evgen740102 1 17 апреля, 2017 Опубликовано 17 апреля, 2017 (изменено) · Жалоба Наша компания является производителем микросхем оперативной памяти SRAM. Предлагаем рассмотреть наши микросхемы для применения в новых изделиях. GSI Technology - производитель микросхем статической памяти без собственных фабрик (fabless), компания основана в 1995г., специализируется на изготовлении только высокопроизводительной операционной памяти. Для производства микросхем мы пользуемся услугами фабрик TSMC, Тайвань (40нм/65нм/90нм) и PTC, Индия (72нм, только семейство LLDRAM). Подробный каталог продукции находится по ссылке. Линейка продуктов: SRAM - выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с максимальной емкостью 288 Мбит. Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке; Low Latency DRAM - построена по более сложной архитектуре, чем обычная DRAM с адресацией, как у SRAM. Время доступа tRC=15 нс. Микросхемы выпускаются объемом 288 Мбит и 576 Мбит. LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron; Bandwidth Engine 2 - выполнена по технологи 1T-SRAM, состоит из 4 секций по 256 DRAM банков, интерфейс 16 линий SerDes со скоростью до 12,5 Гбит/с, время доступа tRC=3,2 нс. В серийном производстве память объемом 576 Мбит. В первой половине 2017 появиться образцы BE-3 объемом 1.1 Гбит. Преимущества: Серия Military & Aerospace -55°C...+125°C; Ни одна из микросхем не попадает под экспортные ограничения США и Европы; Ко всем микросхемам бесплатно предоставляется сконфигурированный под задачу конечного пользователя IP-контроллер инициализации памяти в ПЛИС производства Xilinx или Altera (этого не предлагает ни один другой производитель SRAM), пример электрической схемы и топологии печатной платы, полная техническая документация, программные модели (BSDL, IBIS) и техническая поддержка производителя; non Pb-free корпус (с содержанием свинца); Бесплатные образцы; Гибкость минимального количества для заказа микросхем; Заказ микросхем из одной партии; Наличие в линейке продукции аналогов микросхем статической памяти других производителей: Cypress, ISSI, Renesas, Micron, IDT, Alliance Memory. Ссылка на подбор аналогов на сайте GSI: http://www.gsitechnology.com/cross-reference Если у Вас возникнут встречные вопросы, я постараюсь дать на них содержательные ответы. -- С уважением, Евгений Павлюкович Представительство GSI Technology BY mob. +375 (29) 520-04-18 y.pauliukovich(at)yandex.ru Изменено 17 апреля, 2017 пользователем Evgeniy740102 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zombi 0 2 мая, 2017 Опубликовано 2 мая, 2017 · Жалоба При выборе любого фильтра любого продукта в центре страницы появляются две вращающиеся стрелочки и все зависает! Почему у меня это происходит? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
evgen740102 1 11 мая, 2017 Опубликовано 11 мая, 2017 · Жалоба При выборе любого фильтра любого продукта в центре страницы появляются две вращающиеся стрелочки и все зависает! Почему у меня это происходит? Спасибо! Уже починили, проверяйте. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
zombi 0 11 мая, 2017 Опубликовано 11 мая, 2017 · Жалоба Спасибо! Уже починили, проверяйте. Теперь работает нормально! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
evgen740102 1 18 июня, 2018 Опубликовано 18 июня, 2018 · Жалоба Полезные ссылки: О компании GSI Technology с подробной картой продуктов (рус., pdf) Интервью представителя GSI Technology о развитии рынка и его особенностях в РФ (рус., pdf) Каталог продукции. Общий (анг., pdf) Каталог продукции. Высоконадежные микросхемы (анг., pdf) Сравнительная таблица производительности SRAM (рус., pdf) Статья. Семейство NBT (рус., pdf) Статья. Семейство SQ-II и SQ-II+ (рус., pdf) Статья. Семейство SQ-III и SQ-IV (рус., pdf) Статья. Семейство LLDRAM-II (рус., pdf) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
