[rfsyn 1]

Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?

 

Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается?

 

никак. с комплексным импедансом порта вас ждет фееричный активный S11. проверьте в hfss ему все равно на что нормировать.

этот импеданс моделируется не так: 300Ом порт + последовательный (или параллельный) реактивный элемент.

и... моделируйте лучче это в hfss, быстрее будет. :-)

 

Можно попробовать провести моделирование в базисе 50 Ом с помощью FEM, создать EM-Component и перенести его в схематик. В схематике уже моделировать с требуемым импедансом на входе.

 

Коллеги, помогите кто сможет!

 

Хочу импортировать в ADS 2014 элемент описанный файлом в формате HSPICE. Импортируется не пойми что. Пробовал с этим работать - не получается.

 

Может кто попробует? (Файл прилагаю).

 

Или это бесполезно и лучше не мучатся?

 

nc7sz08fp5.zip

 

В схематик можно использовать Include Netlist и подключить таким образом требуемый файл. Затем расставить порты, для которых задать имена соответствующие subcircuit в списке соединений. Должно работать.

[saab 2]

Вышел ADS2015.

 

[Skandalli 1]

Такой вопрос. Есть схема, необходимо ее промоделировать по S-param. Упрощенный вариант в аттаче. Суть такая, что параллельно измеряемому устрйоству висит микросхема, входной импеданс которой описан таблицей 0.98 102.42 -105.03 (freq, Re Im). я параллельно измеряемому устройству вешаю еще один терминатор с сопротивлением не 50, а 102.42-J*105.03 и провожу симуляцию в одной точке 980 Мгц, получаю результат.

Потом вместо терминатора вешаю S1P (см. рис.) и результат, мягко говоря странный. И это я еще использую только одну строку таблицы, а мне надо около 10 строк. Что я делаю не так?

[V_G 11]

1. Не видно странности результата, т.к. результат не приведен.

2. А схема странная, для S1P не нужно 2 терминатора. Или в term2 есть какой-то сакральный смысл?

[Skandalli 1]

Суть такая: входной сигнал идет на микросхему с сопротивлением 50 Ом (Term2). И через емкостной делитель на другую микросхему, сопротивление которой частотнозависимое (описывается в соответствии с даташитом как a-jb). Мне надо посмотреть, насколько изменится поведение основной микросхемы, если на дополнительной микросхеме сопротивление будет комплексным, а не 50 Ом. Сейчас я выкинул емкостной делитель, дабы не путаться.

Результат отличается, все ж таки.

 

И еще, есть подозрение, что должен использоваться RefNets - я прав или нет?

 

[rfsyn 1]

Суть такая: входной сигнал идет на микросхему с сопротивлением 50 Ом (Term2). И через емкостной делитель на другую микросхему, сопротивление которой частотнозависимое (описывается в соответствии с даташитом как a-jb). Мне надо посмотреть, насколько изменится поведение основной микросхемы, если на дополнительной микросхеме сопротивление будет комплексным, а не 50 Ом.

И еще, есть подозрение, что должен использоваться RefNets - я прав или нет?

 

На первой схеме к Term3 и 5 не подключена земля. Расчет скорее всего будет ошибочным.

 

Судя по второй (упрощенной) схеме у Вас два 50-омных устройства и посередине шунт на землю.

Для упрощения задачи можете вместо дополнительных Term использовать обычный резистор с комплексным сопротивлением - тогда не будет доп.портов. Чтобы задать параметрически R комплексное для разных частот можно использовать DAC-компонент. В этом случае S21 (передачи мощности от ИМС1 к ИМС2) будет считаться в 50-омном базисе.

 

[Skandalli 1]

Здравствуйте. Разбираюсь с Em моделированием, есть вопросы по подложкам, т.к. не приходилось еще заниматься эм анализом. Вот у меня есть layout (FR4, Rogers, неважно) с посчитанным фильтром на микрополосках или, например усилитель на SMD компонентах. Как правильно указывать при разметке слоев, что есть что?

Т.е. верхний слой металлизации - это strip plane или slot?

на рис. - 1 - это sheet и по идее, это и есть проводящий слой (разведенная топология)

а 2 на рис - это железки, припой, который стоит поверху слоя металлизации - intrude into substrate .

Но в мануале сказано, что если есть sheet, то momentum и прочее не считают потери проводника. Отсюда возникает вопрос, а правильно ли я определился? Потери-то в слое металлизации не могут же не учитываться

[rfsyn 1]

Как правильно указывать при разметке слоев, что есть что?

Т.е. верхний слой металлизации - это strip plane или slot?

на рис. - 1 - это sheet и по идее, это и есть проводящий слой (разведенная топология)

а 2 на рис - это железки, припой, который стоит поверху слоя металлизации - intrude into substrate .

что если есть sheet, то momentum и прочее не считают потери проводника. Отсюда возникает вопрос, а правильно ли я определился? Потери-то в слое металлизации не могут же не учитываться

 

Верхний - strip.

