Перейти к содержанию
Поиск
    

tobias_ivan

Участник
 Профиль  Обзор контента

  • Постов

    141

  • Зарегистрирован

  • Посещение

 Тип контента 

Сообщения, опубликованные tobias_ivan

  3. Опубликовано · Пожаловаться

    Не знаю как для АВР, а вот для МСП в ИАРе есть в настройках проекта закладка, где можно в явном виде указать размер стека и кучи

    General options->Stack/Heap

    Так мне как раз в явном и НЕ НАДО. Я хочу чтоб программа автоматически определяла объем подключенного ОЗУ и использовала его в полном объеме.

  4. Опубликовано · Пожаловаться

    Добрый день, форумчане!

     

    Столкнулся с проблемой, суть которой в следующем. Раньше мы выпускали прибор (на ATmega128) с емкостью ОЗУ 32к. Программа написана на С++ в IARAVR, где в настройках жестко указан и размер памяти и размер кучи, похоже в виде констант. Теперь в него добавили памяти до 64к. Определить автоматически объем ОЗУ - 32к или 64к - вроде не проблема. А вот как в ходе выполнения программы указать менеджеру кучи, что можно выделять больше, пока не дотелёпал.

     

    Может кто-то подскажет решение.

     

    Спасибо.

     

    ЗЫ. Две прошивки делать не хочется.

  6. Опубликовано · Пожаловаться

    Вопрос: а можно ли воспользоваться не Аuto Cad, а Solid Works ? 3D модели в SW делать удобнее, DXF экспорт/импорт там есть.

    Если да, то с удовольствием потестил бы. Мыло в профиле есть.

     

    В принципе можно пользоваться любым редактором, но понадобится доработка в AutoCad. Модель хранится не в рабочем поле файла - он пустой, а в т.н. Block - название блока соответсвует названию файла.

    В общем доработка не сложная - содержимое dxf файла преобразовать в объект Block - название блока должно совпадать с названием файла, файл помещается в директорию db, а название файла с 3d-моделью указывается в свойстве компонента в P-CAD Componet3DModel.

     

    ЗЫ. Письмо Вам отправил с форма без программы, т.к. прикрепить его там не смог. Собственно Ваше мыло для использования в другой программе у меня не отображается.

  7. Опубликовано · Пожаловаться

    Добрый день, форумчане!

     

    Предлагаю Вашему вниманию программу для автоматического создания объемного изображения в AutoCAD печатной платы по данным P-CAD.

     

    Сразу хочу сказать, что программа была создана по мотивам "Конструктор плат х.хх" (http://www.verzak.ru/progs.htm#pcbdes) и с молчаливого согласия ее автора получила аналогичный интрефейс.

     

    Однако в моей программе реализован функционал, отсутсвующий в указаной выше программе - компоненты на плату загружаются только в виде объемных моделей из отдельных файлов .dxf, в которых они находятся в виде блоков (Blocks).

    Модели подготавливаются также в AutoCAD.

     

    Пока программа тестировалась только на P-CAD 2002 и AutoCAD 6. К сожалению руки пока не дошли до описания.

     

    Моя программа бесплатная, полностью рабочая в объеме реализованного функционала, необходимо только нарисовать необходимые 3D-модели.

     

    Всем желающим ознакомиться и использовать ее в своей работе могу отправить на e-mail.

     

    Спасибо за внимание.

     

    ЗЫ. Прилагаю скриншоты PCAD, программы и результата ее работы в AutoCAD.

    post-8321-1206006932_thumb.jpgpost-8321-1206006921_thumb.jpgpost-8321-1206006910_thumb.jpg

  9. Опубликовано · Изменено пользователем tobias_ivan · Пожаловаться

    1. Делается релейный блок с переключением термопар на один вход регулятора.

    2. Входы в блок - провода термопар, выходы из тех же материалов заводятся в регулятор.

    Фишка в том, что термопара одна. А вот измерителей два: регулятор и мой.

