Поиск

Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов солнечных батарей – новую карбид-кремниевую или традиционную кремниевую? Еще не так давно считалось, что характеристики инверторов для солнечных электростанций достигли своего технического максимума, и дальнейшее их повышение, из-за недостатков и ограничений существующей элементной базы, маловероятно. Однако в последнее время в конструировании этого типа устройств появилось два новых направления, причем оба положительно сказываются на всех ключевых характеристиках этих преобразователей, в первую очередь – на величине КПД и удельной мощности. Первый способ заключается в замене традиционных кремниевых транзисторов их аналогами, изготовленными из полупроводников с большей, чем у кремния, шириной запрещенной зоны, например, из карбида кремния. Второй способ направлен на поиск новых схемотехнических решений силовой части, позволяющих создавать преобразователи на основе традиционных низковольтных кремниевых MOSFET, имеющих намного лучшие характеристики, чем их высоковольтные аналоги. Использование новых решений позволило создавать инверторы, КПД которых может превышать 99%, что при использовании традиционных принципов построения является недостижимым результатом. В статье рассмотрены ключевые особенности обоих подходов, а также вопросы, на которые нужно обращать внимание при выборе того или иного метода. Читать статью >>

Добрый день. В двух словах: Сделал ограничитель сетевого напряжения (срезает верхушки синуса на уровне 450 В). Для защиты покупного источника от перенапряжений. Использую транзисторы в линейном режиме с обратной связью через оптрон и стабилитрон (трансил). Выбрал SiC потому что у них меньше потери в открытом состоянии (при прочих равных). Покупной источник при перенапряжении отключается и потребляет минимальную мощность для подзарядки накопительного конденсатора и работы дежурного источника. Так что перегрева транзисторов в линейном режиме быть не должно. Похоже что транзисторы умирают по затвору. Были обнаружены SiC транзисторы с сопротивлением затвора порядка 10 кОм и меньше (даже до 200 Ом) при этом вполне рабочие. В линейном режиме (в момент подзарядки конденсатора внешнего источника) происходит самовозбуждение SiC транзистора (частота порядка 100 МГц) и похоже что это его и убивает. Транзисторы обвешаны защитными диодами и конденсаторами со всех сторон но это не помогает ни сбить автогенерацию ни спасти транзистор. На осциллограммах синяя-выходное напряжение, красная- затворы транзисторов, чёрная-щуп на земле (наводка). Видно что на ХХ всё работает нормально а вот при подзарядке конденсатора внешнего блока меняется режим работы транзистора и он входит в автогенерацию. Ток подзарядки в пике не превышает 0.5 А Плавно повышая напряжение через латр колебания растут по амплитуде и потом транзистор умирает, причём если его не добивать то можно поймать момент когда он рабочий но с сопротивление затвора уже не гигаомы а килоомы. Посоветуйте пожалуйста, что можно предпринять чтобы избавиться от генерации.

Современные информационные технологии, такие как облачные хранилища данных или виртуальные интернет-магазины, давно стали частью нашей жизни, а их наличие и бесперебойная работа теперь являются обязательными условиями для успешной реализации коммерческих проектов любого уровня. Однако круглосуточная поддержка подобных сервисов приводит к ощутимому росту энергопотребления, а это в свою очередь заставляет принимать дополнительные меры по повышению эффективности использования электроэнергии, потребляемой для этих целей. В число таких мер входит увеличение КПД и коэффициента мощности устройств, обеспечивающих питание информационного оборудования. Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид-кремниевых MOSFETs производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также значительно снизить занимаемый ими объем и стоимость комплектующих. Читать статью >>

Компания Wolfspeed выпустила семейство SiC MOSFETсиловых модулей 12 класса – Wolfpack GM3 на токи до 200 А. Подробнее

Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила референс-дизайн 25 кВт преобразователя с активным выпрямителем (Active Front End) на основе SiC-МОП 1200 В силовых модулей WolfPack – CRD25AD12N-FMC. Подробнее

Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила SiC силовой модуль 1200 В 530 А на чипах третьего поколения SiC MOSFET в корпусе 62 мм - CAB530M12BM3. Подробнее

Компания Wolfspeed/CREE представила референс-дизайн трёхфазного инвертора мощностью 600 кВт на базе силовых полумостовых SiC MOSFET 1200 В 450 А модулей CAB450M12XM3 – CRD600DA12E-XM3. Подробнее...

Компания Amantys Power Electronics приступила к разработке драйверов совместимых с силовыми SiC модулями ABB LinPak и Hitachi nHPD2. Подробнее...

В ООО «НПП «ИНКАР» г. Королев, в отдел занимающийся созданием прорывных научно-исследовательских разработок в области силовой и аналоговой электроники, приглашаем к долгосрочному сотрудничеству молодых и амбициозных соискателей на вакансию «Старший инженер-электроник». Обязанности: Разработка схемотехники, конструкции и ПО разнообразных нестандартных источников питания и преобразователей энергии: AC/DC, DC/DC, DC/AC, 3-фазных, привода электродвигателей. Разработка сложных моточных изделий (трансформаторов и дросселей). Внедрение и авторское сопровождение разработанных изделий на производстве. Требования: Опыт в разработке силовых преобразователей, источников питания, приводов. Опыт в расчёте и разработке сложных моточных изделий: трансформаторов, дросселей. Опыт в решении ЭМС проблем. Опыт разработки 3-фазных преобразователей. Умение макетировать, программировать и настраивать схемы. Хорошее знание иностранной и российской аналоговой силовой электронной компонентной базы (MOSFET, IGBT, Thyristor, Diode, Power Modules, ... ). Опыт владения одним из САПР по разработке схемотехники и конструкции печатных плат (P-CAD, OrCAD, Delta Design и т.п.). Опыт владения САПР КОМПАС-3D. Программирование микроконтроллеров. Будет большим плюсом опыт в разработке высоковольтной техники. Высшее техническое образование; Свободное чтение англоязычной технической литературы Стремление к профессиональному развитию; Креативность, амбициозность, высокий уровень обучаемости, работа в команде. Условия: Официальное трудоустройство; Удобное расположение (станция Подлипки-Дачные, 5 мин.); Высокий уровень заработной платы от 80 тыс.руб. и до 130 тыс. руб. (обсуждается по итогам собеседования); График работы: 5/2, с 8.00 до 17.00; Полный социальный пакет; Работа в удобном офисе на комфортном рабочем месте; Перспективы профессионального, научного и карьерного роста; Ключевые навыки: Силовая электроника, ЭМС, AC/DC, MOSFET, IGBT, Diode, Power Modules, SiC, GaN, Конструктор поиск.doc

Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Эти устройства позволяют работать с высокими напряжениями (от 600 В до 1700 В), а также с высокими частотами коммутаций, что обеспечивает рост эффективности, уменьшение габаритных размеров и снижение массы силовых приложений, а это в свою очередь дополнительно повышает эффективность транспортного средства. Эффективность имеет огромное значение особенно для электромобилей (EV) и автомобилей с гибридной силовой установкой (HEV). Именно высокая эффективность гарантирует увеличение дальности автономной езды и позволяет разработчикам использовать малогабаритные аккумуляторы в небольших автомобилях. Однако для работы с новыми транзисторами на базе широкозонных полупроводниковых материалов необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Читать далее...