Правильнее наверное обойтись одним слоем металла - cond1 для верхнего проводника, а cond2 при необходимости использовать для внутренних слоев или нижнего слоя (земля), если его конфигурация отличается от сплошной заливки. Вряд ли припой удасться промоделировать просто металлом, да и нужно ли это? Лучше исключить.

Относительно sheet и thick. Потери (омические) будут учтены и в том, и в другом случае. А вот токи по бокам МПЛ - только в thick. Для усилителя это не критично, а на параметры фильтра может влиять. Посмотрите готовые примеры Microstrip фильтров и LNA.

[Skandalli 1]

Относительно sheet и thick. Потери (омические) будут учтены и в том, и в другом случае. А вот токи по бокам МПЛ - только в thick. Для усилителя это не критично, а на параметры фильтра может влиять. Посмотрите готовые примеры Microstrip фильтров и LNA.

thick - что Вы имеете ввиду под этим? Вроде как это нигде не фигурирует, при задании многослойной платы? Или я не прав?

[rfsyn 1]

thick - что Вы имеете ввиду под этим? Вроде как это нигде не фигурирует, при задании многослойной платы? Или я не прав?

В классических ЭМ 2,5 САПР можно задать бесконечно тонкий металл (thin) или металл конечной ширины (thick). В новых версиях ADS появилась возможность (уже лет 5 как) для thick-металла указывать и "распространение" ширины: intrude/expand, что особенно актуально для многслойных структур: ПП, модулей и др.

В первом случае (thin) расчет быстрее в ущерб точности. Во-втором, ситуация обратная. Какой тип задания толщины МПЛ использовать решает пользователь. Для МПЛ-фильтров с F более 3...5ГГц предпочтительнее задавать МПЛ все-таки с конечной шириной.

Надеюсь ответил на Ваш вопрос.

Изменено 10 марта, 2015 пользователем nik_us

[l1l1l1 0]

... Для МПЛ-фильтров с F более 3...5ГГц предпочтительнее задавать МПЛ все-таки с конечной шириной.

...

как мне кажется, вы хотели написать "с конечной толщиной".

[rocky91 0]

Здравствуйте! Нужна консультация по такому вопросу! Можно ли в ADS (на примере усилителя) каждый каскад промоделировать в отдельной схеме (Schematic), а потом связать вместе все каскады? (то есть, чтоб окончательная схема была в виде связанных блоков (ну чтобы не тащить все элементы каждого с каскадов - ухудшается читаемость проекта)). В Microwave Office такая возможность реализации проекта - есть, а в ADS присутствует? Если есть, то подскажите как это реализовать с помощью интерфейса программы? Заранее спасибо!

[ser_aleksey_p 0]

Здравствуйте! Нужна консультация по такому вопросу! Можно ли в ADS (на примере усилителя) каждый каскад промоделировать в отдельной схеме (Schematic), а потом связать вместе все каскады? (то есть, чтоб окончательная схема была в виде связанных блоков (ну чтобы не тащить все элементы каждого с каскадов - ухудшается читаемость проекта)). В Microwave Office такая возможность реализации проекта - есть, а в ADS присутствует? Если есть, то подскажите как это реализовать с помощью интерфейса программы? Заранее спасибо!

 

Можно, это элементарная функция подобного рода программ. Каждая Schematic, Layout регистрируется в Библиотеке проекта. Вставляйте из Библиотеки в общую схему сколько угодно ранее созданных схем. Пошукайте по примерам и хелпу - все интуитивно просто.

[V_G 11]

Там можно не просто целую схему вставлять, а ее условное обозначение (квадратик, треугольничек или любую фигуру, сами создаете) с нужным числом выводов.

[rfsyn 1]

Можно ли в ADS (на примере усилителя) каждый каскад промоделировать в отдельной схеме (Schematic), а потом связать вместе все каскады? ... Если есть, то подскажите как это реализовать с помощью интерфейса программы?

 

Данный подход называется иерархический дизайн ("Hierarchical Design") и является наиболее правильным при проектировании относительно сложных устройств и систем по отношению к "все компоненты в одной схеме".

Более подробно можно ознакомиться в справке, задав в качестве ключевого слова в поиске Creating Hierarchical Designs.

В качестве элементов подсхемы можно использовать как сами элементы (транзисторы, резисторы, диоды, конденсаторы, МПЛ и др.), так и результаты моделирования или измерений (например, блок с S-параметрами) или топологическое представление, о котором уже говорилось ранее.

 

В качестве подробных примеров рекомендую обратиться также к встроенным DesignGuide, которые доступны из окна Schematic, например усилителей (Power Amplifier) или смесителей (Mixers). Если предполагается к освоению ADS версии 2011 и выше, то символ создается практически автоматичеки для необходимого схемотехнического представления из дерева проектов - правой кнопкой мыши кликаете на нужный Cell и выбираете New Symbol...Главное правильно задать порты, чтобы не было ошибок при моделировании.

Удачи!

Изменено 25 марта, 2015 пользователем nik_us