rloc 45]

Я бы однозначно попробовал на MOSFET, токи утечки на порядки меньше JFET, можно ближе к чисто емкостной связи сделать. Возможно P-канальные MOSFET меньше шумят на крио-температурах, у меня данных нет.

[Plain 175]

22 часа назад, НЕХ сказал:

Действительно схема с первой страницы от повторителя на р-канальном MOSFET

И на ней тоже два датчика параллельно, как в патенте — вопрос только, с той же ли целью.

[НЕХ 4]

Цель этого понятна - экранирование входа повторителя. Любая неучтённая емкость его на корпус поменяет коэффициент преобразования заряда.

[Plain 175]

Это была интрига.

[НЕХ 4]

5 часов назад, Plain сказал:

Это была интрига.

Как мы сразу не сообразили в чём было дело)) ?

Это же классика жанра. Мы должны были раньше понять, откуда дует ветер. Пьезокерамика и фотодиоды, какая разница - подход одинаковый, только в постоянном токе различия.

Gregory, вот вы же можете утолить любопытство наблюдающих. Взяли да провели тесты. Стали бы знаменитостью, все б ссылались на ваши опыты. Всего то надо опустить в жидкий азот mmbta14/64, bc847/857/3904/3906,   bfp640/650/740, 2n7002/bss84p, bfu910f))

Всего то надо знать примерную оценку базового тока/порогового напряжения при фиксированном токе коллектора/стока.

Электроника - красивая дисциплина. Логика и гармония. Вход - база. Коллектор соединён  с базой следующего, а эмиттер с коллектором, он же выход. 

White, 1943 год

И оно будет работать на SiGe транзисторах в малосигнальном режиме. Ибо Дарлингтон))

Изменено 20 июня, 2023 пользователем НЕХ