Перейти к содержанию
    

Ещё в 5 раз медленнее.

Роль играет скорость роста тока запираемого диода ( сотни Ампер/микросекунду )

Еще к Вам вопросик есть. Если я поставлю что-нибудь из 600-вольтовых транзисторов серии CFD2, на которую Вы ранее указали. Возможно на таком транзисторе разогнать 1,5кВт инвертор на 50кГц, чтобы уменьшить выходной дроссель?

Изменено пользователем taurus

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ещё есть классический вариант - диод Шоттки последовательно с MOSFET(для исключения из цепи внутреннего паразитного) и быстрый правильный внешний.

 

Вариант классический, но элементов и потерь больше. Более правильный вариант - транзисторы типа HiPerFET, PowerMOS7, PowerMOS8 или им подобные с шустрым внутренним диодом. А IGBT для таких частот и мощностей - смешно.

 

Вам нужны 600В ключи.

 

IMHO, 500В - самое оно.

 

Возможно на таком транзисторе разогнать 1,5кВт инвертор на 50кГц, чтобы уменьшить выходной дроссель?

 

Такого плана инвертор (по схемотехнике) на 5 кВт при 50 кГц в свое время делали на бояне из IRFP460.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Такого плана инвертор (по схемотехнике) на 5 кВт при 50 кГц в свое время делали на бояне из IRFP460.

Возникали ли у Вас проблемы, подобные моей проблеме, и как вы их решали?

Хочется из своего негативного опыта научиться получше.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Возникали ли у Вас проблемы, подобные моей проблеме, и как вы их решали?

 

Применительно к IRFP460 - снижали скорость включения (закрывались по-прежнему быстро) + увеличивали емкость сток-исток. При этом несколько страдает КПД, но схема работает.

 

Потом поставили HiperFET'ы.

 

А после вообще изменили схемотехнику - сделали изолированный DC-AC с ZVS по всем ключам (гуглите cycloconverter).

 

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

В перспективе хочу попробовать IPW65R110CFD. Новые транзисторы, диод вроде бы быстрый.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Купить такую экзотику, наверно, сложнее чем раскошелиться на CREE

http://www.compel.ru/infosheet/CREE%20PWR/CMF10120D/

(сравните свойства паразитного диода, который в SiC можно зашунтировать высоковольтным Шоттки)

за IXYS и Microsemi тоже побегать придётся ...

Изменено пользователем НЕХ

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Да вроде бы на mouser.com есть. Думаю это реально для пробы купить.

SiC мне самому всем нравятся, кроме цены.

Изменено пользователем taurus

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ещё есть классический вариант - диод Шоттки последовательно с MOSFET(для исключения из цепи внутреннего паразитного) и быстрый правильный внешний.

Ещё частный случай каскода, т.е. если сопротивление канала таково, что диод всегда закрыт — тогда восстановление практически ноль.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

сопротивление канала таково, что диод всегда закрыт — тогда восстановление практически ноль

 

Для низковольтных Mosfet - возможно. Для высоковольтных - вряд ли (только при очень малой загрузке канала по току).

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Под словом - каскод, наверно имелось ввиду это

http://www.toshiba.co.jp/tech/review/2012/...7_01pdf/a08.pdf

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Для высоковольтных - вряд ли (только при очень малой загрузке канала по току).

У IPP60R099 при 150°С канал 0,24 Ом и при 1,7 А через него диод будет закрыт. Для данной задачи 250 Вт конечно мало, но для многих других вполне достаточно.

 

Ещё вариант — быстрый внешний диод, поднятый относительно истока смещающим БП.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

входное без стабилизации шимом при нарезке синуса отрабатывается? иначе 400 много. в любом случае igbt считаю в самый раз. в аналогичном инверторе вход 320 dc выход 220 синуса 2квт 38кгц применил irg4pc40ud

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

входное без стабилизации шимом при нарезке синуса отрабатывается? иначе 400 много. в любом случае igbt считаю в самый раз. в аналогичном инверторе вход 320 dc выход 220 синуса 2квт 38кгц применил irg4pc40ud

На входе стоят электролиты.

Если не секрет, какое КПД получили?

Изменено пользователем taurus

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

На входе стоят электролиты.

Если не секрет, какое КПД получили?

не измерял. ватт 100 навскидку есть значит 95%.

электролиты это хорошо.

если входное стабилизировано - 400vdc для получения синуса 220в много. достаточно 310..325, а если синус модифицированный то и того меньше.

Изменено пользователем isc

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...