[gte 6]

В 23.04.2020 в 22:05, iiv сказал:

интересуюсь схемой двухполярного источника напряжения в диапазоне примерно от -5КВ до +5КВ, чтобы по внешнему, например, аналоговому сигналу (-5В до +5В) получать напряжение в 1000 раз больше. Точность выходного в с погрешностью 5% устроит.

9 часов назад, iiv сказал:

А как в Вашей схеме работать в районе 0В, то есть в моем варианте включаешь оба на маленькую мощность и имеешь любое напряжение близкое к нулю, а Вашем случае из-за гирлянды стабилитронов может возникнуть область напряжений в районе нуля, которые нельзя получить.

 

Вы точность установки выходного напряжения  5%  от каких значений указываете, от установленных в диапазоне 0В -  5 кВ ?

[iiv 29]

Про точность - у меня будет несколько источников и мне надо гарантировать между их выходами полярность, а по величине разности где-то 20% меня устроит.

[Plain 223]

В 25.04.2020 в 22:33, yamantau сказал:

на H-мостах

Это мосты, т.е. трёхуровневые секции, а на полумостах — двухуровневые, т.е. с двуполярным питанием.

 

Если второй случай, то чтобы не мотать под микроскопом — например, на большого сечения магнитопровод намотать один виток ленты первички, затем два слоя изоляции и на них насадить печатных обмоток с секциями многоуровневого преобразователя — если ETD59 и 24 В 100 кГц, то в окно после отступов влезет: 5000 В / 230 В = 22 секции, по 1,6 мм ДПП на секцию на STR1550+STR2550, по 5 витков вторички на 2-х сторонах и 1 виток вспомогательного питания ±2,4 В, изоляторы — например, Si8610, т.е. можно делать как однобитную, переключая транзисторы, так и многобитную секцию, передавая через изолятор ШИМ и преобразовывая его посредством ОУ в биполярное напряжение.

[yamantau 15]

6 минут назад, Plain сказал:

Это мосты, т.е. трёхуровневые секции, а на полумостах — двухуровневые, т.е. с двуполярным питанием.

 

Если второй случай, то чтобы не мотать под микроскопом — например, на большого сечения магнитопровод намотать один виток ленты первички, затем два слоя изоляции и на них насадить печатных обмоток с секциями многоуровневого преобразователя — если ETD59 и 24 В 100 кГц, то в окно после отступов влезет: 5000 В / 230 В = 22 секции, по 1,6 мм ДПП на секцию на STR1550+STR2550, по 5 витков вторички на 2-х сторонах и 1 виток вспомогательного питания ±2,4 В, изоляторы — например, Si8610, т.е. можно делать как однобитную, переключая транзисторы, так и многобитную секцию, передавая через изолятор ШИМ и преобразовывая его посредством ОУ в биполярное напряжение.

Не могу представить как каскадировать полумосты.

[gte 6]

14 минут назад, yamantau сказал:

Не могу представить как каскадировать полумосты. 

Цитата

на полумостах — двухуровневые, т.е. с двуполярным питанием.

Два источника и два ключа.

 

[yamantau 15]

10 минут назад, gte сказал:

Два источника и два ключа.

 

Выходную схему с двуполярным питанием я представляю, интересует комбинация например 3-х подобных каскадов.

[Plain 223]

Двухполюсник — общий транзисторов и общий питания.

[yamantau 15]

14 минут назад, Plain сказал:

Двухполюсник — общий транзисторов и общий питания.

Теперь понял. На мой взгляд такая схема лишена возможности модуляции многоуровневой ШИМ, т.к. нет третьего вектора состояния каскадов.

[Plain 223]

Что за модуляция? Потому что схема выдаёт ±5 кВ с шагом 460 В, если управление дискретное, либо например с шагом 1 В, если аналоговое.

Изменено 27 апреля, 2020 пользователем Plain

[yamantau 15]

3 минуты назад, Plain сказал:

Что за модуляция? Потому что схема выдаёт ±5 кВ с шагом 460 В, если управление дискретное, либо например с шагом 1 В, если аналоговое.

