[_gari 4]

чесно говоря, так и не понял, что же здесь обсуждали уже 2 страницы

 

 

 

[Myron 0]

чесно говоря, так и не понял, что же здесь обсуждали уже 2 страницы

Здесь обсуждаются вопросы веры в информацию ДШ. А также "школьные" уровни токов - см., например, #28.

[нищеброд 0]

чесно говоря, так и не понял, что же здесь обсуждали

Обсуждали возможность 247-го корпуса выдать ток 100 Ампер.

Лет десять назад изучал предельные возможности диода Шоттки (30CPQ150). Прикрутил его к могучему радиатору с вентилятором и дал от сварочника ток 120 Ампер.

После 20 минут сварочник устал, а диод остался жив.

[_gari 4]

интересный эксперимент и довольно ожидаемый результат. Если не происходит электровзрыв провода, то сколько через него можно пропустить завист от условий охлаждения. При электровзрыве передачи тепла во вне практически не происходит и материал провода фактически минуя жидкую фазу сразу переходит в пар, почему иногда встречается выражение "фазовый взрыв провода".

Использульзуется в одной из разновидностей эффекта Юткина.

 

но мы опять отвелеклись от темы ТС, а он спрашивал...

Коллеги, помогите с вопросом - как лучше отвести тепло - около 30 Вт - без вентилятора!

Решил сделать статический ключ на 100 А (включается и выключается один раз в час),

выбрал транзистор - три шт. в параллель - IRFH5010 (в корпусе PQFN).

Вопрос: как лучше их распаять и закрепить на радиаторе, чтобы лучше отвести тепло.

Может посоветуйте другой тип транзистора. Буду очень благодарен!

т.е. из поста понятно, что автор умеет параллелить транзисторы, но по какой-то причине остановился на 3

и 30вт тепла его как бы вполне устраивают.

однако никаких данных куда и как он собирается или может отдать тепло в вопросе просто НЕТ.

может корпус его девайса имеет размер спичечного коробка :blink: так что обсуждаем?

 

 

[Ydaloj 0]

Myron, я не верю слепо даташитам. Во-первых, потому, что их создают люди, а, значит, не исключены ошибки.

Во-вторых, посмотрите эти два даташита. В частности, табличную часть.

 

Вот у меня и возник вопрос: при каких условиях тоненькие лапки (по другому не назвать) корпуса ТО247 выдерживают ток в 100, 150, а то и 200 ампер. Ведь аналогичные силовые полупроводники на такие же токи, но "в металле", имеют болтовое крепление катода М8-М10 и плетёную косу квадратов под 20 из анода.

MAP6805.pdf

TDA7294.PDF

[Myron 0]

Myron, я не верю слепо даташитам. Во-первых, потому, что их создают люди, а, значит, не исключены ошибки.

Во-вторых, посмотрите эти два даташита. В частности, табличную часть.

Вот у меня и возник вопрос: при каких условиях тоненькие лапки (по другому не назвать) корпуса ТО247 выдерживают ток в 100, 150, а то и 200 ампер. Ведь аналогичные силовые полупроводники на такие же токи, но "в металле", имеют болтовое крепление катода М8-М10 и плетёную косу квадратов под 20 из анода.

И правильно, что не слепо

Первая ИС (MAP6805) выдает только 20А мах, и то только в пике. Этот параметр приведен в ДШ. При этом умалчивается скважность (или передышка) между пиками

Вторая ИС (TDA7294) выдает только 10А мах.

Кроме того, первая ИС сделана "студентами", во всяком случае ДШ написан ими: на стр. 7-2 заголовок к третьей таблице Absolute Maximum Rationgs - слово Rationgs написано с ошибкой (должно быть Ratings). Дальше читать и использовать это творение бессмысленно.

[Herz 5]

Кроме того, первая ИС сделана "студентами", во всяком случае ДШ написан ими: на стр. 7-2 заголовок к третьей таблице Absolute Maximum Rationgs - слово Rationgs написано с ошибкой (должно быть Ratings). Дальше читать и использовать это творение бессмысленно.

Да не будьте так категоричны из-за одной лишней буквы. Микросхема не виновата. Это может быть банальной опечаткой, ведь буквы I и O расположены на клавиатуре рядом. Всего лишь нечаянно зацепили. Кроме того, видно, что документ подвергался редактированию. Возможно, и студентами. Только к разработке самой микросхемы они совсем необязательно имеют хоть какое-нибудь отношение.

[НЕХ 4]

Там просто кладезь перлов -

ADUIO IGBT OWER STAGE

VERY LOW DISTORTIONG-LESS THAN 0.1%

Absolute Maximum Rationgs

COMMAN MODE INPUT VOTAGE

CATION !

А то, что таблица слизана с TDA - зато без ошибок !

наверно, про этот документ от IRF, речь - http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1140.pdf

как понял - пока эпоксидка корпуса не дымит - току течь !

Изменено 22 марта, 2013 пользователем НЕХ

[Myron 0]

Да не будьте так категоричны из-за одной лишней буквы. Микросхема не виновата. Это может быть банальной опечаткой, ведь буквы I и O расположены на клавиатуре рядом. Всего лишь нечаянно зацепили. Кроме того, видно, что документ подвергался редактированию. Возможно, и студентами. Только к разработке самой микросхемы они совсем необязательно имеют хоть какое-нибудь отношение.

Микросхема не виновата, дальше - разработчики не виноваты, технологи не виноваты, тестировщики не виноваты, а так микросхема хорошая.

ДШ - лицо фирмы, а не документ для дома и семьи. Если нет возможностей на макияж своего лица, то не стоит надеяться на другие части тела. Любовь быстро остынет. В общем Кулибины это. И результат будет кулибинский. Рекомендую не применять такие ИС.

[Herz 5]

Рекомендую не применять такие ИС.

Логично. Кстати, если судить по даташитам отечественных компонентов, ничего из них применять было категорически нельзя! Ибо даже не Кулибины...

[Myron 0]

Логично. Кстати, если судить по даташитам отечественных компонентов, ничего из них применять было категорически нельзя! Ибо даже не Кулибины...

Согласен, хотя сам создавал отечественные компоненты 7 лет. До этого применял отечественные компоненты более 15-ти лет и это была та еще работа. Цельнотянутые отечественные компоненты еще можно было использовать как-то благодаря импортной документации, но любовь с отделами надежности была лютая, т.к. для них - только отечественная документация. А работали там люди те еще.