[Boriskae 1]

Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?

[ritkostar 0]

Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?

 

http://parametric.linear.com/GaAsFET_Bias_Generators

 

.

 

[Boriskae 1]

http://parametric.linear.com/GaAsFET_Bias_Generators

 

.

Вы меня не совсем правильно поняли, мне не нужен dc/dc конвертер, мне нужен драйвер, который будет отрубать питание транзистора при отсутствии минуса на затворе.

[RFF-11 1]

Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?

 

Посмотрите на эти, может быть подойдут

 

HMC920LP5E,HMC980LP5E Hittite

 

 

X9470 XICOR

 

MAX881R

 

 

[ritkostar 0]

Вы меня не совсем правильно поняли, мне не нужен dc/dc конвертер, мне нужен драйвер, который будет отрубать питание транзистора при отсутствии минуса на затворе.

 

Я ползовался LTC1261. У нее специальный вывод есть REG, который управляет мощный PMOSFET в дрейне GaNi при потерe регуляции.

Максимальное напряжение на REG 12V - нужен дополнительной транзистор для управления PMOS-a.

 

.

 

[Boriskae 1]

К сожалению все вышеперечисленные варианты не подходят, т.к. напряжение питания стока +50 В. А на затвор для наших целей надо -6 В. И желательно всё в одной микросхеме, ну максимум один дополнительный полевик. Но приведённые микросхемы интересные, спасибо за советы.

[mepavel 0]

К сожалению все вышеперечисленные варианты не подходят, т.к. напряжение питания стока +50 В.

Почему же не подходят? В LTC1261 максимальное напряжение питания 9 В. В режиме Tripler Mode соответственно можно получить до 17-18 вольт отрицательных напряжений. Разумно стабилизированные отрицательные минус 9 вольт вроде как тоже не проблема (см. datasheet ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ->Output Voltage). Итого одна микросхема и один DMOS-ключ. Всё как Вам и надо.

Изменено 5 декабря, 2013 пользователем MePavel

[serega_sh____ 2]

А если воспользоваться рекомендованой схемой

Чем такая не устраивает?

Кстати: микросхема уже ранее рекомендовалась вам ;)

[eugene1 0]

Вот готовое решение. Проверено, всё надёжно работает. Решает сразу несколько проблем - генерацию минуса на затворе, формирование последовательности затвор-сток, защиту от пропадания всего чего угодно, плавный запуск при ограничении на потребляемый ток при старте.

AN_Bias_50V.pdf

[Boriskae 1]

Почему же не подходят? В LTC1261 максимальное напряжение питания 9 В. В режиме Tripler Mode соответственно можно получить до 17-18 вольт отрицательных напряжений. Разумно стабилизированные отрицательные минус 9 вольт вроде как тоже не проблема (см. datasheet ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ->Output Voltage). Итого одна микросхема и один DMOS-ключ. Всё как Вам и надо.

Да, но максимальное напряжение на REG +12 В. На сколько я понимаю одного полевика и этой микросхемы не хватит, чтобы открвать/закрывать сток СВЧ транзистора. А по остальным очень интересные решения, но к сожалению требуют много места (как минимум 2 дополнительных каскада). Изначально предполагалось, что есть микросхемы со встроенным ключом, не требующие внешних полевиков. Думаю, что остановлюсь на LTC1261 или MAX881R, если не найду ничего интереснее.

[zheka 1]

.................

Изменено 6 декабря, 2013 пользователем zheka

[mepavel 0]

Да, но максимальное напряжение на REG +12 В. На сколько я понимаю одного полевика и этой микросхемы не хватит, чтобы открвать/закрывать сток СВЧ транзистора.

Ничего страшного, что на выводе REG может быть максимум +12 В. Последовательно с выходом REG просто включается маломощный стабилитрон с напряжением стабилизации 40-42 В плюс резистор где-то 1 к. Затвор-исток внешнего полевика шунтируется параллельной связкой - резистор 5-10 к || стабилитрон 12 В.

Конечно лучше вместо стабилитрона на 40-42 В использовать маломощный NPN биполярный транзистор включенный по схеме с ОБ. База заводится на источник питания 7-9 В, который питает LTC1261. Эмиттер связывается с выходом REG через резистор 3.3к. Коллектор подключается к затвору внешнего полевика. В общем элементов минимум.

Тут меня больше интересует вопрос каковы требования к пульсациям напряжения смещения GaN-транзистора?

Считаю, что с этой точки зрения микросхема LTC1261 не очень продуманна. Додумались соединить выход сигнала ООС с входом компаратора, который должен отдельно отслеживать напряжение на затворе! Таким образом, если захочется поставить приличный ФНЧ на смещение, чтобы хорошо сгладить пульсации, то нормально отслеживать напряжение на затворе без больших задержек не получится.

А по остальным очень интересные решения, но к сожалению требуют много места (как минимум 2 дополнительных каскада). Изначально предполагалось, что есть микросхемы со встроенным ключом, не требующие внешних полевиков. Думаю, что остановлюсь на LTC1261 или MAX881R, если не найду ничего интереснее.

Очень сомневаюсь, что Вы найдете микросхему со встроенным мощным ключом, да ещё и рассчитанным на высокие напряжения. Технологически на одном кристалле совместить хорошую аналоговую, "цифровую" и силовую часть весьма непросто.

[Boriskae 1]

Ничего страшного, что на выводе REG может быть максимум +12 В. Последовательно с выходом REG просто включается маломощный стабилитрон с напряжением стабилизации 40-42 В плюс резистор где-то 1 к. Затвор-исток внешнего полевика шунтируется параллельной связкой - резистор 5-10 к || стабилитрон 12 В.

Конечно лучше вместо стабилитрона на 40-42 В использовать маломощный NPN биполярный транзистор включенный по схеме с ОБ. База заводится на источник питания 7-9 В, который питает LTC1261. Эмиттер связывается с выходом REG через резистор 3.3к. Коллектор подключается к затвору внешнего полевика. В общем элементов минимум.

Тут меня больше интересует вопрос каковы требования к пульсациям напряжения смещения GaN-транзистора?

Считаю, что с этой точки зрения микросхема LTC1261 не очень продуманна. Додумались соединить выход сигнала ООС с входом компаратора, который должен отдельно отслеживать напряжение на затворе! Таким образом, если захочется поставить приличный ФНЧ на смещение, чтобы хорошо сгладить пульсации, то нормально отслеживать напряжение на затворе без больших задержек не получится.

 

Очень сомневаюсь, что Вы найдете микросхему со встроенным мощным ключом, да ещё и рассчитанным на высокие напряжения. Технологически на одном кристалле совместить хорошую аналоговую, "цифровую" и силовую часть весьма непросто.

Да, пульсации критичны, поэтому всё-таки думаю оказаться от микросхемы со встроенным источником минуса. Думаю брать хороший минус от БП модуля, и делать защиту на рассыпухе(места нужно будет не больше, чем с микросхемой).

[Sergey8 0]

Берёте IPS521G.

НО! этот кристалл позволяет инвертировать упр. сигналы, т.е. можно подавать -5 на Logik GND и 0 в на вход управления (IN). Всё работает, инфа 100%. Сам всё время ставлю на защиту по питанию, только не дал GaN (ещё с ними не работал), а для AsGa. Выключаю усилитель просто выдёргивая минус с БП! Ни разу не дала осечки, все усилители живы-здоровы.

Единственное - это относительно невысокое быстродействие, рекомендую на минус ставить через диод конденсатор, чтобы он попридержал минус на затворе пока ключ сработает (100 мкс).

[rloc 49]

Вот еще один вариант прикинул