[antsava 0]

Всем привет. Столкнулся со следующей проблемой.

 

Тест nand: стираю блок, записываю несколько страниц нулями, читаю (запись/чтение без использования ECC). Имею ошибки, т.е. не все биты равны 0. Частота ошибок - порядка 8...20 на 64 страницы по 8192 байт. Не особо часто, но и не редко...

 

Насколько я понимаю, для NAND характерны битовые ошибки, они появляются в процессе юзания NAND, для их устранения применяется ECC.

-- Меня смущает достаточно большая частота их проявления в новой микросхеме. Так и должно быть?

 

В datasheet-е не нашел информации какой должна быть вероятность (BER, Bit Error Rate), в статьях в интернете натыкался на цифры 10^(-8)... 10^(-11), т.е. значительно реже, чем я наблюдаю (2 * 10^(-6) и выше).

 

В тесте работаю с корректными блоками ( 1. не помеченные как битые с завода, 2. проверка после стирания показывает, что все байты равны 0xFF), проверял тест на нескольких блоках.

Повторные чтения уже записанных данных, показывают что ошибки остаются на своих местах, т.е. в тех же страницах, по тем же смещениям в пределах страницы, ошибка в том же бите. В разных ошибочных байтах ошибки могут быть в разных битах.

Если еще раз стереть блок и заново обнулить страницы, то часть ошибок остается (те же страницы, те же смещения в пределах страницы...), часть пропадает/появляется в новых местах.

чтение ID, страницы параметров - верно читается.

 

память Micron mt29f512g08, MLC

Изменено 27 августа, 2014 пользователем savver

[billidean 0]

ЕСС - конечно же поможет, но только с одним-двумя ошибочными битами в массиве битов. Наверное есть алгоритмы и для большего количества ошибок, но я их не изучал.

Так что при применении ЕСС можно использовать страницу с одним постоянно испорченным битом, а при появлении второго испорченного бита блокировать(помечать) страницу.

Но, если у Вас иногда ошибочные биты появляются и пропадают в разных местах, то можно случайно забраковать и небитую страницу, а затем следующую ... и так у Вас не останется страниц вообще.

При случайных появлениях и пропаданиях неверных данных при чтении (не совпадающих с записанными), дело может быть в НЕстабильности работы интерфейса с флэшкой, какой-нибудь дребезг на линии данных или тактовой, и т.п.

 

[Bad0512 2]

В первую очередь я бы проверил времянки в циклах доступа к памяти, их соответствие требованиям из даташита.

 

[SM 0]

ЕСС - конечно же поможет, но только с одним-двумя ошибочными битами в массиве битов. Наверное есть алгоритмы и для большего количества ошибок, но я их не изучал.

 

Это не так. Если взять MTD в линуксе (конкретно для TI AM3517) - то там используются коды БЧХ, корректирующие 4 или 8 бит в 512-байтном блоке (а это 16 или 32 бита в 2048-байтном). Но я за все время работы с ним не видел в логе ни разу, чтобы произошла коррекция ошибки!

 

для ТС:

Так что, ищите баги где-то в другом месте, во времянках, в питании, и т.п.

[MSL 0]

Тест nand: стираю блок, записываю несколько страниц нулями, читаю (запись/чтение без использования ECC). Имею ошибки, т.е. не все биты равны 0. Частота ошибок - порядка 8...20 на 64 страницы по 8192 байт. Не особо часто, но и не редко... Насколько я понимаю, для NAND характерны битовые ошибки, они появляются в процессе юзания NAND, для их устранения применяется ECC. Меня смущает достаточно большая частота их проявления в новой микросхеме. Так и должно быть? В datasheet-е не нашел информации какой должна быть вероятность (BER, Bit Error Rate), в статьях в интернете натыкался на цифры 10^(-8)... 10^(-11), т.е. значительно реже, чем я наблюдаю (2 * 10^(-6) и выше).

 

Не то чтобы "должно быть"... Все зависит от флэшки и технологии. В одной может быть от пара ощибок (или вообще не быть) на всю флэш, в другой их могут быть сотни. Много ошибок в основном в дешевых с 8кб страницами. Из даташита вы ничего не узнаете про "реальное примерное" количество ошибок. Использовать и проверять ECC придется в любом случае. Вопрос в другом - нужны ли вам такие флэшки с кучами ошибок и так ли важна такая экономия? Будет ли ваш контроллер корректировать ECC ошибки автоматически или переложите это на софт? В общем, это ваш выбор. Да и вообще, на данный момент, проще возложить все это на eMMC и не использовать нанд в чистом виде.

 

з.ы. Как вам советовали - проверяйте все времянки и сигналы для уверенности.

[AlexandrY 3]

-- Меня смущает достаточно большая частота их проявления в новой микросхеме. Так и должно быть?

 

память Micron mt29f512g08, MLC

 

Это не большая частота.

Гораздо опасней если в NAND в которой должны быть ошибки вы их не видите. Тогда вопросы к вашему софту.

 

NAND-ы от Micron использую периодически.

 

И заметил одну странную вещь.

Когда закупил партию 100 шт. NAND для индустриального диапазона MT29F2G08ABDHC-ET:D TR (от -40), то в ней была плотность ошибок примерно как у вас. В среднем около 128 кБ памяти было неработоспособно.

Когда же закупил 100 шт. с коммерческим диапазоном MT29F2G08ABAEAH4:E-ND они все были без ошибок.

