alexadmin 0 20 февраля, 2014 Опубликовано 20 февраля, 2014 · Жалоба От этого в ПЛИС не появится физической возможности переписать свою встроенную конфигурационную флеш изнутри себя. А, речь про CPLD. Тогда да, пожалуй. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SM 0 20 февраля, 2014 Опубликовано 20 февраля, 2014 · Жалоба А, речь про CPLD. Тогда да, пожалуй. Да и в FPGA c флеш-памятью, например LatticeXP, LatticeXP2, MAX-V, и т.п. такой возможности нету. Там можно переписать user flash, TAG, т.п., но никак не конфигурацию. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yes 6 20 февраля, 2014 Опубликовано 20 февраля, 2014 · Жалоба От этого в ПЛИС не появится физической возможности переписать свою встроенную конфигурационную флеш изнутри себя. такая возможность есть в LatticeXP2 - SSPIA порт/примитив, мы ей пользуемся, очень полезно. по-моему и в MachXO2 тоже можно (ну из-за малого размера на практике снаружи должен быть какой-то контроллер, но теоретически возможно) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SM 0 20 февраля, 2014 Опубликовано 20 февраля, 2014 · Жалоба такая возможность есть в LatticeXP2 - SSPIA порт/примитив, мы ей пользуемся, очень полезно. Спасибо, не знал :) Но, все равно, в CPLD этой возможности нет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_4afc_ 25 21 февраля, 2014 Опубликовано 21 февраля, 2014 · Жалоба Поэтому в среднестатистической ПЛИС значительно меньше шансов порчи флеши, чем в среднестатистическом МК. В случае с моей катушкой - действительно происходила наводка команды на стирание и стиралась страница. Но! Есть дисер Ферсенко М.В. из ЦНИРТИ, в котором показана аппаратура для уничтожения информации во флэш памяти путём облучения электромагнитным полем мощностью менее 1мкДж в течении 1мС. На эту тему им выполнен ряд НИОКР ещё 7 лет назад. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
yes 6 21 февраля, 2014 Опубликовано 21 февраля, 2014 · Жалоба В случае с моей катушкой - действительно происходила наводка команды на стирание и стиралась страница. Но! Есть дисер Ферсенко М.В. из ЦНИРТИ, в котором показана аппаратура для уничтожения информации во флэш памяти путём облучения электромагнитным полем мощностью менее 1мкДж в течении 1мС. На эту тему им выполнен ряд НИОКР ещё 7 лет назад. а принцип или какие-либо детали можете описать? а то и рентгеновское излучение, самое что ни на есть, электромагнитное поле Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_4afc_ 25 24 февраля, 2014 Опубликовано 24 февраля, 2014 · Жалоба а принцип или какие-либо детали можете описать? а то и рентгеновское излучение, самое что ни на есть, электромагнитное поле На защиту выносятся следующие научные положения: 1. Уничтожение информации на полупроводниковом носителе электромагнитным полем при энергиях импульса не менее 2,2-10—5 Дж с использованием туннельного пробоя без деструкции транзисторной структуры. 2. Использование магнитного поля с длительностью импульса более 1 мс, обеспечивает максимальную передачу энергии внутрь полупроводниковой структуры с учетом ослабления магнитного поля за счет скин-эффекта. 3. Разрушение транзистора за счет нагрева возможно даже при малых значениях электрического поля, при многократном импульсном облучении. Создаваемое электрическое поле, с величиной определяемой крутизной (или скоростью) вызывает изменение магнитного поля. 4. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством многократного облучения электромагнитными импульсами обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления. 5. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством программного стирания информации непосредственно с микросхемы памяти с последующим воздействием на флеш носитель высоким напряжением обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления. 6. Использование полеобразующей системы состоящей из шести жестко связанных контуров и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством воздействия переменным магнитным полем обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления. 7. Применение разработанных способов построения систем управления, регистрации и контроля технических характеристик прибора, обеспечивают высокую точность измерения параметров для надежного стирания информации. 8. Комбинация способов внешнего воздействия, оптимизированная и реализованная в макете прибора, обеспечивает гарантированное уничтожение информации с носителей, в основе которых лежат полупроводниковые элементы (флеш память). fesenko.zip Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DeadCadDance 0 28 ноября, 2019 Опубликовано 28 ноября, 2019 · Жалоба В 19.02.2014 в 09:32, SM сказал: Естественно, так как в микроконтроллере есть код (программа), на который тот по ошибке залететь может, и который напакостит, а в ПЛИС это невозможно физически. В SRAM -based ПЛИС слетает конфигурация Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DeadCadDance 0 30 ноября, 2019 Опубликовано 30 ноября, 2019 · Жалоба Никто с таким не сталкивался? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться