Перейти к содержанию
    

Динамические потери IGBT

Здравствуйте

как рассчитать динамические потери IGBT ?

к примеру если суммарные потери (включения+выключения+на обратном диоде) 100мДж

то потери на частоте ШИМ 10КГц получаем:

P=Fk*E=10КГц*0,1Дж=1000Дж , или за час 3.6МДж или 1КВт*час

 

верно?

 

Pстк=Pпров+Pвкл+Pвыкл= Pпров+(Wвкл+Wвыкл)*Fk,

где Fk — частота переключений СТК;

Pпров — средняя мощность потерь в проводящем состоянии (за период 1/ Fk);

Wвкл и Wвыкл — энергия потерь при включении и выключении СТК.

https://www.compel.ru/lib/54273

Изменено пользователем Igor777

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 5/27/2021 at 3:28 PM, Igor777 said:

верно?

 

если мДж исправить на мкДж и пересчитать, то всё верно.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

18 часов назад, SAVC сказал:

Igor777, потери на переключение лучше всего смотреть в симуляторе.

Добрый

В каком  симуляторе Вы хотите это увидеть?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

13 minutes ago, Александр Мылов said:

Добрый

В каком  симуляторе Вы хотите это увидеть?

Например, в Micro-CAP.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Например, вот так:

287092891_Screenshot-04_07.thumb.png.9a6d97d9fff3d3be97a39ed8877ef727.png

1694083990_Screenshot-09_01.thumb.png.d5de4795fdb6008b08fb9d0f6964914c.png

Жёлтый график - динамические потери.

Нужно ещё посчитать среднее значение, и всё.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ладно, статические потери там тоже есть.

Думаю, если коммутировать ток через транзистор внешним ключом на время открытого состояния, то можно добиться поставленной цели.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

03.07.2021 в 22:10, jartsev сказал:

если мДж исправить на мкДж и пересчитать, то всё верно.

 

Почему в мкДж , если в мДж? 

 

вот к примеру SKM200GB12T4
https://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-datasheet-skm200gb12t4-22892060/

Eon   21 mJ

Eoff   20 mJ

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

У вас с размерностью проблемы. Если частоту умножить на энергию импульса, получится средняя мощность.

On 5/27/2021 at 9:28 AM, Igor777 said:

P=Fk*E=10КГц*0,1Дж=1000Дж , или за час 3.6МДж или 1КВт*час

P = 1000 Вт. а не Дж.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

7 hours ago, Igor777 said:

 

Почему в мкДж , если в мДж?

Тогда да, но при 200 А не надо качать транзистор 10 кГц 600В.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

12 часов назад, jartsev сказал:

при 200 А не надо качать транзистор 10 кГц 600В

А если надо, то использовать топологии с мягким переключением и пр., потому что энергии в паспортах транзисторов и модулей указаны для случая простой схемы с полной жёсткой коммутацией.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

17.08.2021 в 20:48, jartsev сказал:

Тогда да, но при 200 А не надо качать транзистор 10 кГц 600В.

 

Получается расчет вполне верен ?

 

Ну вот, а производитель говорит что можно и 30 кГц  8)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...