Alt.F4 0 5 февраля, 2022 Опубликовано 5 февраля, 2022 · Жалоба В сети представлены двунаправленные решения на BSS138, однако 1.8В - это почти пороговое напряжение открытия, в даташите на транзистор Vgs ниже 2В даже на графиках не отображают. Есть ли у кого-нибудь опыт использования BSS138 на согласование с 1.8В? И до какой частоты можно использовать без заваливания фронтов?.. P.S. Насколько я понимаю, вместо полевого транзистора можно использовать биполярный транзистор (например DTC123YT со встроенными резисторами), т.к. в таком включении не будет задержек на закрытие транзистора, связанных со временем рассасывания неосновных носителей, фронты будет заваливать только паразитная емкость, которая есть и у полевого транзистора, или я не прав?.. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 5 февраля, 2022 Опубликовано 5 февраля, 2022 · Жалоба 17 минут назад, Alt.F4 сказал: в даташите на транзистор Vgs ниже 2В даже на графиках не отображают. Вам нужно обратить внимание на "ON CHARACTERISTICS (Note 1) Gate−Source Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc) VGS(th) 0.85 − 1.5 Vdc" Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alt.F4 0 5 февраля, 2022 Опубликовано 5 февраля, 2022 · Жалоба Полистал даташиты других производителей, у nexperia: gate-source threshold voltage (ID=250 µA; VDS=VGS;) 0.48-1.1-1.6V 1.6В крайне близко к 1.8В и ток всего 250мкА, поэтому интересует практический опыт использования. Или лучше использовать биполярный транзистор?.. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 199 5 февраля, 2022 Опубликовано 5 февраля, 2022 · Жалоба На голом биполярном будет весьма неторопливо работать, а иначе нужно добавить Шоттки и увеличивать потребление: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alt.F4 0 5 февраля, 2022 Опубликовано 5 февраля, 2022 · Жалоба Plain, а можете в симулятор закинуть BSS138? Что-то у меня в Multisim на полевом транзисторе сильнее завалены фронты, чем на биполярном... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 199 6 февраля, 2022 Опубликовано 6 февраля, 2022 · Жалоба Завал логично пропорционален выходной ёмкости: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alt.F4 0 6 февраля, 2022 Опубликовано 6 февраля, 2022 · Жалоба У меня в симуляции на частоте 200кГц начальные фронты у биполярного выглядят много лучше полевого (моделировал без диода с базы на коллектор)… Надо будет собрать и физически провести измерения. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alt.F4 0 7 февраля, 2022 Опубликовано 7 февраля, 2022 · Жалоба Кстати, судя по всему, диод с базы на коллектор не нужен, т.к. цепь через эмиттер обрывается и транзистор быстро закрывается. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 199 7 февраля, 2022 Опубликовано 7 февраля, 2022 · Жалоба Если бы диод был не нужен, микросхемы ТТЛ в прошлом веке всех бы устраивали, но нет — их тогда же заменили на ТТЛШ. И вообще-то, на картинках 5 МГц, а для 200 кГц можно так: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alt.F4 0 7 февраля, 2022 Опубликовано 7 февраля, 2022 · Жалоба На MMBT3904 (без диода, с диодом хуже) симулятор показывает наилучший результат и получается, что MOSFET, из-за своей емкости, здесь вообще не подходит... В SPICE модели есть комментарий "Diode D1 is dedicated to improve modeling in reverse mode of operation and does not reflect a physical device." - это они диод добавили с эмиттера на базу в модель и теперь она не отражает реального транзистора, зачем это нужно?... MMBT3904.txt Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
rloc 52 7 февраля, 2022 Опубликовано 7 февраля, 2022 · Жалоба 05.02.2022 в 12:38, Alt.F4 сказал: можно использовать биполярный транзистор (например DTC123YT со встроенными резисторами), т.к. в таком включении не будет задержек на закрытие транзистора, связанных со временем рассасывания неосновных носителей Процесс рассасывания неизбежен после насыщения, даже при закорачивании базы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alt.F4 0 7 февраля, 2022 Опубликовано 7 февраля, 2022 · Жалоба rloc, процесс возможно неизбежен, но ведь транзистор закрывается быстро в таком включении с общей базой, в отличии от включения с общим эмиттером Ниже симуляция BC847 и MMBT3904: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 199 7 февраля, 2022 Опубликовано 7 февраля, 2022 · Жалоба В реальности, BC847 и MMBT3904 отличаются лишь названием, а кристаллы вряд ли. И не понятно, чем не устраивают предложенные схемы. Вот ещё одна: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
rloc 52 7 февраля, 2022 Опубликовано 7 февраля, 2022 · Жалоба 2 часа назад, Alt.F4 сказал: транзистор закрывается быстро в таком включении с общей базой, в отличии от включения с общим эмиттером Не вижу общей базы, все выводы плавают. Но дело даже не в этом, насытить биполярный транзистор можно в любом включении и схема выше не исключение. С LTspice слабо знаком, не знаю насколько корректно он умеет симулировать задержку при насыщении, если она вообще фигурирует в модели транзистора. Вы бы написали, зачем нужны сложности с дискретными элементами? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Dikoy 4 8 февраля, 2022 Опубликовано 8 февраля, 2022 · Жалоба А так ли надо транзисторное решение? Есть же много специализированных микросхем и не дорогих. И у максима, и у ади, и у ти. Кроме того, 1,8В достаточно для срабатывания 3,3В входа, а 1,8В часто толерантны к 3.3, в случае токоограничения. Если у вас там не хайспид (судя по транзисторам - нет), то простой резистор последовательно в линии передачи, может, и решит проблему? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться