[MementoMori 4]

LMR13010A https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmr14010a.pdf?ts=1604161797835&ref_url=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Fstore%2Fti%2Fen%2Fp%2Fproduct%2F%3Fp%3DLMR14010ADDCR

Вот прредлагаемая производителем плата  https://www.ti.com/lit/ug/snvu597/snvu597.pdf?ts=1604161929054&ref_url=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Ftool%2FLMR14010AEVM

Вот моя схема:

 

 

Вот моя топология 

 

 

 

 

 

Смущает что - земля Cin далековато от земли микросхемы. Техасцев, авторов EbalBoard это не беспокоит. Можно ли так делать?  Ну и в целом - не допустил ли я при повторении ошибок?

[Plain 169]

Схема несинхронная, ключ лишь между выв.5 и выв.6, т.е. сильноточное кольцо из него, C41 и D9, а оно разведено достаточно коротко.

[MementoMori 4]

2 minutes ago, Plain said:

а оно разведено достаточно коротко.

Чем чревато?

Как исправить - разнести C41 и D9?

P.S. Ниже этой схемы у меня SDRAM, импульсник к ней никакого отношения не имеет.  Не стоит ли в слое TOP разделить их земли?

[Plain 169]

Наоборот, ничем не чревато, разводка приемлемая. Смысл в том, что общий вывод у таких микросхем фактически слаботочный, поэтому его и прокинули прыжком.

[MementoMori 4]

2 minutes ago, Plain said:

Наоборот, ничем не чревато, разводка приемлемая. Смысл в том, что общий вывод у таких микросхем фактически слаботочный, поэтому его и прокинули прыжком.

Спасибо. Соседство с этим импульсником не навредит SDRAM?

[AlexandrY 3]

7 minutes ago, Plain said:

Наоборот, ничем не чревато, разводка приемлемая. Смысл в том, что общий вывод у таких микросхем фактически слаботочный, поэтому его и прокинули прыжком.

Не считая сильной индуктивной связи меду сегментом в цепи земли микросхемы и цепи диода D9.
Тут уже надо смотреть на толщину слоев. 

[Plain 169]

14 минут назад, MementoMori сказал:

Соседство с этим импульсником не навредит SDRAM?

D9 поднять, чтобы C42 подвинуть к C41, дорожку от L4 к C42 занести под L4, и от R71 к C42 отдельную, а не T, тогда вообще станет хорошо.

[MementoMori 4]

9 minutes ago, Plain said:

D9 поднять, чтобы C42 подвинуть к C41, дорожку от L4 к C42 занести под L4, и

Сделал.

9 minutes ago, Plain said:

и от R71 к C42 отдельную, а не T

Не совсем понял.....

 

 

Где ее провести? Я так понимаю, под индуктивностью нельзя?  В другом слое?

И еще - вывод 6, диод и индуктивность - наверное лучше не полигон, а дорожку? Ну чтоб площадь излучение поменьше была? У меня ток планируется около 0.5 А в пике.

[Plain 169]

28 минут назад, MementoMori сказал:

Не совсем понял

C42 центр звезды, все подключения отдельные:

 

[MementoMori 4]

Спасибо. Ну и индуктивность уменьшу..... я ее взял аж на 1.9 А, великоват запас....

[MementoMori 4]

Господа, правильно ли я рассчитал параметры индуктивности?

 

Мои условия: входное 12-24 вольт, выходное напряжение 5 вольт, выходной ток - минимум 0.1 А, максимум 0.5 А.

Считаем Lo min =   (24V-5V) / (0.5 А * 30%) * 5V/ (24 V* 700 000 Hz) =0,0000376 H или 37,6 uH

Iripple = 24V*(24V-5V)/(24V*0,0000376 H*700 000 Hz) = 0.15 A

I L-RMS = sqrt(0.5A*0.5A+1/12*0.15A*0.15A) =0.501A 

I L-peak = 0.5A+0.501A/2= 0.75 А.

 

 

Индуктивность выбрал на 0.8 А  https://lcsc.com/product-detail/Others_Viking-Tech-PCD0504MT390_C324334.html

[Plain 169]

37,6 мкГн + 20% = 45 мкГн, и в той же главе паспорта предупреждение, что с таким дросселем при КЗ схема будет уходить в защиту от перегрева.

[MementoMori 4]

Вы так пишете, будто уход в защиту это плохо?

С таким - вы имеете в виду, что для того, чтобы защита включалась, надо 45 мкГн?

[MementoMori 4]

ПИковый ток с каким запасом брать?

[Plain 169]

У дросселей типовой разброс 20%, поэтому ближайший к 37 мкГн не 39 мкГн, а 47 мкГн.

 

В главе паспорта про расчёт дросселя говорится, что если Вы ставите жабоудушенный, на ток меньше 1,5 А порога защиты, то при КЗ микросхема будет перегреваться сама, а также перегреть и такой дроссель.