[Freesom 22]

32 minutes ago, Turgenev said:

Не прокатит ли вычитать нераспиленный полосок, даже в ZVL, например, до DUT (разницы то по идее нет)?

В каком месте там нет разницы? Отражение от разъема сложится с отражением от DUT на расстоянии Thru с каждой стороны или дважды, но с одной стороны: впритык и на расстоянии от 2xThru - это нет разницы? Это ж СВЧ, а не теория цепей на условно-постоянном токе.

[Turgenev 1]

16 минут назад, Freesom сказал:

впритык и на расстоянии от 2xThru - это нет разницы?

Я чет запутался:

 

В 15.11.2022 в 14:18, cismoll сказал:

Его пилить не надо, в память ВАЦа записывается информация об электрической длине, коэффициенте отражения и потерях, и если линия имеет нужное волновое сопротивление и обеспечивает его стабильность по всей длине (сиречь хорошо согласована), то прибору без разницы, как она расположена относительно него и в какой разрез будет включен DUT.

 

 

[cismoll 13]

3 minutes ago, Turgenev said:

Я чет запутался:

Это я запутался, просто не обращайте внимания на мои реплики, посвящённые методам измерения, в этой теме.

[yurik82 23]

4 часа назад, Turgenev сказал:

Но почему у вас (да, наверное, и везде так) в примере с Вилкинсоном мы транфсформируем не в 100 Ом, а в 25 Ом?

 

Самый простой 1-ступенчатый Вилкинсон:

Деление: 50 Ом на Т-тройнике разделяется на 2 по 100 Ом. Каждое плечо 100 Ом проходит черех трансформатор 70.7 Ом и дает по 50 Ом в плече.
Сложение: 50 Ом проходит через трансформатор 70.7 Ом и поднимается до 100 Ом. На Т-тройнике два источника по 100 Ом слагаются в один на 50 Ом.

Двуступенчатый Вилкинсон

Деление: 50 Ом после транса 42 Ом опускается до 35.3 Ом. На Т-тройнике 35.3 Ом разделяется на 2 по 70.6 Ом. Каждое плечо 70.6 Ом проходит черех трансформатор 59.4 Ом и дает по 50 Ом в плече.
Сложение: 50 Ом проходит через трансформатор 59.4 Ом и поднимается до 70.6 Ом. На Т-тройнике два источника по 70.6 Ом слагаются в один на 35.3 Ом. 35.3 Ом после транса 42 Ом поднимается до 50 Ом.

Трехступенчатый Вилкинсон

Деление: 50 Ом после транса 44.55 Ом опускается до 39.7 Ом. На Т-тройнике 39.7 Ом разделяется на 2 по 79.4 Ом. Каждое плечо 79.4 Ом проходит черех трансформатор 70.8 Ом и дает по 63.1 Ом в плече. Каждое плечо 63.1 Ом идет на еще один транс 56.2 Ом и дает 50 Ом.
Сложение: 50 Ом проходит через трансформатор 56.2 Ом и поднимается до 63.1 Ом. Далее идет ещё один транс 70.8 Ом который поднимает с 63.1 до 79.4 Ом. На Т-тройнике два источника по 79.4 Ом слагаются в один на 39.7 Ом. 39.7 Ом после транса 44.55 Ом поднимается до 50 Ом.

 

[Turgenev 1]

И я снова вернулся к тому, с чего начинал- нужен софт, чтобы пилить S-параметры. А как подразумевалась реализация опции Deembedded в ZVL, ZVA, без опции распиливания S-параметров? Типа "ищите сами чем пилить, а мы просто вычтем"?

5 минут назад, yurik82 сказал:

Самый простой 1-ступенчатый Вилкинсон:

Деление: 50 Ом на Т-тройнике разделяется на 2 по 100 Ом.

Все понятно, кроме "на два по 100", почему по 100??

[yurik82 23]

46 минут назад, Turgenev сказал:

Все понятно, кроме "на два по 100", почему по 100??

Принцип работы Т-тройнка (T-joint) такой же как соединение обычных резисторов параллельно. Напряжение остается неизменным (один потенциальный уровень, ибо одна точка), а суммируются токи (носители зарядов). Это также как соединить на Т-тройник две трубы с водой  - расход (ток) суммируется, а давление (напряжение) нет. Также известно как правило Киргхоффа для узлов (количество машин въезжающих на перекресток равно количеству машин выезжающих оттуда, или по научному "векторная сумма токов в узле равна нулю").

Если 2 резистора по 100 Ом соедини параллельно то результирующее сопротивление будет 50 Ом.

Суммирование: Допустим на каждое плечо входа пришло по 10 Вольт / 50 Ом (мощность по 2 Ватта в плече, ток 0.2А). После трансформации напряжение поднялось до 14.1 Вольт / 100 Ом (мощность по 2 Ватта так и осталась, ток 0.142А). После сложения на Т-тройнике напряжение так и осталось 14.1 Вольт, токи сложилися 2*0.142А=0.284А, мощность сложилась 2+2=4 Ватт. Импеданс (соотношение напряжения к току) упал с 100 до 50 Ом

Из одного плеча под напором 14.1 Вольт прибежало электронов на 0.142А и с другого столько же с таким же напором. Результирующий напор остался тот же 14.1 Вольт, а суммарное количество электронов в "толстой" (низкоимпедансной) трубе 0.282А

Изменено 16 ноября, 2022 пользователем yurik82

[Freesom 22]

2 hours ago, Turgenev said:

А как подразумевалась реализация опции Deembedded в ZVL, ZVA, без опции распиливания S-параметров? Типа "ищите сами чем пилить, а мы просто вычтем"?

Ну типа того. На самом деле, имея CST можно с весьма недурной точностью замоделировать 2xThru, который изготовлен и обмерян. А дальше в середине поставить волноводный порт и просто получить s-параметры половины. Разъемы SMA - это простейший случай случай для моделирования, в отличие от всяких мерзких SMPM. Сделать пару 2xThru разной длины и CST посчитает свойства подложки. Если ВАЦ позволяет мерять во временной области, то и разъем можно замоделировать достаточно точно.

[Turgenev 1]

17 часов назад, Freesom сказал:

Сделать пару 2xThru разной длины и CST посчитает свойства подложки.

Это очень интересный для меня момент, вы про определение диэл.проницаемости подложки и тангенса потерь? Что именно вы имеете в виду: подбор E и tanD пока отмоделированное не совпадет с измеренным или есть какая-то методика/инструмент?

[Freesom 22]

41 minutes ago, Turgenev said:

Что именно вы имеете в виду: подбор E и tanD пока отмоделированное не совпадет с измеренным или есть какая-то методика/инструмент?

Macros / Materials / Extract complex material properties from measured S-Parameters

Нажать хелп и внимателньо прочитать, прежде чем что-то прописывать в поля

Впрочем у них есть и третий вариант в макросе Calculate DUT and END LAUNCH S-Parameters., который не совсем fixture deembedding и требует двух вспомогательных измерений вместо одного 2xThru, но обещает сделать деембединг коннекторов с подводящими линиями. Пробуйте, скорее всего он даст более высокую достоверность для DUT, чем моделировать что-то вручную.

[Turgenev 1]

В 16.11.2022 в 18:17, Freesom сказал:

Сделать пару 2xThru разной длины и CST посчитает свойства подложки

Изучаю указанный вами макрос. Но возник вопрос, который должен был предшествовать всем моим вопросам. Почему указанная в ДШ на диэлектрик диэл.проницаемость отличается от реальной? В хелпе на макрос в примере изменения Е составили 0.02 до 5 ГГц, это же очень мало, чтобы значительно повлиять на результат. У меня как-то не сошелся фильтр по центральной частоте. Я попробовал подвигать её в модели изменяя Е и получилось. Но разница оказалось около 1 (в ДШ 10, поставил 9).  

Вы уже писали, что указанной Е в ДШ нельзя пользовать, если хочешь получить сходимость, я помню. Я тогда не понял почему так, зачем они ее тогда приводят, почему она так отличается, от чего это зависит и существенно ли отличается.

[Freesom 22]

1 hour ago, Turgenev said:

Почему указанная в ДШ на диэлектрик диэл.проницаемость отличается от реальной?

Потому что это попытка в одну циферку впихнуть невпихуемое. Сразу несколько свойств материала, да ещё для разных типов линий, невозможно задать одним числом. Не говоря уже про зависимость от частоты. Но это всё для совместимости со старыми полу-аналитическими расчетными инструментами.

1 hour ago, Turgenev said:

Но разница оказалось около 1 (в ДШ 10, поставил 9)

Для таких больших значений Dk это ещё неплохо

[Turgenev 1]

18 часов назад, Freesom сказал:

Потому что это попытка в одну циферку впихнуть невпихуемое. Сразу несколько свойств материала, да ещё для разных типов линий, невозможно задать одним числом.

А подскажите, пожалуйста, где почитать, чтобы оценить масштабы невпихуемого? Аналитическое определение диэл.проницаемости в моем понимании спокойно укладывается в одну цифру, в смысле насколько величина поля в материале слабее, чем в вакууме. Но я, похоже, не понимаю тонкостей этого определения применимо к реальным изделиям.

Изменено 19 ноября, 2022 пользователем Turgenev

[Turgenev 1]

18 часов назад, Freesom сказал:

Не говоря уже про зависимость от частоты.

Судя опять же по хелпе макроса, о котором вы писали, там уход на 1% диэл.проницаемости, что мало. Вы скажите, из вашего опыта, уход E у вас составлял больше, чем 1% от значений ДШ? 

[Freesom 22]

2 hours ago, Turgenev said:

Аналитическое определение диэл.проницаемости в моем понимании спокойно укладывается в одну цифру, в смысле насколько величина поля в материале слабее, чем в вакууме.

Ну да. А там ещё какие-то слова в том определении были наверно. Что среда однородная, изотропная, бесконечная. Или это так, для пущей важности пишут? И почему-то это Dk еще и разное для разных типов линий. Чудеса какие-то, наверно материал меняет свойства на ходу.

EuMC.2016.7824302.pdf

[khach 43]

А кто нибудь имел дело с несимметричными мультиоктавными  Вилкинсонами? Нужен ответвитель для АРУ генератора, где то 10-15 дб ответвленной мощности, диапазон 2-26 ГГц. Нарисовать вроде просто, но в реале в ответвленной мощности присутствуют осцилляции АЧХ. Цифровой калибровкой победить можно, но не всегда это возможно по ТЗ. В генераторах брендов встречал такие ответвители с ручной подстройкой АЧХ- подрезка, подмазка проводящей пастой.

Вот вопрос- как осуществлять такую подгонку? Неплохо бы найти инструкцию для монтажников без высшего радиоэлектронного образования. В идеале хотелось бы получить что то типа Anritsu 40GHz Leveling Coupler D27115 но 40 ггц это пока лишнее.