evgen740102 1 12 июня, 2019 Опубликовано 12 июня, 2019 (изменено) · Жалоба GSI Technology специализируется на изготовлении только высокопроизводительной памяти и благодаря техническому превосходству, короткому периоду производства и длительному сроку жизни микросхем считается лидером рынка. Семейства микросхем:SigmaQuad-IV на сегодняшний день является самой производительной ОЗУ памятью на рынке. Благодаря большому объему данных 144 Мбит и высокой частоте тактирования до 1333 МГц они широко применяется для задач накопления статистики и в качестве быстрых буферов в телекоммуникационном и сетевом оборудовании, а также для построения изображения в реальном времени. SigmaQuad-III с точки зрения производительности занимает промежуточное положение между SigmaQuad-IV и SigmaQuad-II+. Максимальная скорость доступа к случайной ячейке во всем адресном пространстве составляет 1,6 млрд. транзакций в секунду, а полоса пропускания до 115 Гбит/с.Статья. Семейство SQ-III и SQ-IV (рус., pdf) SigmaQuad-II+ является оптимальным выбором для задач транспонирования, построения быстрых буферов и таблиц в радиолокационных модулях и вычислителях различного назначения. Благодаря отлаженному IP-контроллеру производства GSI Technology микросхемы поддерживают скорость доступа до 1 млрд. транзакций в секунду и полосу пропускания до 91 Гбит/c. Микросхемы SigmaQuad-II+ полностью взаимозаменяемые (корпус, расположение выводов, программное обеспечение) с микросхемами QDR-II+ других производителей.Статья. Семейство SQ-II и SQ-II+ (рус., pdf) NBT и SyncBurst стали первыми микросхемами синхронной SRAM памяти, у которых исключен «мертвый» такт на переключение между операциями чтения и записи. Микросхемы работают в режимах Pipeline и Flow-Through. Аналогичные микросхемы от других производителей NoBL (Cypress), ZBT (IDT) и NBT от GSI Technology являются полными аналогами (корпус, расположение выводов, программное обеспечение). Однако, только GSI Technology производит их с максимальной частотой 400 МГц и объемом 288 Мбит. Микросхемы NBT и SyncBurst широко применяются для изготовления средне производительного сетевого и индустриального оборудования, а также благодаря побитной адресации (режим Burst отключен) микросхемы NBT 288 Мбит 400МГц являются лучшим выбором для радиолокационных модулей.Статья. Семейство NBT (рус., pdf) Low-Latency DRAM 2 - архитектура построена на восьми DRAM банках со встроенным контроллером перезаряда ячеек. Обращение к ячейкам выполняется за один такт. Время доступа 15 нс (для примера, время доступа DDR3 около 45 нс). Микросхемы выпускаются объемом 288 и 576 Мбит, x9/18/36 с раздельными или совмещенными портами чтения и записи. LLDRAM-II является полным аналогом RLDRAM-II производства Micron и Renesas.Статья. Семейство LLDRAM-II (рус., pdf) Радиационно-стойкие микросхемы SRAM памятиSigmaQuad-II+ Максимальный объем 288 Мбит Рабочая частота до 350 МГц Разрядность шины данных х18/36 Общая накопленная доза 50 кРад Защита от тиристорного эффекта 42.2 МэВ Керамический корпус 165-ССGA (столбики), 165-BGA (с шариками) или 165-LGA (без шариков) Рабочий диапазон температур от –55 до +125°C NBT и SyncBurst Максимальный объем 144 Мбит Рабочая частота до 330 МГц Разрядность шины данных х18/36 Общая накопленная доза 50 кРад Защита от тиристорного эффекта 42.2 МэВ Керамический корпус 100-СQFP Рабочий диапазон температур от –55 до +125°C. Все радиационно-стойкие микросхемы изготавливаются по технологии 40 нм и сертифицированы по стандарту QML-Q и QML-V. Статья. Микросхемы Рад-стойкой SRAM памяти (рус., pdf) Изменено 12 июня, 2019 пользователем evgen740102 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться