[shunix 0]

еще как то странно конденсаторы ддр3 стоят, мне глез режет, это имхо, я привых ставить суммарно 6шт вдол длинной стороны, соосно чипу. у микрона на эту тему аппликуха есть.

 

Спасибо

 

После замены с 0603 на 0402 это действительно напрашивается)

 

[Uree 1]

Да ничего подобного- в расчете кростолка наибольший вклад дает в т.ч. rise time и расстояние до опоры. Разделение же по ширине трасс это rule of thumb из дремучих времен.

 

Вы помнится упоминали что с приборами интела работаете- посмотрите у них бумаги, там хорошее объяснение присутствует. А вот насчет коэффициента хотелось бы подробнее послушать.

 

Все так, и с расстоянием до опоры тоже. Просто меняя это расстояние придется менять и ширину трассы, чтобы сохранить нужный импеданс - чем выше до опоры, тем шире трасса. Вот об их соотношении я и написал, но ошибся. Зависимость есть, но оно зависит от многих факторов, и с изменением высоты до опоры ширина меняется, но не совсем линейно и конечно не с соотношением 1:1.8, как написал выше(это был частный случай). Так что комментарий снят, был не прав.

[ClayMan 0]

Наиболее правильно отделять не в единицах ширины трассы, а в расстоянии до следующего опорного слоя

Плюсую. Раз уж зашел разговор :) Для 50-Омных линий у Богатина есть следующее правило:

To keep the near-end noise below 5% for worst-case coupling in a bus, separations should be at least two times the line width.

Кроме того:

There's no far-end crosstalk in striplines

Так что в рассматриваемой конфигурации, когда вся трассировка по сути выполнена на внутренних слоях, для минимальных зазоров вполне можно использовать правило 2W. Но если место позволяет, то можно и больше конечно.

 

[EvilWrecker 0]

To keep the near-end noise below 5% for worst-case coupling in a bus, separations should be at least two times the line width.

Если я хорошо помню ту бумажку(примерно такой аналог) там даже есть рисунки на которых видно как при разделении трасс на величины ширины дорог ожидаемо снижается расстояние до опоры. Но вообще разговор вроде шел за то чтобы адекватно использовать внешние слои, т.е. делать микрострипы которые как раз подвержены FEXT. Если я что пропустил то безусловно приношу извинения :laughing:, но вроде в предыдущих постах до показанной геометрии трасс и меандров нигде не докопался, а даже сказал что они вполне себе. Дело естественно в том, к чему конкретно применяется то самое правило.

There's no far-end crosstalk in striplines

Ну, с этим никто не спорит :laughing: - но тут опять будет показательный момент с расстоянием до опоры: она же не существует в вакууме.

 

Я почему упомянул про дремучесть правила в разделении по ширинам трассы: немало "гайдов" применяют это дело к микрострипам. А там как раз надо на расстояние до опоры смотреть.

 

Ну и интол не зря упомянут- даже в открытом доступе есть вполне годные бумаги, в закрытом еще больше.

 

 

[ClayMan 0]

Если я хорошо помню ту бумажку(примерно такой аналог)

Открыл посмотреть, в самом начале встретил вот такую фразу "In high-speed serial links operating above 10 Gbps, losses are the dominant factor influencing

interconnect design. No matter how low the loss in the dielectric, conductor loss dominates the attenuation". Либо я чего-то не понял, либо тут автор что-то напутал, т.к. в его же книге (и не только в ней) вполне справедливо утверждается обратное и даже есть такой график

 

 

[EvilWrecker 0]

Либо я чего-то не понял

Тут видимо имеется некоторый language barrier, давайте по порядку:

 

- в 10+G скоростях колхозный фр4 не кладут(нормальные люди), а кладут вестимо материалы с низкими потерями. В тоже самое время, потери есть- например от шероховатости фольги, или в дизайне пара с сильной связью в которой распределение токов идет к тонким краям между плечами, а не по "широкой" стороне. Где-то апликуха была, вспомню- приложу: наглядные картинки присутствовали.

 

- Богатин подчеркивает в начале предложения

No matter how low the loss in the dielectric

т.е. говоря проще, проблему с потерями в диэлектрике в описываемом примере уже зарешали и к ней в данном случае не возваращаются, т.к. они незначительны на фоне остального.

