[_Maks 0]

Не верьте, дело Ваше, но мне кажется производитель чипов памяти знает, как лучше проектировать дизайн под его память

Я не хочу слепо верить, я хочу понимать. И вам рекомендую.

Изменено 28 мая, 2012 пользователем _Макс

[Uree 1]

Хотите понимать? Тогда поднимайте теорию длинных линий, считайте КСВ/КБВ, а в данном конкретном случае - выбросы на фронтах(overshot/undershot). Собственно именно их величина зависит от импеданса драйверов и линии передачи.

[_Maks 0]

Хотите понимать? Тогда поднимайте теорию длинных линий, считайте КСВ/КБВ, а в данном конкретном случае - выбросы на фронтах(overshot/undershot). Собственно именно их величина зависит от импеданса драйверов и линии передачи.

О выбросах на фронтах (overshot/undershot) мне известно давно, а вот, как именно это связанно с волновым сопротивлением, не могу понять.

[VladimirB 1]

О выбросах на фронтах (overshot/undershot) мне известно давно, а вот, как именно это связанно с волновым сопротивлением, не могу понять.

В гиперлинксе поставьте 40ом и 55ом и сравните овершуты.

 

З.Ы. Для лучшего понимания

можно вручную диаграмму Бержерона нарисовать для длинной линии с нелинейными драйвером/нагрузкой на концах.

[Doomsday.machine 0]

О выбросах на фронтах (overshot/undershot) мне известно давно, а вот, как именно это связанно с волновым сопротивлением, не могу понять.

Напрямую связано. Отражения от несогласованных нагрузок искажают форму сигнала.

[Uree 1]

Несогласованность связки линия-приемник приводит к возникновению в линии отраженного сигнала. Больше несогласованность - больше отражение. Сложение отраженки с сигналом дает овер-андершуты. Это если совсем на пальцах. Реально еще сложнее, но на то и программы нынче существуют, позволяющие это дело оценить. В институтские времена таких не было, целые расчетные задания с телеграфными уравнениями по пол-тетрадки расписывали, что там в линии происходит в каком сечении да на какой нагрузке или без нее. Так что с пониманием да, разбираться надо:) Только если у Вас теории цепей-сигналов в курсе преподавания не было, то разбираться будет тяжело... А если было, то Вы уже это понимать должны.

[jks 0]

Если Z нагрузки меньше Z0, то при отражении от нагрузки фаза сигнала (напряжение) меняется на противоположную

и отраженная часть возвращается к источнику и вычитается из напряжения источника.

Если Z нагрузки больше Z0, то при отражении от нагрузки фаза сигнала (напряжение) не меняется

и отраженная часть возвращается к источнику и складывается с напряжением источника.

Таким образом если источник и нагрузка не согласованы с волновым сопротивлением линии происходят многократные отражения.

И сигнал таким образом "бегает" вдоль линии пока не затухнет (достигнет уровня тепловых шумов).

 

Если один из концов линии согласован, то происходит только одно отражение.

 

Еще надо учитывать длину линии.

 

Если задержка сигнала в линии (туда-обратно) меньше длительности фронта,

то переходной процесс носит апериодический характер (отсутствует звон),

если больше, то переходной процесс носит характер затухающих колебаний.

Причем чем лучше согласование, тем меньше амплитуда выбросов.

 

Опять же влияют потери в линии.

Чем выше потери в линии тем меньше влияние несогласованной нагрузки. (использование последовательных демпфирующих резисторов).

 

Ну и самое главное.

Импеданс - величина комплексная Z = R + jX. Нагрузка может содержать ненулевую реактивную составляющую.

Т.е. иметь действительную часть равную волновому, но мнимую часть не равную нулю (нелинейная емкость контакта тот самый случай).

При этом тоже происходит отражение.

 

Переходное отверстие - тоже неоднородность от которого происходит отражение.

И в каком месте трассы оно расположено, тоже влияет на качество согласования линии.

Если индуктивность переходного отверстия согласована с емкостью пина, то можно получить компенсацию. ( SQRT(Lvia/Cpad) == Z0 )

 

maksimychev_part2.pdf

 

Так что есть над чем задуматься.

 

Изменено 29 мая, 2012 пользователем jks

[Uree 1]

Угу, а еще не забываем, что полупроводники никак не могут иметь чисто активный характер нагрузки, реактивность обязательно есть, да еще и весь этот цирк частото-зависимый...

[_Maks 0]

Читаю доки, вижу разные волновые сопротивления под которые рекомендуется оптимизировать трассы. И если для single-ended это от 40 до 50 Ом, то для диф. пар даже 75 рекомендуют. (Хотя я свято верил, что там должно быть 100). Но вот незадача, ни в одном даташите на чип DDR3 не нашел упоминания волнового сопротивления под которое оптимизирован драйвер. Эти цифры берутся с потолка, как рекомендация?

[_Maks 0]

При выравнивании, какой можно порекомендовать минимальный зазор проводника к самому себе для одинарных и дифференциальных трасс? Об этом почему-то нигде не упоминается :(

[vitan 2]

При выравнивании, какой можно порекомендовать минимальный зазор проводника к самому себе для одинарных и дифференциальных трасс? Об этом почему-то нигде не упоминается :(

(2.5...3) от его ширины.

 

[_Maks 0]

(2.5...3) от его ширины.

Вы уверены, что зазор проводника к самому себе не может быть меньше чем к другим проводникам? Понимаю, что проводник может наводить сам на себя помехи с задержкой, но ведь при амплитуде змейки 2-3 мм задерка не превысит 20пс, едва ли это можно будет наблюдать на осциллографе и назвать переотражением.

[vitan 2]

Вы уверены, что зазор проводника к самому себе не может быть меньше чем к другим проводникам? Понимаю, что проводник может наводить сам на себя помехи с задержкой, но ведь при амплитуде змейки 2-3 мм задерка не превысит 20пс, едва ли это можно будет наблюдать на осциллографе и назвать переотражением.

О других проводниках речи не шло.

Дело не в наведении помех, а в том, что змейка превращается в неплохую катушку индуктивности, если есть много параллельных участков с маленьким расстоянием.

[vicnic 0]

Читаю доки, вижу разные волновые сопротивления под которые рекомендуется оптимизировать трассы. И если для single-ended это от 40 до 50 Ом, то для диф. пар даже 75 рекомендуют. (Хотя я свято верил, что там должно быть 100). Но вот незадача, ни в одном даташите на чип DDR3 не нашел упоминания волнового сопротивления под которое оптимизирован драйвер. Эти цифры берутся с потолка, как рекомендация?

 

Математически получется, что если одиночное сопротивление проводника в паре около 40 Ом, а пара тесно связанная (расстояние между проводниками прмерно равно ширине проводника), то дифференциальное сопротивление не будет выше 80 Ом.

[malkut.ss 0]

Я разводил DDR3 с простым импедансом в 50 Ом - клоки -100 Ом. Такую доку присылал заказчик.