 

Вы хоть схему набросьте, может мы про разные вещи говорим))

Если я правильно понимаю, в Вашей схеме каждый каскад на выходе выдает +(1/2 Uпит) и -(1/2 Uпит), третьего вектора (шунтирования каскада) нет. Получается n-каскадов должны включаться одновременно. Правильно?

[Plain 223]

11 секций на –230 В и 11 секций на +230 В — это ноль на выходе схемы. Далее у Вас есть возможность дойти либо до +5 кВ, либо до –5 кВ, ступенями по 460 В, если эти секции цифровые, либо ступенями например по 1 В, если они аналоговые.

 

Либо, если Вам требуется создать на выходе схемы некий сильно прямоугольный сигнал, она естественно позволяет переключить N произвольных каскадов одновременно.

[iiv 29]

Спасибо большое! Да, похоже с кучей секций на одной ETD59 - оно наиболее надежно будет. ИМХО, если каждая секция полным мостом управляться будет, то тогда каждую секцию можно и в + и в - включать, тогда секций меньше будет и на одну ETD59 все влезет. Еще, чтобы ШИМом внутри секции не заморачиваться, можно на секциях иметь слегка различные напряжения, и, тогда цифровой регуляцией можно будет достичь точности примерно равной напряжению на одном витке.

[gte 6]

Одновременно решится еще одна проблема - не надо будет сильно нагружать общий выход для того, что бы обеспечить спадание напряжение по нужному закону.

[iiv 29]

1 hour ago, gte said:

Одновременно решится еще одна проблема - не надо будет сильно нагружать общий выход для того, что бы обеспечить спадание напряжение по нужному закону.

да! Я уже до этого каскод развел на шести мосфетах по киловольту в каждом...

 

Ой, а можно еще в догонку, опять почти как plain выше писал (спасибо огромное!!!), но чтоб убедиться, что я правильно понимаю.

 

Скажите, пожалуйста, правильно ли я понимаю, что если я каждую секцию (это которые по 450В примерно) сделаю в виде как я на схеме нарисовал, то все 4 мосфета мало того, что только N-mosfet будут, но и их управление можно от одного и того же вспомогательного источника питания сделать?

 

[Plain 223]

3 часа назад, iiv сказал:

как я на схеме нарисовал, то

Правые транзисторы закорачивают источники.

 

 

На L1 (1 виток ленты на ETD59) подаётся 24 В 100 кГц (стандартный БП и мост, т.е. V1 и C1 условность), L2 условность (индуктивность рассеяния), R2 и R3 защита персонала, L3 и L4 печатные обмотки 10 и 1 вит., на R4 подаётся логический сигнал с изолятора, запитанного от aux+ и aux-, I1 и I2 условность (симулируют потребление схемы управления), s1 и s2 — выводы узла (контакты секции), т.е. общий провод условность (нужно для симуляции).

 

 

Это вариант добавки, делающей вышеописанную (т.е. взмен R4, а V1, V2, V5 и V6 симулируют aux и pwr соответственно) дискретную секцию аналоговой. V3, V4, B1 и B2 симулируют кодирование синуса 10 кГц в ШИМ 10 МГц с модуляцией 50%, передачу его через изолятор и создание парафазных сигналов, которыми в точке IN сигнал декодирован в синус амлитудой 1 В, далее следует типовой усилитель на любом подходящем ОУ, ступеньку как таковую даёт класс B усилителя, но сильно её увеличивает корректирующий элемент C3, который пропорционален ёмкости нагрузки, которая для симуляции выбрана настолько большой. Для привязки выходного напряжения схемы к эталону, надо создать ИОН ±1,24 В (пара шунтовых стабилизаторов TLV431 и т.п.), напряжения которого переключать сигналом изолятора посредством пары любых подходящих аналоговых ключей (74LVC1G3157 и т.п.).