    Поэтому, чтобы снять напряжение (ЭДС) с концов ТП, ИМХО, достаточно параллельно в клеммы с ТП подключить свои провода. Для термокомпенции датчик температуры холодных концов расположить рядом с разъемом, а то и сделать термоконтакт с проводом ТП. Ясно, что будет некоторая погрешность, которая для моей платы будет скомпенсирована при калибровке.

     

    И самый главный вопрос: такие манипуляции не приведут ли к неверным показаниям регулятора?

  10. Опубликовано · Пожаловаться

    Хм. Меня мущает следующий факт. Наверняка выходное сопротивление термопары и входное сопротивление измерителя уже подключенного прибора согласованы (ну даже если не согласованы, то это устранено калибровкой). Подключение второго измерителя (моего) хоть и с большим, но конечным входным сопротивлением внесет в линию рассогласование. В результете чего, предполагаю, показания существующего прибора, мягко говоря, не будут соответсвовать истинным. Может я конечно не в теме, тогда прошу меня поправить.

  11. Опубликовано · Изменено пользователем tobias_ivan · Пожаловаться

    Тогда добирайтесь, пока существует возможность...

     

    хм... :07: (ЗЫ. Типа хватай пару штук и беги домой пока трамваи ходят!)

    А кто-нибудь делал такое?

  13. Опубликовано · Пожаловаться

    Добрый день!

    Подниму эту тему, как наиболее близкую.

    Начальные условия:

    Имеется прибор для измерения температуры от термопары (итальянский, названия пока не знаю, залесть внутрь не удастся, возможно это регулятор). Прибор не имеет интерфейса для связи с внешним миром, температуру отображает на цифровом табло. Термопара (тип пока не знаю) встроена мертво в цистерну, температура которой собственно и измеряется.

     

    Задача:

    Получить значение температуры для передачи его при помощи нашей каналообразующей аппаратуры.

     

    Собственно вопрос:

    Существует ли возможность подключить к выходу термопары (подключенной к строннему измерителю-регулятору) собственный измерительный блок без нарушения работу стороннего измерителя-регулятора? Если существует, то при каких условиях?

     

    Прошу высказывать имеющиеся мнения, спасибо за ответы.

  14. Опубликовано · Пожаловаться

    Всем спасибо!

    Разобрался сам, методом тыка, поэтому механизм так и остался нераскрытым. Нужно добавить две строки

    перед "include "macros.m90"" - "#define _ECLIB_ECPP" и в самом конце "#undef _ECLIB_ECPP".

     

    Если кто-то знает что-либо относящиеся к этому вопросу, как говорится "велкам"!

  16. Опубликовано · Изменено пользователем tobias_ivan · Пожаловаться

    Прошу помочь, прикрутил файл cstartup.s90 r к проекту, а он мне в ответ:

     

    Warning[w11]: Module ?C_STARTUP declared twice as library. Redeclared in file C:\IAR\EWAVR\avr\LIB\DLIB\dlAVR-3s-ec-n.r90, ignoring second

    module

    Error[e46]: Undefined external "?call_ctors" referred in Vimem ( D:\...\vamlib\Release\exe\vamlib.r90 )

     

    Не могу ничего понять?!... :help:

     

    ЗЫ. Ошибку выдает линковщик. У меня основной проект включает несколько дополнительных проектов, собираемых как библиотеки и подключаемых с помощью опции -С.

    Я собрал тестовый проект, в котором отсутвуют дополнительные проекты, сборка проходит номально и cstartup подключается. :05:

  17. Опубликовано · Пожаловаться

    Опс! Извиняюсь за небрежность! :unsure: Вставил схему прямо из моделировщика. Там не должно быть соединения. Кроме того имеет смысл заменить одно плечо из резисторов конденсатором, чтобы исключить ложные срабатывания при наличии постоянной составляющей.

    2rezident

    Спасибо за участие!

    Вообщем сошлись на том, что схему надо переделать... должна быть гальваническая изоляция!

  18. Опубликовано · Изменено пользователем tobias_ivan · Пожаловаться

    Пример. В компьютерных БП AT и ATX общий провод вторичных цепей соединен с корпусом, заземляющим (третьим в розетке) выводом и средней точкой входного сетевого фильтра.

