iltch 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба У меня вот такая схема: С контроллера я подаю ШИМ 118 кГц DC=50% размах 0...3.4 В. Потом я смотрю напряжение на коллекторе и вижу следующее: Мне не понятно почему изменился DC ШИМ-а? Транзистор я взял BC-817, он может работать на частотах до 10 МГц. По моем у мнению, тогда на 120 кГц должно быть все отлично. Условия для транзистора в схеме ,по моему, идеальные... Так посему же изменился DC ? Заранее всем большое спасибо за ответы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 207 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба Транзистор работает абсолютно по учебнику, проблема называется "рассасывание неосновных носителей". Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
vervs 31 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 (изменено) · Жалоба поставьте мосфет с биполярным попробуйте уменьшить резистор с базы в землю до 1..2к Изменено 9 октября, 2012 пользователем _Vova Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Batman 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба Он у вас в ключевом режиме, а не линейном. Попробуйте снизить частоту или использовать полевой транзистор. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ToR_TDA 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба А на базе транзистора сигнал соответствует желаемому? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 5 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба У Вас сигнал на осциллографе прямой или инвертированный? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
iltch 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба Уважаемые форумчане, я думал про неосновные носители заряда.... Но как тогда этот транзистор будет работать на частоте 10 МГц. (там у него в datasheets fT (Current Gain Bandwidth Product) = 100MHz, при условии VCE=5V, IC=10mA f=50MHz) ???? Сигнал на базе сейчас посмотрю и выложу.... (Только перекину на дугую ножку процессора эту в процессе экспериментов спалил.) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
skyvmicro 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба Транзистор работает абсолютно по учебнику, проблема называется "рассасывание неосновных носителей". При влиянии рассасывания мы должны были видеть затягивание 0, а не 1. Какой сигнал на управляющей ножке микросхемы? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Batman 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 (изменено) · Жалоба Если бы биполярники могли работать на 10 MHz в ключевом режиме, зачем тогда MOSFET? На 10 MHz он сможет передать аналоговый сигнал (при смещенном базовом переходе) не потеряв коэффициента усиления. На картинке не видно, что затягивается, нужна привязка к управлению. Изменено 9 октября, 2012 пользователем Batman Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Snaky 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба При влиянии рассасывания мы должны были видеть затягивание 0, а не 1. NB: В осциллограмме сигнал инвертирован, похоже. Галка стоит. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
skyvmicro 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба NB: В осциллограмме сигнал инвертирован, похоже. Галка стоит. Параметра по времени рассасывания для этого транзистора в ТУ нет, а примерный аналог - КТ504 имеет время выключения 3.5мкс. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
iltch 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба Извините за задержку, надо было подключить схему к другой ножке порта и написать программу для этой ножки :-) Вот осциллограмма напряжения на базе транзистора: Как видно уже форма сигнала искажена. Вот осциллограмма напряжения на коллекторе. В первый раз выложил инвертированную осциллограмму спасибо что поправили На счет уменьшить резистор притягивающий базу к земле..... По моему это ничего не даст: неосновные носители заряда должны стекать на землю через транзистор порта микроконтроллера , я так думаю. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tanya 4 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба я так думаю. А сколько каналов у вашего осциллографа? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
iltch 0 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба Да время рассасывания в datasheeet не пишут..... Но ведь пишут что fT = 100 MГц!!!! Тогда что это за величина fT???? Может кто нибудь подскажет? Каналов у осциллографа два, но щуп один :-( Второй испортился. Но там видно по картинке (см. V_collector.png в первом посте (помним что там сигнал инвертирован)) выбросы они как раз соответствуют моментам когда контроллер переключает управляющий сигнал с 1 на 0. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 9 октября, 2012 Опубликовано 9 октября, 2012 · Жалоба Правильно Вам пишут, рассасывание у этого 817 такое. Про 10 Мгц забудьте - это не для ключевого режима параметр. Из простых советов - ставьте база эмиттер 330 Ом , в коллекторе 470 Ом ( если питание 3.3 V и не жалко потребляемого тока.) а еще лучше - замените ваш 817 на транзистор PH2369 или подобный с такими циферками (PMBT2369 ) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться