[byRAM 24]

42 минуты назад, Plain сказал:

Речь об отсутствии в РФ свободной продажи полупроводников, потому что это таки средство производства средств производства, т.е. чиновники учебники помнят, но про принятие явного закона ничего не говорят, тогда как начавший закручивать гайку гегемон может её не только закрутить до конца, но и законтрить.

Да с чего Вы взяли, покупайте на здоровье с приемной ОТК. Кто Вам отказал в этом - ткните пальцем

И мы его к столбу, а в лоб печать 

[yes 8]

On 4/12/2022 at 6:38 PM, makc said:

Нет, это так не работает. Для производства карт для метро попросту нерентабельно или даже невозможно использовать линии для производства процессоров.

не работает или нерентабельно? - это разные вещи

у них есть и старые фабрики на 45нм (есть или совсем недавно были и 65, 90 - в табличке в вики пишут самый продвинутый процесс фабрики, а не все доступные). у них есть (ну по крайней мере активно обещают во всяких новостях) силикон сервис для фаблес компаний, то есть приходи с дизайном карточки для метро и фперед

чипсеты свои тоже делают, и наверно не по топ процессу (хотя не удивлюсь если делают и на чужих фабриках - тут, как правильно указываете, главное рентабельность)

-------------

то есть, не совсем понимаю, что вы хотите сказать этим спором. мой поинт - обратный каргокульт не работает. в этом случае 100%

 

[makc 231]

46 минут назад, yes сказал:

не работает или нерентабельно? - это разные вещи

1. Не работает, т.к. при уменьшении технологических норм уменьшается и верхний предел допустимого напряжения питания. См., например, https://meroli.web.cern.ch/lecture_scaled_CMOS_Technology.html

Т.е. дубовые контроллеры с питанием 3.3 ... 5.0 В для автомобильных применений вы на 45 нм так просто не сможете. И так далее.

2. Нерентабельно == не работает для коммерческой организации, да и перенос существующих топологий кристаллов с завода на завод это время, деньги и риски. Поезд уже может уйти, когда будут готовы нужные ИМС. Иначе бы Байкал/Элвис уже давно соскочили на SMIC.

46 минут назад, yes сказал:

то есть, не совсем понимаю, что вы хотите сказать этим спором. мой поинт - обратный каргокульт не работает. в этом случае 100%

Я не спорю, но считаю ваши тезисы необоснованными, т.к. не вижу им подтверждения помимо вашего оценочного суждения.

[krux 8]

28 minutes ago, makc said:

1. Не работает, т.к. при уменьшении технологических норм уменьшается и верхний предел допустимого напряжения питания. См., например, https://meroli.web.cern.ch/lecture_scaled_CMOS_Technology.html

Т.е. дубовые контроллеры с питанием 3.3 ... 5.0 В для автомобильных применений вы на 45 нм так просто не сможете. И так далее.

Я както слабо понимаю что мешает нарисовать кастомный IOPAD под нужное напряжение

понятно, что так стараются не делать из экономии площади кристалла, и чтобы не плодить лишние точки входа питающих напряжения для трансляции уровней и формирования напряжений смещения.

и понятно что это будет выглядеть как из пушки по воробьям. но принципиально - что мешает?

[baumanets 13]

2 часа назад, krux сказал:

Я както слабо понимаю что мешает нарисовать кастомный IOPAD под нужное напряжение

В 65 нм I/O элементов около сотни типов. ИЗ них level shifter_ов 5-8 типов .

В каждом level shifter_e по 30-50 транзисторов. Площадь I/O ячейка занимает как 2-3 контактных площадки 100х100 мкм. Дорогое удовольствие в плане расхода кремния.

Вся CORE отделяется от I/O своим напряжением питания.

DC/DC на том же куске кремния не делают, выводят наружу разные питающие напряжения. Потому что, во-первых, техпроцессы разные, а во-вторых силовой mosfet dc/dc

займёт площадь чипа, соизмеримую с остальными элементами , что равно уменьшению съёма в 2 раза при равной площади чипа и dc/dc.

А в третьих потому, что индуктивности нужны, а пермаллой еще не научились пылить, создавая катушку на чипе с большими значениями индуктивности.

Занятие площади MOSFET-ом эквивалентно увеличению себестоимости в 2 раза.

Источники делают, либо в качестве опорника на запрещенной зоне в аналоговых схемах, либо там где нет, большого энергопотребления,

например питание NFC от радиоволн.

Тут мне могут сказать, что есть вариант на переключающих конденсаторах вместо индуктивности, но для них внутри кристалла также площадь расходуется.

 

Итого получается, что дизайн реюза (совместимости) ради, придётся тащить 2 напряжения питания, и проиграть по площади чипа, даже от совместимых I/O.

 

Я уж молчу про то, что Минпромторг до последнего защищал металлокерамику, разваренную wirebond.

И лет 5 назад заводы пытались flip-chip керамику продавить, но безуспешно.

Или тупость, или сильное лобби производителя корпусов из Торжка.

[makc 231]

7 часов назад, krux сказал:

Я както слабо понимаю что мешает нарисовать кастомный IOPAD под нужное напряжение

Дело не только в рисунке, а ещё в технологии производства, которая определяет толщину оксидных плёнок, от которых тоже очень сильно зависит допустимое напряжение и если на фабе нет такой технологии (за ненадобностью), то произвести что-то 5-вольтовое не получится. Хотя возможно я что-то упускаю, поправьте меня.

7 часов назад, krux сказал:

и понятно что это будет выглядеть как из пушки по воробьям. но принципиально - что мешает?

Ок, допустим в теории это возможно. Сколько займет редизайн и освоение в производстве на новой линии? Кто это будет покупать (рентабельность)?

[Avex 1]

50 minutes ago, makc said:

Дело не только в рисунке, а ещё в технологии производства, которая определяет толщину оксидных плёнок, от которых тоже очень сильно зависит допустимое напряжение и если на фабе нет такой технологии (за ненадобностью), то произвести что-то 5-вольтовое не получится. Хотя возможно я что-то упускаю, поправьте меня.

Сталкивался с подобным. Задача была сделать редизайн нескольких старых чипов на новый процесс с сохранением т.з. Старый процесс был недоступен по причине закрытия. И вот если толерантность 3/5 В еще присутствовала худо бедно у разных фабрик, то с ESD случилась беда - во всех новых процессах цифры оказались сильно меньше чем в старой технологии. И это было только пол беды: выяснилось что в новом выпущенном чипе цифры ESD не соответствуют спецификации. IO пады проектировали китайцы, ну и ... вы понимаете. Ничего доказать не удалось.

И таких нюансов будет очень много. Я выше уже писал, что скорее всего придется работать с самыми трешовыми китайскими фабами и коммерческими процессами. И таким вот рукожопским подходом китайцев к работе. Делать там чипы для военки станет настоящей болью. Это не педантичные немцы с x-fab.

[makc 231]

57 минут назад, Aleх сказал:

Сталкивался с подобным. Задача была сделать редизайн нескольких старых чипов на новый процесс с сохранением т.з. Старый процесс был недоступен по причине закрытия. И вот если толерантность 3/5 В еще присутствовала худо бедно у разных фабрик, то с ESD случилась беда - во всех новых процессах цифры оказались сильно меньше чем в старой технологии. И это было только пол беды: выяснилось что в новом выпущенном чипе цифры ESD не соответствуют спецификации. IO пады проектировали китайцы, ну и ... вы понимаете. Ничего доказать не удалось.

Кстати, да, ESD это еще одна болевая точка. Да и вообще требования по стойкости к ВВФ, которые на более тонких процессах создают немало трудностей (хотя не я специалист в этом вопросе, просто интересующийся прохожий ;-)).

58 минут назад, Aleх сказал:

И таких нюансов будет очень много. Я выше уже писал, что скорее всего придется работать с самыми трешовыми китайскими фабами и коммерческими процессами. И таким вот рукожопским подходом китайцев к работе. Делать там чипы для военки станет настоящей болью. Это не педантичные немцы с x-fab.

Поэтому я не разделяю точки зрения @yes относительно возможностей производства всего и вся на фабриках с нормами 65 нм и ниже у того же Интела на территории США.

[Leka 1]

Человеческий мозг заканчивает свое развитие к 20 годам. Обучать чему-либо после этого возраста - получится белковый робот. Нужно что-то большее - снижать порог вхождения.

[yes 8]

14 hours ago, makc said:

1. Не работает, т.к. при уменьшении технологических норм уменьшается и верхний предел допустимого напряжения питания. См., например, https://meroli.web.cern.ch/lecture_scaled_CMOS_Technology.html

Т.е. дубовые контроллеры с питанием 3.3 ... 5.0 В для автомобильных применений вы на 45 нм так просто не сможете. И так далее.

2. Нерентабельно == не работает для коммерческой организации, да и перенос существующих топологий кристаллов с завода на завод это время, деньги и риски. Поезд уже может уйти, когда будут готовы нужные ИМС. Иначе бы Байкал/Элвис уже давно соскочили на SMIC.

Я не спорю, но считаю ваши тезисы необоснованными, т.к. не вижу им подтверждения помимо вашего оценочного суждения.

IO делают и для 10нм на 2кВ ESD - то есть вопрос в площади, занимаемой структурой, а не в технологии (то есть эти IO cell-ы они реально здоровые и с технологией не уменьшаются - то есть пропорционально (на картинке лэйоута) увеличиваются с каждой новой нодой)

тем более у Интела есть high-k технология, что должно добавлять вольтов

и интел сливает технологии, то есть разрабатывает больше чем ему нужно, а потом малорентабельное (по их интеловским меркам) продает hynix, numonyx и т.д.

