[Citizen777 0]

А с чего Вы решили, что она вообще существует? Из-за пропуска импульсов? Так этому может быть несколько причин и самая первая, о чем уже говорили - недостаточная компенсация наклона (slope compensation). ПМСМ, Вы взяли на себя непосильную задачу, но, если уж непременно хотите добить вариант с UCC38083, то по крайней мере моделированием убедитесь, что схема работоспособна.

 

Хотел поинтересоваться: как промоделировать реальный трансформатор?

Какие параметры надо учитывать?

Как их замерять в реальном трансформаторе?

 

[copyserv 0]

Вот, наконец, встретил друга по несчастью. Такая же проблема, но в иной топологии преобразователя. В результате экспериментов пришел к убеждению, что ШИМ, обратные связи, DT ни причем. Трансформатор тоже. Проблема как-то связана с драйвером ключей. В своей схеме (DC-AC) я управляю IR-кой с микроконтроллера. Сначала использовал драйверы с раздельными входами верхнего и нижнего канала (наподобие Вашего), сейчас это IR21844 (один TTL совместимый вход, регулируемое DT). Как-то влияет на этот тип драйверов емкость Миллера, но не совсем понимаю, как. Играя затворными сопротивлениями, удавалось полностью избавляться от пропусков, однако, в ущерб динамике и с риском самопроизвольного открывания ключей. С слабыми ключами (5А, 600V) такого пропуска нет, а вот с STP25NM50 - есть.

 

[Ydaloj 0]

Такая же проблема, но

и такие же способы решения.

ставите драйвер для более быстрого переключения ключей

получаете более резкие фронты у импульсов, порождающие высокие значения dI/dt

при неудовлетворительной разводке имеете помехи, приводящие к таким последствиям.

 

Стоит затянуть фронты - и проблема устраняется, по крайней мере вы так считаете. На самом деле амплитуда помехи становится недостаточна для ложных срабатываний. До поры до времени.

Изменено 18 октября, 2015 пользователем Ydaloj

[copyserv 0]

Я не сторонник беспочвенного увеличения затворных сопротивлений. Варьировал ими в целях эксперимента. Относительно разводки - эффект тот же и на удалении драйвера от затвора на расстояние резистора МЛТ-0,125. По поводу dI/dt - понимаю, имеется в виду в цепи затвора? Но тогда, действительно, порочный круг. Как-то нужно эффективно ограничить dU/dt на стоке, тогда и влияние емкости Миллера на затвор уменьшится, можно увеличить Rg, следовательно. Но применяя RCD, неудовлетворен динамическими потерями.

[Ydaloj 0]

dU/dt на стоке ограничивается для уменьшения потерь при запирании ключа, но никак не для помехозащищённости токовой ОС

именно она может блокировать работу контроллера, как видно на осциллограмме - импульс вроде начался (иголка), затем оп! - и резко обрывается, и со следующей пилой от генератора контроллер снова пытается отпереть ключ.

ОС по напряжению так не умеет, либо в момент отпирания на вход FB опять же поступает что-то запредельное.

 

- что это там на осциллографе, бэрримор?

- помехи, сэр.

- а что они там делают, бэрримор?

- идут на вход обратной связи, сэр.

- а зачем они туда идут, бэрримор?

- пи..... кривая разводка, сэр

Изменено 19 октября, 2015 пользователем Ydaloj

[copyserv 0]

P_CAD_EDA____Sheet1_.pdf

P_CAD_EDA____Sheet2_.pdf

 

Никаких обратных связей. Иголка - начало неосуществленного импульса - это правда.

[Ydaloj 0]

осциллограмма с меги взята или с ИРки?

 

Паразитные индуктивности в главных токовых шинах могут запасать значительную среднюю энергию, вызывать выключение

ключей, при этом могут проявляться следующие эффекты:

( всплески высокого напряжения;

( дополнительная мощность рассеивания в переключающих прибора за счет запасания энергии индуктивности;

( возбуждение помех, проявляющееся в ошибочном срабатывании. Помеха может нарушать работу схемы управления, что

проявляется в ошибочном срабатывании или в ложном цикле работы ключей. Всплеск отрицательного сверхнапряжения

на опорном выходе (вывод 5, VS) затвора МОП(транзистора верхнего уровня может разрушить ИС драйвера

 

и тем более я вижу две раздельные платы с длинными проводами, которым сам Ьог велел ловить помехи и глушить ими драйвера

мух от котлет надо разделять. Дрова - с транзисторами, мега - снаружи, итс райт

 

0,15Ом - мина замедленного действия

[copyserv 0]

Нет, дорожки там коротенькие, а силовые жирнинькие. Схема для личного удобства так разделена.

Вот почему меня беспокоят входная емкость ключей и dU/dt:

 

 

 

Причем усиленная повторителями схема ведет себя аналогично, за исключением того, что импульсы драйвера теперь не теряются.

PWM________________.pdf

 

Осциллограммы с ИР-ки.

 

0,15 Ом - да, но это временно, да и включен он для контроля среднего тока. Смещения управления нижним ключем нет.

 

Изменено 19 октября, 2015 пользователем copyserv

[Ydaloj 0]

силовые не должны быть жирненькие. силовые должны быть широкенькие.

ну не знаю, я увидел 2 схемы на разных листах, соединённых через разъём и сделал вывод, что дрова находятся на отдельной плате от транзисторов. За это товарищ Сталин велел бы "расстрэлять".

[copyserv 0]

Да черт с ними с дровами. Я уже раз 20 перестраивал монтаж ничего не меняется. От наличия/отсутствия нагрузки, демпфирующих цепей мало что меняется. Зазубрины на управляющих импульсах остаются при любом значении HV. Их нет только тогда, когда HV не подано. До этого ставил STF3NK80Z - импульсы были чистыми.

 

Я наврал немного. Демпфер (простейшая RC, повешенная на землю) убирает зазубрину на фронте импульса.

 

... но не во всем диапазоне коэффициента заполнения, который находится по проекту в диапазоне 0.2 ... 0.8.

Изменено 19 октября, 2015 пользователем copyserv

[Ydaloj 0]

вы всё-таки ответьте прямо - драйвера находятся около транзисторов или на отдельной плате, пусть даже на штыревом разъёме, впаянным вертикально в "материнку"

?

[copyserv 0]

Сейчас на отдельной плате. Ну, как у китайцев с EG8010. Но до этого на одной с ключами (несколько вариантов разводки). Затворные резисторы с диодами стоят на силовой. Общая длина линий управления затворами ~30мм.

 

 

 

[Plain 185]

Не будет ничего в таком виде работать. Столько возни, и всё напрасно.

 

Драйверы, вместе с собственным локальным питанием и аппаратной защитой, должны быть в нуле миллиметров от их транзисторов и силовых конденсаторов, которые, соответственно, тоже должны быть как можно мельче размерами. И разумеется, без триллера чего-либо подстроечного.

 

Т.е. каждый полумост должен быть минимальных физических размеров, автономным и полностью самодостаточным узлом, включая помехоустойчивый интерфейс входного сигнала.

 

Микроконтроллер должен выдавать никаких не два, а единственный сигнал ШИМ-синуса, который аппаратно должен инвертироваться отдельным внешним инвертором и поступать на второй полумост моста.

[Citizen777 0]

и такие же способы решения.

ставите драйвер для более быстрого переключения ключей

получаете более резкие фронты у импульсов, порождающие высокие значения dI/dt

при неудовлетворительной разводке имеете помехи, приводящие к таким последствиям.

 

Стоит затянуть фронты - и проблема устраняется, по крайней мере вы так считаете. На самом деле амплитуда помехи становится недостаточна для ложных срабатываний. До поры до времени.

 

А как найти разумный компромисс, чтобы и фронты не были резкими, но и чтобы не сильно затянутыми? Где эта грань?

 

Я вот заказал MOSFET-ы и пока они в пути думаю, с чего начать проверку работоспособности, какие эксперименты произвести.

 

Начать с малых входных напряжений и выходных мощностей, например, Uвх= 30-40 В Pвых = 80-100 Вт.

И только после того как оно заработает, перезодить на более высокие напряжения и мощности?

 

Это правильный подход?

[copyserv 0]

Начать с малых входных напряжений и выходных мощностей, например, Uвх= 30-40 В Pвых = 80-100 Вт.

И только после того как оно заработает, перезодить на более высокие напряжения и мощности?

 

Это правильный подход?

 

Я именно так и делаю. Если схема подозрительно ведет себя при HV = 12...24V, и с минимальной нагрузкой, останавливаюсь, расследую. Причем, я несколько не согласен с некоторыми мнениями по поводу разводки цепей. А именно, на стадии макетирования, при малых токах и напряжениях, какя разница в длине проводников 1 или 3 см, ширине 8 или 5 мм? А потом, исследуя промышленные сварочные инверторы, например, можно заметить, что топология разводки плат в них диктуется не только соображеними наилучшей ЭМС, но и технологичности процесса изготовления.