[SAVC 0]

On 5/8/2019 at 1:51 PM, wim said:

 

thickman, скажите, мой недонасыщенный транзистор и ваш вывод транзистора в активную область перед выключением, это случайно не одно и тоже?

[крупный радиолюбитель 1]

Если у Вас транзистор тоже крепко насыщен на всем этапе проводящего состояния, но выходит из насыщения лишь перед тем моментом, когда начинается этап активного запирания - значит мы с Вами придерживаемся одного правила. Но этот метод не мой, он давно известен.   

[SAVC 0]

У меня он в активной области всё время работы схемы.

[крупный радиолюбитель 1]

 Таки в активной? Иногда считают, что раз напряжение на коллекторном переходе больше Вольта, значит всё, нет насыщения. Это ошибка, у высоковольтного транзистора довольно большое сопротивление коллекторной области даже при прямом смещении перехода. Приводил же картинки. Вы же не можете в своей схеме контролировать напряжение чиста перехода, а падение напряжения на коллекторной области при токах уже в несколько Ампер сводит на нет все потуги, независимо от того, сколько у Вас там в схеме скоростных операционников. Не верите, - попробуйте в железе. При фиксированном напряжении на коллекторе (типа ненасыщен транзистор, целый же Вольт на нём, ага) -  всё равно с ростом тока коллектора будет вдруг появляться и разрастаться этап  рассасывания, соответственно, и время спада Ik при выключении тоже будет затягиваться с ростом тока.

Изменено 24 июня, 2019 пользователем thickman

[SAVC 0]

Но, вы же не будете отрицать того, что выведение транзистора из насыщения, даже частичное, уменьшает заряд в базе?

[крупный радиолюбитель 1]

 Не буду отрицать. Если увеличение статических потерь раза в два-три не актуально, тогда нет проблем. Например, для маломощных преобразователей. Но я лично без особого энтузиазма представляю себе горсть скоростных операционников с ТОС в, например, зарядном для смартфона.

 

Изменено 1 июля, 2019 пользователем thickman

[SAVC 0]

Дело в том, что речь идёт об уменьшении, а не об увеличении статических потерь. Если для IGBT падение напряжения составляет 2-3В, то для BJT в моей схеме это 0,3-0,5В

[крупный радиолюбитель 1]

Оставьте эти виртуальные фантазии. Было дело, я проверял в железе самолично на хороших и довольно дорогих транзисторах, BUX348 например. Остаточное напряжение на высоковольтном биполяре в пределах 0.3-0.5V  - это на серьёзном токе (несерьёзное зарядное для смартафона или планшета оставим в  покое) -  глубоко насыщенный режим, со всеми вытекающими. При сколь-нибудь приличных токах, когда уже применение IGBT становится актуальным, такой метод "как бы недонасыщения" признан неэффективным, уже много лет назад.

[SAVC 0]

26 minutes ago, thickman said:

BUX348 например. 

Как насчёт FJL6920?

[Herz 4]

3 hours ago, SAVC said:

Как насчёт FJL6920?

А вместо какого именно IGBT?

[SAVC 0]

Ну, например, четыре таких транзистора, вместо IKW40N120. Или лучше APT40GP90, IGBT на сравнимое напряжение - 900В.

[Plain 168]

В 06.05.2019 в 13:51, alexunder сказал:

должен проигрывать кремниевым биполярам по цене

Может знаете, почему не делают IGBT со структурой NPN и комплементарной парой NMOS-PMOS, т.е. замыкающей КБ и ЭБ соответственно? В один техпроцесс вроде всё влезает.

[Herz 4]

3 hours ago, Plain said:

Может знаете, почему не делают IGBT со структурой NPN и комплементарной парой NMOS-PMOS, т.е. замыкающей КБ и ЭБ соответственно? В один техпроцесс вроде всё влезает.

А что будет с переходом ЭБ при замыкании КБ?

[Plain 168]

Затворы соединены, истоки соединены и подключены к базе, стоки к коллектору и эмиттеру — следовательно, одним двуполярным сигналом база переключается между коллектором и эмиттером.

[крупный радиолюбитель 1]

1 hour ago, Herz said:

А что будет с переходом ЭБ при замыкании КБ?

https://www.power-e.ru/2010_5_24.php - именно так и работал "побистор", поле-биполярный ключ с автоматическим ограничением насыщения. Не понятно, почему структура IGBT развивается исключительно в том направлении, которое было предложено айаровцами в 1985 году, спустя семь лет после появления побистора.