 

 

[SM 0]

то в ней была плотность ошибок примерно как у вас. В среднем около 128 кБ памяти было неработоспособно.

Я, вообще, тоже нарывался на память с большим кол-вом ошибок, но дело в том, что там были помечены заводом куча блоков! И не 128 кБ (это всего-то один блок), а десятки блоков, причем не один десяток. При этом в рабочих блоках фактов срабатывания ECC-коррекции так же не было замечено. А вот прямо сейчас - MT29F4G16ABBEAH4-IT:E - из 250 микросхем всего ОДИН блок помечен в одной из них.

 

PS

А что за -ET? Индустриальные, они -IT

 

PPS

Кстати, у меня тоже в AHC-корпусе была партия с кучей плохих блоков. Этот корпус мне на плату еле-еле влез (пришлось купить, так как AH4 не было в разумный срок) :) Разводил то под AH4 :) , поэтому больше опытов с AHC не ставил. Подозреваю, что там кристалл по более старой технологии сделан, иначе бы зачем ему такой слоновый корпус.

[antsava 0]

Спасибо за ответы!

Есть пища для размышлений...

 

Как будут новые результаты / прояснится ситуация отпишусь.

 

[Alex11 3]

Для MLC частота появления ошибок довольно высока. В Вашем случае посмотрите еще у Микрона файл DSV на конкретную микросхему, там отклонения от DS в худшую сторону для -ET. Возможно, что это отклонения по времянкам. Обычно, когда возникают ошибки, они повторяются на тех же местах после стирания.

[antsava 0]

Ошибки во времянках "чтения" исключаю.

Read Parameter Page, Read Uniq ID, чтение более 5000 раз подряд не выдало ни одной ошибки (т.е. всегда считывается одно и то же).

-- Интересно, если например в Features писать-читать кучу раз для проверки правильности обращения к nand при записи, наверное ж там ничего не испортится/не затрется? (писать естественно адекватные значения, чтоб не сбоить работу nand).

 

Пробовал запись-чтение нулей в timing_mode 0...5 (выставление в features в nand), результаты примерно одинаковые.

 

Доп.задержки в софте при выполнении команд, использование read status enhanced вместо read statusnдля отдельного LUN-а чтоб всякие конфликты исключить, успехов не дало. "Мучить" софтовую библиотеку пока перестаю.

на выходных попробую ее на МК запустить, нашел платку с nand, hardware_level правда другой будет, но хотя бы убежусь что с командами нормально работаю.

 

Собираю статистику по каждому типу ошибок (сколько остаются на своих местах при повторных стираниях-записях, сколько остаются при повторных чтениях...).

Ну и буду внимательнее времянки смотреть...

 

 

[topor_topor 0]

Ошибки во времянках "чтения" исключаю.

Read Parameter Page, Read Uniq ID, чтение более 5000 раз подряд не выдало ни одной ошибки (т.е. всегда считывается одно и то же).

Чем вы читаете из памяти?

В любом случае проверте времянки.

Потом проверьте напряжение питания и уровни сигналов.

Может и помехи в линиях надо проверить.

 

" чтение более 5000 раз подряд не выдало ни одной ошибки" - не есть критерием правильности работы!

 

[antsava 0]

В любом случае проверте времянки.

Потом проверьте напряжение питания и уровни сигналов.

Может и помехи в линиях надо проверить.

 

угу, придется) спасибо.

Да, напряжения питания и уровни сигналов проверяли, в норме, 1.8 В как и должно быть, фронты не завалены.

Остаются времянки и помехи...

 

доступ к nand - через самописный контроллер nand-памяти (писал другой разработчик, я реализую софт под microblaze). Поначалу прочли ID, параметры, записали-прошли маленький буфер, все совпало и успокоились. Времянки на 1й взгляд тоже нормальные были (но теперь понимаю надо детальнее посмотреть). Потом начал писать по несколько страниц, и как раз вылезли битовые ошибки...

 

Изменено 29 августа, 2014 пользователем savver

[antsava 0]

давно не писал, переключался на другие задачи.

 

Проверил софтовую часть общения с nand (на уровне команд nand) на другой плате. там стоял SLC чип от micron MT29F2G08(ABD) + ARM. Те же тесты, 8 битых "заводских" блоков, битовых ошибок нет вообще(!) (запись-чтение нулей, отладочных счетчиков...) без всяких ECC. Т.о. софтовая ошибка отпадает...

 

[billidean 0]

ну...тогда статистика по указанным нанд'ам Вам в помощь.

[antsava 0]

Возвращаюсь к данной теме... вспоминаем понемного...

 

Тест:

стираем, пишем нули. Несколько раз считываем уже записанные данные.

( стираем nand, проверяем что после стирания == 0xFFFF, всегда норм, нет ошибок )

 

Типы ошибок:

-- есть ошибки которые при каждом чтении остаются на своих местах, (их большинство)

-- есть ошибки, которые при повторных чтениях - то есть, то нет (их меньше)

если перезалить плису и прочесть ранее записанные нули, ошибки остаются на тех же местах,

 

- повторное стирание и запись этого же блока

-- есть ошибки которые остаются на тех же местах, что и при прошлой записи

-- есть ошибки, которые возникают на новых местах

 

скриншот прилагается.

 

To be continue...

Изменено 16 января, 2015 пользователем savver