Перейти к содержанию
    

Согласование логических уровней 1.8В и 3.0В

В сети представлены двунаправленные решения на BSS138, однако 1.8В - это почти пороговое напряжение открытия, в даташите на транзистор Vgs ниже 2В даже на графиках не отображают.

Есть ли у кого-нибудь опыт использования BSS138 на согласование с 1.8В? И до какой частоты можно использовать без заваливания фронтов?..

P.S. Насколько я понимаю, вместо полевого транзистора можно использовать биполярный транзистор (например DTC123YT со встроенными резисторами), т.к. в таком включении не будет задержек на закрытие транзистора, связанных со временем рассасывания неосновных носителей, фронты будет заваливать только паразитная емкость, которая есть и у полевого транзистора, или я не прав?..

Bi-Directional-Level-Shifter-Circuit-2.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

17 минут назад, Alt.F4 сказал:

в даташите на транзистор Vgs ниже 2В даже на графиках не отображают.

Вам нужно обратить внимание на

"ON CHARACTERISTICS (Note 1)
Gate−Source Threshold Voltage
(VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc)
VGS(th) 0.85 − 1.5 Vdc"

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Полистал даташиты других производителей, у nexperia: gate-source threshold voltage (ID=250 µA; VDS=VGS;) 0.48-1.1-1.6V

1.6В крайне близко к 1.8В и ток всего 250мкА, поэтому интересует практический опыт использования.

Или лучше использовать биполярный транзистор?..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

На голом биполярном будет весьма неторопливо работать, а иначе нужно добавить Шоттки и увеличивать потребление:

 

bad-572.gif.912bdce4791fa0b1b3529b887bbe6353.gif

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Plain, а можете в симулятор закинуть BSS138? Что-то у меня в Multisim на полевом транзисторе сильнее завалены фронты, чем на биполярном...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

У меня в симуляции на частоте 200кГц начальные фронты у биполярного выглядят много лучше полевого (моделировал без диода с базы на коллектор)…

Надо будет собрать и физически провести измерения.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Кстати, судя по всему, диод с базы на коллектор не нужен, т.к. цепь через эмиттер обрывается и транзистор быстро закрывается.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если бы диод был не нужен, микросхемы ТТЛ в прошлом веке всех бы устраивали, но нет — их тогда же заменили на ТТЛШ.

 

И вообще-то, на картинках 5 МГц, а для 200 кГц можно так:

 

bad-574.gif.d1390f2855f4ab403b9780ce56f8ebb2.gif

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

На MMBT3904 (без диода, с диодом хуже) симулятор показывает наилучший результат и получается, что MOSFET, из-за своей емкости, здесь вообще не подходит...

В SPICE модели есть комментарий "Diode D1 is dedicated to improve modeling in reverse mode of operation and does not reflect a physical device." - это они диод добавили с эмиттера на базу в модель и теперь она не отражает реального транзистора, зачем это нужно?...

MMBT3904.txt

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

05.02.2022 в 12:38, Alt.F4 сказал:

можно использовать биполярный транзистор (например DTC123YT со встроенными резисторами), т.к. в таком включении не будет задержек на закрытие транзистора, связанных со временем рассасывания неосновных носителей

Процесс рассасывания неизбежен после насыщения, даже при закорачивании базы.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

rloc, процесс возможно неизбежен, но ведь транзистор закрывается быстро в таком включении с общей базой, в отличии от включения с общим эмиттером

Ниже симуляция BC847 и MMBT3904:

2022-02-07_18-42-32.thumb.png.4af1f5235a45dd5af2f0d7f3681da9c1.png 2022-02-07_18-43-11.thumb.png.eb70725c32c7cc9383468132b229b934.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

В реальности, BC847 и MMBT3904 отличаются лишь названием, а кристаллы вряд ли. И не понятно, чем не устраивают предложенные схемы. Вот ещё одна:

 

bad-577.gif.edb1eae33b02ceaaa1ee050cfb2eeb40.gif

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, Alt.F4 сказал:

транзистор закрывается быстро в таком включении с общей базой, в отличии от включения с общим эмиттером

Не вижу общей базы, все выводы плавают. Но дело даже не в этом, насытить биполярный транзистор можно в любом включении и схема выше не исключение. С LTspice слабо знаком, не знаю насколько корректно он умеет симулировать задержку при насыщении, если она вообще фигурирует в модели транзистора.

 

Вы бы написали, зачем нужны сложности с дискретными элементами?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А так ли надо транзисторное решение? Есть же много специализированных микросхем и не дорогих. И у максима, и у ади, и у ти. 

Кроме того, 1,8В достаточно для срабатывания 3,3В входа, а 1,8В часто толерантны к 3.3, в случае токоограничения. Если у вас там не хайспид (судя по транзисторам - нет), то простой резистор последовательно в линии передачи, может, и решит проблему? 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...