 

- в тоже самое время в другом примере с другой задачей который вы привели, где как раз сигнал гоняется по фр4 он собственно и показывает, что как бы кто не изошрялся а проблемы с потерями в диэлектрике на тех частотах не зарулить никак, нужна замена на high-performance materials.

 

Достаточно грубое объяснение, но думаю понятно что противоречий нет.

[ClayMan 0]

проблему с потерями в диэлектрике в описываемом примере уже зарешали

Да, похоже это и имелось ввиду

[EvilWrecker 0]

Именно- противоречие было бы если он написал в начале того предложения вместо

No matter how low the loss in the dielectric

вот это

No matter how high the loss in the dielectric

в контексте оглядки на не диэлектрические потери. А так просто разные примеры, из разных миров :laughing:

[EvilWrecker 0]

Где-то апликуха была, вспомню- приложу: наглядные картинки присутствовали.

 

[shunix 0]

Добрый день. Ещё возник вопрос.

Я когда оттрасировал все адреса, не предусмотрел место под переходные для кондёров на землю и питание. А потом ещё вдобавок уменьшил кондёры и резисторы ии сдивнул ближе к ДДР. (см приложение 1)

Теперь при всем желании переходным напрямую я не могу их соединить. Если я сделаю вот такие полигоны в слое BOT (см приложение 2) чтобы подключить землю и питание, это как-то ухудшит работу памяти?

[Uree 1]

Сам полигон VTT может таким быть, а вот отсутствие переходных на землю близко к конденсаторам VTT... можно сказать, что этих конденсаторов там практически нет.

На работе шины это скажется, конечно, но не фатально.

[EvilWrecker 0]

Некоторое время назад я добровольно вызвался показать пример на основе проекта тс- в контексте выравнивания не аккордеонами, с условием выкладывания в эту тему результата. В связи с этим представляю результаты на суд общественности, но перед этим несколько важных моментов:

 

- оглядываясь на ведение проекта(мне достался именно кусок со спартаном и ддр3 в формате аллегро), есть подозрение что не был настроен свапинг как таковой в самом сапр, т.е. процесс идет перестановкой нетлейблов. Могу ошибаться, но ни свап ни правила у меня в 17.2 не заработали .

 

- помимо этого, в оригинальном проекте используются сильно зарезанные пады у бга, например для ддр3 пады стоят 0.3мм.

 

- есть ряд сомнений касаемо расчетов импеданса и пр, т.к. в проекте используется FR4 c Dk=4.

 

В связи с этим в моем крайне скромном примере(больше пиво пил чем старался :laughing: ) соблюдены следующие условия:

 

- заимпортировал все в альтиум, т.к. под рукой был и он и библиотеки компонентов

- геометрия трасс взята с оригинального проекта, включая трассы толщиной 0.15мм

- зазор взят по расстоянию между фанаутами от внешних слоев(видно на скриншотах), т.е. более 2х толщин.

- фанауты специально не объединялись и не оттягивались от корпуса

- чтобы равномерно «нарастить мясо» было взято практически то же самое расстояние как и в оригинале, разница буквально пара мм. Для большей разницы в матчгруппе сделан сдвиг планки вбок.

- заложены «острова» под конденсаторы на боттоме со стороны байтлейнов

- пады ддр3 сделаны 0.43мм

- точность выравнивания взята сильно больше чем надо(все подведено под 25мм ровно)

- использовались только trombone, switchback, back-jog и bump. Аккордеоны а с ними и альтиумовский interactive length tuning не использовались, т.е. выравнивание «нарисовано».

 

Что имел намерение показать на этом примере(в основном сугубо для ТС):

 

- возможность развести все тромбонами и свичбэками

- возможность развести байтлейны на внешних слоях

- возможность сделать выравнивание существенно компактнее, в частности без заездов в зону адресом и управления

 

Думаю что хорошо заметно, что выравнивание легко переживет сдвиг вниз ддр3, т.к. основные наросты вертикальные. Поскольку под адреса есть 4 пустых слоя на разводку, отдельно обсуждать их не вижу смысла .

 

[shunix 0]

EvilWrecker, спасибо за наглядный пример по тромбонам.

 

- оглядываясь на ведение проекта(мне достался именно кусок со спартаном и ддр3 в формате аллегро), есть подозрение что не был настроен свапинг как таковой в самом сапр, т.е. процесс идет перестановкой нетлейблов.

Так и есть

- помимо этого, в оригинальном проекте используются сильно зарезанные пады у бга, например для ддр3 пады стоят 0.3мм.

Это всё обсуждалось со специалистом, который монтирует бга в ИК печке, он рекомендовал пользоваться формулой 2/3*Dшара. Чем это чревато?

- есть ряд сомнений касаемо расчетов импеданса и пр, т.к. в проекте используется FR4 c Dk=4.

Я писал технологам PCBtech, мне выслали табличку с толщинами ядер, препрегов и их Dk, но заверили что всё это ориентировочно и актуально только для конкретного завода. И сколько там ядер и препрегов и каких именно положат китайцы только им известно. Поэтому да, я взял среднюю Dk=4. Если взять Dk=4.2 например, то импеданс изменится для внутреннего слоя на целых 3 Ома, это если считать в Polar. А если вбить все те же параметры в Сатурн, то он выдаст импеданс +-4 Ома от того что вышло в Polar.

 

В связи с этим в моем крайне скромном примере(больше пиво пил чем старался laughing.gif ) соблюдены следующие условия:

- геометрия трасс взята с оригинального проекта, включая трассы толщиной 0.15мм

В Top/Bottom у меня 0.15, а на внутренних -0.11мм

 

Думаю что хорошо заметно, что выравнивание легко переживет сдвиг вниз ддр3, т.к. основные наросты вертикальные. Поскольку под адреса есть 4 пустых слоя на разводку, отдельно обсуждать их не вижу смысла biggrin.gif.

Это всё хорошо, но разговор был изначально про то, что мои адреса можно сократить в два раза:

В вашем дизайне спартан встает прекрасно байтлейнами на внешних слоях и частью адресов/команд там же, трассами гораздо короче 60мм(до 2х)....

А вы сократили байты с 32мм, до 25мм. При том что придвинули DDR ближе к Спартану

[EvilWrecker 0]

Так и есть

Ну это вы зря- не лень каждый раз заново нетлист подгружать?

Это всё обсуждалось со специалистом, который монтирует бга в ИК печке, он рекомендовал пользоваться формулой 2/3*Dшара. Чем это чревато?

Не знаю что это за специалист такой и что у него за формулы, но в случае со скриншота считалось по IPC- при этмо вышло даже чуть больше чем у самого микрона(у него 0.42мм). Самый минимум который использовал в своих дизайнах это 0.4мм- что касается рисков, то они такие же как и в любом другом случае непомерного вырезания падов.

Поэтому да, я взял среднюю Dk=4. Если взять Dk=4.2 например, то импеданс изменится для внутреннего слоя на целых 3 Ома, это если считать в Polar. А если вбить все те же параметры в Сатурн, то он выдаст импеданс +-4 Ома от того что вышло в Polar.

Если отойти от комментирования по числу 4 и то как вы усредняете(а то меня может занести), то тут ради интереса можно спросить у них же цифры для диффпар и одиночных трасс под нужный импеданс- для стека, который вам показывали. Ну и сравнить потом со своими числами.

В Top/Bottom у меня 0.15

Ну так в приложенном примере и сделано на топе и боттоме- а если бы еще маски лежали удачнее в самом спартане, то и оба можно было бы воткнуть на топе.

Это всё хорошо, но разговор был изначально про то, что мои адреса можно сократить в два раза:

Разумеется- и для того чтобы это сделать нужно выделить под них место: в частности сделать так чтобы байтлейны не "раздувало" и они не подпирали бы адреса с командами. У вас таргет на них идет на расстояние половины планки сбоку от ддр3, хотя все должно практически полностью умещаться между ней и спартаном. В случае приведенного примера как раз освобождено полностью все то место которое вы потратили на выравнивание, еще и остается на внешних слоях.

[shunix 0]

Ну это вы зря- не лень каждый раз заново нетлист подгружать?

На тот момент не разобрался как потом передавать изменения назад в схему.

 

 

Ну так в приложенном примере и сделано на топе и боттоме- а если бы еще маски лежали удачнее в самом спартане, то и оба можно было бы воткнуть на топе.

Да, не заметил что это топ

 

 

Спасибо