Перейти к содержанию
    

Теоретический вопрос: а где используют JFET?

Добрый день! Решил немного укрепить свои знания по аналоговой схемотехнике и попробовать расширить ассортимент используемых полевых транзисторов. Звучит немного странно, согласен. Но до сегодняшнего дня я в своей практике использовал MOSFET различных мощностей и полевые транзисторы с обеднённым каналом. Вопрос, а где и куда можно применить полевые транзисторы с управляющим pn-переходом (JFET)? Честно прочитал главу из Хоровица и Хилла, но так и не понял, в чём их ключевая особенность?

Например, в источниках тока я использовал и mosfet  и ПТ с обеднённым каналом. В качестве аналоговых ключей использовал маломощные MOSFET. Видел, что JFET используют в высокоомных входах: каналы осциллографов, мультиметров и т.п. Но ведь и mosfet имеет высокое входное сопротивление, почему бы не использовать его?

В общем, у меня каша в голове. Ещё раз: меня беспокоит то, что я не использую JFET. Скорее всего, потому что не понимаю до конца сути этих полупроводниковых приборов. А раз так, то возможно, что мои текущие схемы не совсем эффективны, т.к. там стоят не JFET, а другие решения.

P.S. Если возникнет желание постебаться по поводу отсутствия элементарных знаний - я не против, стебитесь)))) Но расскажите суть вопроса))))

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Не могу не высказаться... JFET транзисторы воспринимаю как макет (самый начальный этап разработки) нормального полевого транзистора. Этап важный, так как полевой транзистор имеет ряд исключительных свойств, но  на этапе JFET они имели уж очень уродские характеристики. Спустя время, разработали нормальные (в нынешнем понимании) транзистры и JFET стали неактуальны. Мораль - не теряйте время - в Вашей жизни они погоды не сделают. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

14 minutes ago, варп said:

JFET стали неактуальны.

Спасибо, @варп! Интересная точка зрения. А под "нормальными" ПТ Вы подразумеваете MOSFET и ПТ с обеднённым каналом? И ещё, если они (JFET) "макет", то почему их так часто во входах осциллографов используют, даже LeCroy? Уж последние-то точно могли себе позволить поставить что-то более правильное.

16 minutes ago, варп said:

Мораль - не теряйте время

Ну вот, а я думал, в этих транзисторах всё чудо схемотехники))) Пока единственное, что удручает - огромный разброс параметров. Не получается посчитать толком простейший истоковый повторитель и в Micro-Cap отсимулировать.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Полно ОУ с входным каскадом на JFET (полевой транзистор с затвором в виде p-n перехода), т.к. их можно вместе с биполярными в одном процессе уместить. Там и применяются.

Дискретные приборы такого типа, наверное, давно не применяются.

4 hours ago, haker_fox said:

использовал и mosfet  и ПТ с обеднённым каналом. 

MOSFET это и есть ПТ. По-русски MOSFET называется МДП-транзистором.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 minute ago, alexunder said:

Полно ОУ с входным каскадом на JFET

Да-да, это я знаю)

1 minute ago, alexunder said:

Дискретные приборы такого типа, наверное, давно не применяются.

Вот как... Интересно, современные входы осциллов сразу ОУ содержат или всё-таки исключение в виде JFET?

З.Ы. Жаль, я думал, что-то в них есть в этих JFET...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Применяют в усилителях, jfet  имеют лучшие шумовые низкочастотные характеристики, чем MOSFET в области фликкер шума.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Just now, НЕХ said:

Применяют в усилителях, jfet  имеют лучшие шумовые низкочастотные характеристики

Кстати, читал где-то, что дискретные приборы (JFET) имеют шум более низкий, чем их сограждане в составе ИМС (того же ОУ).

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Новые приборы производятся по технологии, впервые примененной в успешных ОУ

 JFE150, JFE2140

 Из-за фликкер-шума р-канальные  MOSFET предпочтительнее  n-канальных. И именно их мы наблюдаем в блоксхемах ИМС на входе.

Для jfet важно соотношение шума и входной ёмкости - шум легко уменьшить, запараллеливая транзисторы, но ёмкость растет.

Некоторые передовые транзисторы HEMT по способу управления очень похожи на управление jfet транзисторами. В силовых ключах SiC GaN полно примеров использования jfet

https://unitedsic.com/group/uf3c-sc-sic-fets/

Изменено пользователем НЕХ

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

4 часа назад, haker_fox сказал:

в чём их ключевая особенность?

Дешевле и доступнее, чем MOSFET, структура монолитная, а не ячеистая, входная ёмкость меньше, и есть режим прямого тока затвора, что может понадобиться в некоторых схемах.

 

Сейчас обычно применяются для увеличения диапазона напряжений современных ИС, которые практически все низковольтные, а также в случаях, когда сперва нужен нормально включённый, а затем основательно выключенный компонент, и т.п.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Спасибо, коллеги! Кое-что начинает проясняться. На всякий случай акцентирую: JFET интересует именно в дискретном применении. Но сравнение с ИМС будет очень полезным.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

20 минут назад, Plain сказал:

есть режим прямого тока затвора, что может понадобиться в некоторых схемах

А что это за режим? И где он может понадобиться?

 

4 часа назад, haker_fox сказал:

Вопрос, а где и куда можно применить полевые транзисторы с управляющим pn-переходом (JFET)?

Радиолюбители их применяют в активных антеннах (активная "MiniWhip", магнитная "Олуша"), генераторы на них делают (схема Лямбда Диод). Во входных каскадах осциллографов Rigol применяются (схемы в сети есть).

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

36 минут назад, haker_fox сказал:

 JFET интересует именно в дискретном применении. 

Можно сделать импульсный преобразователь, работающий от низкоэнергетичных источников (картофельные батарейки, ТЭГ и т.д.)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

24 минуты назад, arhiv6 сказал:

где он может понадобиться?

Например, раньше такие транзисторы использовали в качестве защитных диодов с низкой утечкой, пару с закороченными истоком и стоком встречно.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Применяют в DC измериловке для низкого уровня шума одновременно с низким входным сопротивлением. Вот например согласованная пара. Ради интереса узнайте на неё цену :)))))

DS_IF3602.pdf

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...