а сейчас стали автомобильные чипы внезапно рентабильными и бац

https://www.wsj.com/articles/intel-will-race-to-cash-in-its-car-chips-11638898223

 

upd - сори за повтор про IO, но пусть будет

upd2 - статья не та. но в любом случае при наличии vpn можно найти планы интела по производству не только автомобильного ИИ, но и "обычных" авточипов

 

------------------------

 

ну и это про про TSMC-SMIC - в эту сторону нужно дизайн переделывать сильно. с ухудшением технологии и соответственно времянки

 

и в общем случае, сейчас никто не перерисовывает "кальки" с одной технологии на другую, даже с улучшением технорм.

предполагается, что берется исходный дизайн (RTL) из него синтез на новую библиотеку, тайминг кложа и прочие прибабахи - лэйоут может быть совершенно другой для удовлетворения (на 95% дизайнов по моей оценке это все делает автомат тайминг-дривен плэйсер/роутер. раньше хоть макроселы типа памятей расставляли руками, а сейчас и это автоматом - но тут еще тулзы нужны, на что в этой теме мало внимания - типа дайте нам литографию и мы все руками нарисуем - я сомневаюся)

[makc 231]

12 минут назад, yes сказал:

IO делают и для 10нм на 2кВ ESD - то есть вопрос в площади, занимаемой структурой, а не в технологии (то есть эти IO cell-ы они реально здоровые и с технологией не уменьшаются - то есть пропорционально (на картинке лэйоута) увеличиваются с каждой новой нодой)

Есть примеры таких изделий? Не вижу в свежих даташитах Intel'a данных по стойкости к ESD, кроме общих слов что "есть защита, но всё равно нужно беречь от опасных воздействий" (вольный перевод).

15 минут назад, yes сказал:

тем более у Интела есть high-k технология, что должно добавлять вольтов

high-k это немного про другое, на сколько я понимаю. Важна именно толщина слоя оксида.

15 минут назад, yes сказал:

и интел сливает технологии, то есть разрабатывает больше чем ему нужно, а потом малорентабельное (по их интеловским меркам) продает hynix, numonyx и т.д.

Если он их слил, то на чём США используя заводы Intel будет обеспечивать технологическую независимость? Ответ просится сам собой - ни на чём.

16 минут назад, yes сказал:

а сейчас стали автомобильные чипы внезапно рентабильными и бац

https://www.wsj.com/articles/intel-will-race-to-cash-in-its-car-chips-11638898223

Заявления обычно находятся очень далеко от реальных воплощений и примеров тому масса. Цыплят по осени считают... И сейчас это как никогда актуальная поговорка.

[yes 8]

Just now, makc said:

Есть примеры таких изделий? Не вижу в свежих даташитах Intel'a данных по стойкости к ESD, кроме общих слов что "есть защита, но всё равно нужно беречь от опасных воздействий" (вольный перевод).

high-k это немного про другое, на сколько я понимаю. Важна именно толщина слоя оксида.

Если он их слил, то на чём США используя заводы Intel будет обеспечивать технологическую независимость? Ответ просится сам собой - ни на чём.

Заявления обычно находятся очень далеко от реальных воплощений и примеров тому масса. Цыплят по осени считают... И сейчас это как никогда актуальная поговорка.

я на интеле ничего не делал но для GF 22нм делал - прошло ESD тесты с HBM 2kV (ну и все остальное по этому ESD стандарту) 

сомневаюсь, что интел расслабил требования к ESD, но ради экономия кремния (на это есть технические причины, а не только цена) может и могли

----------------

важна электропроводимость/электропробиваемость - она зависит от К диэлектрика (но пять же понятно, что интел использует это не для увеличения напряжения, а для уменьшения толщины) но увеличивать в таком деле проще чем уменьшать

-----------------

мое мнение - у США причина не "ни на чем", а "незачем".

------------------

то есть думаете, что мы своими антисанкциями так поразим кремнивую долину, что они не смогут чипы делать? ну-ну...

 

[mantech 53]

4 часа назад, yes сказал:

то есть думаете, что мы своими антисанкциями так поразим кремнивую долину, что они не смогут чипы делать? ну-ну...

Я не знаю, что у нас могут быть за "антисанкции", но полупроводниковый кризис прошлого года о чем-то намекает, что не все и у них так радужно...

[byRAM 24]

17 минут назад, mantech сказал:

Я не знаю, что у нас могут быть за "антисанкции", но полупроводниковый кризис прошлого года о чем-то намекает, что не все и у них так радужно...

Всё проще, чем кажется - Китай им сначала пятки отдавил, а теперь каблуками пальцы ног добивает 

[baumanets 13]

11 часов назад, makc сказал:

Дело не только в рисунке, а ещё в технологии производства, которая определяет толщину оксидных плёнок, от которых тоже очень сильно зависит допустимое напряжение и если на фабе нет такой технологии (за ненадобностью), то произвести что-то 5-вольтовое не получится. Хотя возможно я что-то упускаю, поправьте меня.

У TSMC честный высоковольтный процесс:

1 микрон. Позиционируют для автомобильных применений.

Я был удивлён, узнав что такой процесс у них ещё существует.

На Микроне был SiGe. Если правильно помню, 0,6 или 0,35. Делали в международной кооперации по-моему с IHP.

600V стойкость.

Но SiGe - это уже экзотический материал.