SAVC 0 21 июня, 2019 Опубликовано 21 июня, 2019 · Жалоба On 5/8/2019 at 1:51 PM, wim said: thickman, скажите, мой недонасыщенный транзистор и ваш вывод транзистора в активную область перед выключением, это случайно не одно и тоже? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 24 июня, 2019 Опубликовано 24 июня, 2019 · Жалоба Если у Вас транзистор тоже крепко насыщен на всем этапе проводящего состояния, но выходит из насыщения лишь перед тем моментом, когда начинается этап активного запирания - значит мы с Вами придерживаемся одного правила. Но этот метод не мой, он давно известен. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 24 июня, 2019 Опубликовано 24 июня, 2019 · Жалоба У меня он в активной области всё время работы схемы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 24 июня, 2019 Опубликовано 24 июня, 2019 (изменено) · Жалоба Таки в активной? Иногда считают, что раз напряжение на коллекторном переходе больше Вольта, значит всё, нет насыщения. Это ошибка, у высоковольтного транзистора довольно большое сопротивление коллекторной области даже при прямом смещении перехода. Приводил же картинки. Вы же не можете в своей схеме контролировать напряжение чиста перехода, а падение напряжения на коллекторной области при токах уже в несколько Ампер сводит на нет все потуги, независимо от того, сколько у Вас там в схеме скоростных операционников. Не верите, - попробуйте в железе. При фиксированном напряжении на коллекторе (типа ненасыщен транзистор, целый же Вольт на нём, ага) - всё равно с ростом тока коллектора будет вдруг появляться и разрастаться этап рассасывания, соответственно, и время спада Ik при выключении тоже будет затягиваться с ростом тока. Изменено 24 июня, 2019 пользователем thickman Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 29 июня, 2019 Опубликовано 29 июня, 2019 · Жалоба Но, вы же не будете отрицать того, что выведение транзистора из насыщения, даже частичное, уменьшает заряд в базе? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 1 июля, 2019 Опубликовано 1 июля, 2019 (изменено) · Жалоба Не буду отрицать. Если увеличение статических потерь раза в два-три не актуально, тогда нет проблем. Например, для маломощных преобразователей. Но я лично без особого энтузиазма представляю себе горсть скоростных операционников с ТОС в, например, зарядном для смартфона. Изменено 1 июля, 2019 пользователем thickman Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 1 июля, 2019 Опубликовано 1 июля, 2019 · Жалоба Дело в том, что речь идёт об уменьшении, а не об увеличении статических потерь. Если для IGBT падение напряжения составляет 2-3В, то для BJT в моей схеме это 0,3-0,5В Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 1 июля, 2019 Опубликовано 1 июля, 2019 · Жалоба Оставьте эти виртуальные фантазии. Было дело, я проверял в железе самолично на хороших и довольно дорогих транзисторах, BUX348 например. Остаточное напряжение на высоковольтном биполяре в пределах 0.3-0.5V - это на серьёзном токе (несерьёзное зарядное для смартафона или планшета оставим в покое) - глубоко насыщенный режим, со всеми вытекающими. При сколь-нибудь приличных токах, когда уже применение IGBT становится актуальным, такой метод "как бы недонасыщения" признан неэффективным, уже много лет назад. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 1 июля, 2019 Опубликовано 1 июля, 2019 · Жалоба 26 minutes ago, thickman said: BUX348 например. Как насчёт FJL6920? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 1 июля, 2019 Опубликовано 1 июля, 2019 · Жалоба 3 hours ago, SAVC said: Как насчёт FJL6920? А вместо какого именно IGBT? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 1 июля, 2019 Опубликовано 1 июля, 2019 · Жалоба Ну, например, четыре таких транзистора, вместо IKW40N120. Или лучше APT40GP90, IGBT на сравнимое напряжение - 900В. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 2 июля, 2019 Опубликовано 2 июля, 2019 · Жалоба В 06.05.2019 в 13:51, alexunder сказал: должен проигрывать кремниевым биполярам по цене Может знаете, почему не делают IGBT со структурой NPN и комплементарной парой NMOS-PMOS, т.е. замыкающей КБ и ЭБ соответственно? В один техпроцесс вроде всё влезает. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 2 июля, 2019 Опубликовано 2 июля, 2019 · Жалоба 3 hours ago, Plain said: Может знаете, почему не делают IGBT со структурой NPN и комплементарной парой NMOS-PMOS, т.е. замыкающей КБ и ЭБ соответственно? В один техпроцесс вроде всё влезает. А что будет с переходом ЭБ при замыкании КБ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 2 июля, 2019 Опубликовано 2 июля, 2019 · Жалоба Затворы соединены, истоки соединены и подключены к базе, стоки к коллектору и эмиттеру — следовательно, одним двуполярным сигналом база переключается между коллектором и эмиттером. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 2 июля, 2019 Опубликовано 2 июля, 2019 · Жалоба 1 hour ago, Herz said: А что будет с переходом ЭБ при замыкании КБ? https://www.power-e.ru/2010_5_24.php - именно так и работал "побистор", поле-биполярный ключ с автоматическим ограничением насыщения. Не понятно, почему структура IGBT развивается исключительно в том направлении, которое было предложено айаровцами в 1985 году, спустя семь лет после появления побистора. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться