[GinRider 0]

Биполярный транзистор, если рабочая точка уходит в насыщение, закрывается медленно - до 5-10мкс, в зависимости от глубины насыщения. А ключевой режим - это всегда насыщение. Высокая частота возможна только без оного.

[muravei 3]

Из простых советов -

попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б

[iltch 0]

Уважаемые форумчане, тогда получается такая ситуация....

В datasheet-е (BC817 jn Fairchild) ни каких частотных или временных параметров нет кроме fT.

А fT по словам гн. ТАУ это параметр не для ключевого режима.

 

И как же тогда выбирать транзистор для работы с ШИМ-ом???

Хорошо теперь я знаю что у этого время рассасывания ~2,5 мкС.

 

А как мне это предвидеть на этапе разработки схемы, когда еще и транзистора в наличии нету?

 

И остался без ответа вопрос: Зачем в ставить резистор между базой и эмиттером? (По моему неосновные носители заряда

должны стекать на землю через транзистор в порте контроллера)

[skyvmicro 0]

Биполярный транзистор, если рабочая точка уходит в насыщение, закрывается медленно - до 5-10мкс, в зависимости от глубины насыщения. А ключевой режим - это всегда насыщение. Высокая частота возможна только без оного.

 

Лучше посмотрите, к примеру, на параметры КТ317.

У него время рассасывания по ТУ - 200 нс, у КТ317А-В 130 нс.

 

 

 

Уважаемые форумчане, тогда получается такая ситуация....

В datasheet-е (BC817 jn Fairchild) ни каких частотных или временных параметров нет кроме fT.

А fT по словам гн. ТАУ это параметр не для ключевого режима.

 

И как же тогда выбирать транзистор для работы с ШИМ-ом???

Хорошо теперь я знаю что у этого время рассасывания ~2,5 мкС.

 

А как мне это предвидеть на этапе разработки схемы, когда еще и транзистора в наличии нету?

 

И остался без ответа вопрос: Зачем в ставить резистор между базой и эмиттером? (По моему неосновные носители заряда

должны стекать на землю через транзистор в порте контроллера)

 

 

Надо выбирать элементы, у которых нормируются интересующие Вас параметры.

 

попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б

Если диод, то шоттки и между Б и К. Анод на базе.

 

А еще можно просто сделать повторитель, но потеряете верхний уровень.

 

Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода

(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм.

 

 

Изменено 9 октября, 2012 пользователем skyv

[Batman 0]

Выбирать транзистор для работы с ШИМом просто. Он должен быть полевым )))

Попробуйте - IRLML0060TRPBF в том же корпусе, те же выводы.

Вы снизьте частоту, попробуйте, экспериментируйте. Кстати сигнал у Вас на базе ну никак не 50% по скважности

[iltch 0]

Решил делать ШИМ на полевике потому что он стоит 3 коп, а полевик 10 коп. и потому что они были под рукой.ю и потому что они во всех наших схемах

стоят. Не приходил в голову что на такой низкой частоте возникнут проблемы....

 

Большое спасибо гн.-у muravei за совет с диодом.

Еще помогло увеличение резистора от контроллера в базу. Меньше ток базы => не такое глубокое насыщение.

 

 

 

гн.-у batmat

От контроллера идет ШИМ строго 50%-ной скважности. А форма сигнала на базе искажена из-за рассасывания неосновных носителей заряда.

Там между контроллером и базой еще резистор есть.

 

 

Всем большое спасибо.

[Сергей Борщ 143]

И остался без ответа вопрос: Зачем в ставить резистор между базой и эмиттером? (По моему неосновные носители заряда должны стекать на землю через транзистор в порте контроллера)

Вот посмотрите обсуждение, правда там тогда меня никто почему-то не поддержал.

 

[Batman 0]

От контроллера идет ШИМ строго 50%-ной скважности. А форма сигнала на базе искажена

На это я и хотел обратить Ваше внимание.

Дело в том, что можно было просто поиграться частотой для диагностики проблемы. Первый раз я столкнулся с этими транзисторами при динамической индикации светодиодных дисплеев. При увеличении частоты транзисторы просто не успевали закрываться и знакоместа сливались.

[skyvmicro 0]

Вот посмотрите обсуждение, правда там тогда меня никто почему-то не поддержал.

 

 

По поводу заявления Вашего собеседника:

 

"...И вот возникает вопрос: а как глубоко войдет в насыщение этот же транзистор, но имеющий максимально возможное значение коэфф. передачи тока и работающий при максимальной температуре окружающей среды? Для него - будет ли отличаться время выхода из насыщения при исходном значении номиналов и при предложенных вами номиналах? А если будет отличаться - то насколько?

Мой ответ - отличаться если и будет, то не настолько, чтобы это кто-то вообще заметил."

 

могу сказать, что это полная ерунда.

Для более полного моделирования интересующих зависимостей надо

брать определенные сочетания параметров (статических и динамических и это

далеко не только температура и h21) транзистора в пределах ТУ, находить для них параметры математической модели

и после этого моделировать узел. Сочетания параметров транзистора для крайних случаев 100% дадут движение

интересующей характеристики.

[Меджикивис 0]

Если контроллер дает строго меандр, а по непосредственному измерению на базе - уже затянутый сигнал, как мы видим по приведенной осциллограмме, значит сигнал затягивается на эквивалентной емкости базы.

 

Причина - кошмарно большой резистор база-земля. Нужно включить 100 Ом примерно (а не килоом!)

(Из расчета, чтобы делитель, получающийся из двух резисторов, при сигнале "единица" давал бы на базу около 0.7 - 0.8 вольта)

 

2. Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении.

 

 

[skyvmicro 0]

2. Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении.

О фронтах разговора ведь нет.

[iltch 0]

Вот у меня вопрос организовался по поводу диода.

Тут в этой ветке было несколько рекомендации про диод :

 

1) попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б (гн. muravey)

 

2) Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении (, гн. Меджикивис )

 

3) Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм. (гн. skyv)

 

Вопрос 1: какой метод лучше?

Вопрос 2: какой минимально достаточен?

[skyvmicro 0]

Вот у меня вопрос организовался по поводу диода.

Тут в этой ветке было несколько рекомендации про диод :

 

1) попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б (гн. muravey)

 

2) Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении (, гн. Меджикивис )

 

3) Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм. (гн. skyv)

 

Вопрос 1: какой метод лучше?

Вопрос 2: какой минимально достаточен?

 

Вы попробуйте каждый из вариантов

и осмыслите результат с учетом

всего выше сказанного. Делов-то.

 

[Меджикивис 0]

Вопрос 2: какой минимально достаточен?

Минимально достаточный вариант - поставить правильные величины резисторов к базе.

Изменено 10 октября, 2012 пользователем Меджикивис

[Herz 6]

Причина - кошмарно большой резистор база-земля. Нужно включить 100 Ом примерно (а не килоом!)

(Из расчета, чтобы делитель, получающийся из двух резисторов, при сигнале "единица" давал бы на базу около 0.7 - 0.8 вольта)

Это мало! Порядка 0.7В - само прямое падение на переходе БЭ. Нужен запас, иначе в базу потечёт мало току и транзистор рискует не открыться. Оптимально, как предлагал ув. тау, порядка 330 - 680 Ом.

1) попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б (гн. muravey)

По той же причине тоже ненадёжный способ. Диод может открыться первым и соревнование с транзистором к хорошему не приведёт. Ещё вариант - диод развернуть катодом не к эмиттеру, а к ножке контроллера, т.е. поставить его параллельно базовому резистору. Тому, который 400 Ом.