[virustek 0]

Привет всем. 

Посоветуйте литературу по расчетам ГУН, желательно с примерами расчета. 

Зачем понадобилось - потребовалось переделать старый ГУН, собранный на bfg540+bb833, работал на частотах 1150...1400 МГц. На новом BFU550+ bb833 диапазон 900...1300 МГц при управляющих напряжениях до 9 вольт. ГУН запускается, но на частотах выше 1200 МГц крутизна падает с 60 до 10...15 и фапч с трудом захватывается. Пытаюсь понять как исправить. Заранее спасибо.

[GenaSPB 11]

Уменьшать емкость монтажа... 

[virustek 0]

Дополню фото топологии. Коллекторный ток 30 мА сейчас, рабочее напряжение базы 4.5 вольта. Обратная связь выполнена топологически- линия ниже с63. В похожей теме, про шумы гун пишут, что для увеличения развязки варикапа, следует ставить последовательно в цепь управления высокомный резистор - 15-30 кОм, сейчас стоит 1 кОм. С утра попробую заменить.

[virustek 0]

 Не меняя элементы контура, поменял bfu550 на bfg540, катушку только поднастроил. Результат - 870...1325 МГц, при напряжениях 0...9 вольт. Получается bfu550 имеет большую паразитную ёмкость базы?

После этого, вернул bfu550: верхняя частота генерации осталась около 1325, ниже 1000 МГц (около 2.5 вольт) происходит срыв генерации.

Есть ли техники это скомпенсировать, или это возможно только подстройкой входной цепи?

 

Изменено 9 ноября, 2021 пользователем virustek

[magnum16 0]

Guillermo Gonzalez, Foundations of Oscillator Circuit Design

Randall W. Rhea, Discrete Oscillator Design: Linear, Nonlinear, Transient, and Noise Domains

Изменено 10 ноября, 2021 пользователем magnum16

[mgrigoryev 0]

On 11/8/2021 at 10:46 PM, virustek said:

Дополню фото топологии. Коллекторный ток 30 мА сейчас, рабочее напряжение базы 4.5 вольта. Обратная связь выполнена топологически- линия ниже с63. В похожей теме, про шумы гун пишут, что для увеличения развязки варикапа, следует ставить последовательно в цепь управления высокомный резистор - 15-30 кОм, сейчас стоит 1 кОм. С утра попробую заменить.

Такая катушка не для широкополосного контура - много потерь и распределенная реактивность. На вскидку у нее индуктивность 20..30 нГн, это слишком много, для ГУН на 1+ ГГц. Кому-то удалось настроить, с конкретным транзистором и это была скорее всего удача. Судя по тому, что видно вся топология не очень правильная - элементы контура разнесены и соединяются тонкими дорожками. Скорее всего эта штука как-то резонировала и перестраивалась на распределенных реактивностях, но что-то поменялось и все перестало работать.