[alexadmin 0]

От этого в ПЛИС не появится физической возможности переписать свою встроенную конфигурационную флеш изнутри себя.

 

А, речь про CPLD. Тогда да, пожалуй.

[SM 0]

А, речь про CPLD. Тогда да, пожалуй.

 

Да и в FPGA c флеш-памятью, например LatticeXP, LatticeXP2, MAX-V, и т.п. такой возможности нету. Там можно переписать user flash, TAG, т.п., но никак не конфигурацию.

[yes 5]

От этого в ПЛИС не появится физической возможности переписать свою встроенную конфигурационную флеш изнутри себя.

 

такая возможность есть в LatticeXP2 - SSPIA порт/примитив, мы ей пользуемся, очень полезно.

по-моему и в MachXO2 тоже можно (ну из-за малого размера на практике снаружи должен быть какой-то контроллер, но теоретически возможно)

 

[SM 0]

такая возможность есть в LatticeXP2 - SSPIA порт/примитив, мы ей пользуемся, очень полезно.

Спасибо, не знал :)

 

Но, все равно, в CPLD этой возможности нет.

[_4afc_ 25]

Поэтому в среднестатистической ПЛИС значительно меньше шансов порчи флеши, чем в среднестатистическом МК.

 

В случае с моей катушкой - действительно происходила наводка команды на стирание и стиралась страница.

 

Но! Есть дисер Ферсенко М.В. из ЦНИРТИ, в котором показана аппаратура для уничтожения информации во флэш памяти путём облучения электромагнитным полем мощностью менее 1мкДж в течении 1мС. На эту тему им выполнен ряд НИОКР ещё 7 лет назад.

[yes 5]

В случае с моей катушкой - действительно происходила наводка команды на стирание и стиралась страница.

 

Но! Есть дисер Ферсенко М.В. из ЦНИРТИ, в котором показана аппаратура для уничтожения информации во флэш памяти путём облучения электромагнитным полем мощностью менее 1мкДж в течении 1мС. На эту тему им выполнен ряд НИОКР ещё 7 лет назад.

 

а принцип или какие-либо детали можете описать? а то и рентгеновское излучение, самое что ни на есть, электромагнитное поле

[_4afc_ 25]

а принцип или какие-либо детали можете описать? а то и рентгеновское излучение, самое что ни на есть, электромагнитное поле

 

 

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Уничтожение информации на полупроводниковом носителе электромагнитным полем при энергиях импульса не менее 2,2-10—5 Дж с использованием туннельного пробоя без деструкции транзисторной структуры.

 

2. Использование магнитного поля с длительностью импульса более 1 мс, обеспечивает максимальную передачу энергии внутрь полупроводниковой структуры с учетом ослабления магнитного поля за счет скин-эффекта.

 

3. Разрушение транзистора за счет нагрева возможно даже при малых значениях электрического поля, при многократном импульсном облучении. Создаваемое электрическое поле, с величиной определяемой крутизной (или скоростью) вызывает изменение магнитного поля.

 

4. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством многократного облучения электромагнитными импульсами обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.

 

5. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством программного стирания информации непосредственно с микросхемы памяти с последующим воздействием на флеш носитель высоким напряжением обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.

 

6. Использование полеобразующей системы состоящей из шести жестко связанных контуров и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством воздействия переменным магнитным полем обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.

 

7. Применение разработанных способов построения систем управления, регистрации и контроля технических характеристик прибора, обеспечивают высокую точность измерения параметров для надежного стирания информации.

 

8. Комбинация способов внешнего воздействия, оптимизированная и реализованная в макете прибора, обеспечивает гарантированное уничтожение информации с носителей, в основе которых лежат полупроводниковые элементы (флеш память).

 

 

 

fesenko.zip

[DeadCadDance 0]

В 19.02.2014 в 09:32, SM сказал:

Естественно, так как в микроконтроллере есть код (программа), на который тот по ошибке залететь может, и который напакостит, а в ПЛИС это невозможно физически.

В SRAM -based ПЛИС слетает конфигурация

[DeadCadDance 0]

Никто с таким не сталкивался?