    Насчет наводки на вход от длинной линии...

     

    Все так. Есть только одно НО. В ТУ на наш щит сопротивление изоляции (т.е. между соединенными питающими проводами и точкой для заземления) должно быть не менее 1 МОм. В Вашей схеме, равно как и в нашей, т.к. они очень похожи, на вскидку это сопротивление при заземлении общего провода (по Вашей схеме нижний провод от V1 24В) будет порядка 30кОм.

     

    ЗЫ. Вопрос: а в Вашей схеме-то минусовой провод питания V1 заземлен? Или все работат без заземления?

  19. Опубликовано · Пожаловаться

    Силовой щит питается от сети трехфазного тока 380В 50 Гц. В щите установлено микропроцессорное устройство и плата детектирования питания в отходящих линиях.

    Плата явно кривая, разработка метного "кулибина", вход: резистор 100 кОм и диодный мост, выход - оптрон. При отсутсвии на входе напряжения на выход проникает помеха 50 Гц, причем довольно сильная - микропроцессор, не имея алгоритма фильтрации помехи, фиксирует сработку с соответсвующей частотой.

    "Кулибин" предложил (и сделал) заземление минусового провода на корпус щита - помеха пропадает. На корпус также подключен и нулевой провод питающей сети (с глухозаземленной нейтралью, ИМХО, если не перепутал термины)

    По ТУ необходимо проверять электроизоляцию путем подачи ~1500 В между корпусом и закороченными питающими входами. В итоге (учитывая что БП имеет соответсующую изоляцию) это напряжение оказывается подведенным между резистором и одним из диодов моста этой самой платы детектирования питания. ИМХО, при таких условиях лучше это испытания не делать.

    Я говорю, что заземлять минусовой провод нельзя и надо переделывать платы. "Кулибин" ни в какую.

    Чем его можно урезонить, или я не прав в своих рассуждениях?

     

    ЗЫ. Предварительно просмотрел ПУЭ, вроде можно подключать минус на корпус. Устроить фейверк что-ли!?

  22. Опубликовано · Пожаловаться

    Хорошо, силовую часть можно тестировать.

     

    Осталось еще два принципиальных вопроса:

     

    - по схеме, что лучше использовать для питания микроконтроллера, нужно 5В;

     

    - и электробезопасность:

    Ставить трансформатор для гальванической развязки совершенно не хочется, т.к. цена становится космической для таких мощностей. Тем более, что мостовая схема дает синус без постоянной составляющей.

    Где найти эти требования, а также требования по качеству выходной электроэнергии?

  23. Опубликовано · Изменено пользователем tobias_ivan · Пожаловаться

    О разных режимах управления. Вариант нормер раз, это когда постоянно идет управления четырмя транзисторами. А вариант нормер два, это когда идет управление верхнюю полуволну идет управления первым и четвертым, нижнюю полуволну - вторым и третим. Если я все правильно понял, то в этом случае, алгоритмы работы отличаться должны.

     

    Ага, понятно. Я предполагал использовать вариант номер два. НО, вот что подумалось: вероятно вариант номер два не очень хорошо будет работать на реактивную нагрузку. Думаю за первый полупериод 50Гц (работают 1-й и 4-й транзистор) энергия в реактивном элементе будет накапливаться, и к концу полупериода получим аккурат напряжение питания на выходе. Во второй полупериод будет тоже самое но с обратным знаком. Так думаю... придется заморачиваться в вармантом номер 1.

     

    Про диоды. Есть схема - та которая используется на материнках. Там два транзистора, после них идет индуктивность и конденсатор. Она работает точно также как и этот преобразователь в верхний полупериод. В той схеме что на материнке, можно заменить нижний транзистор - диодом. (потери увеличатся) Интерент тормозит, я не могу найти как эта схема называется.

    Где посмотреть?

  24. Опубликовано · Пожаловаться

    Так вот вопрос остается открытым: нет ли зависимости параметров ШИМ от изменяющейся нагрузки ?

    Протормозил я. Не до конца понял. Если управлять двумя транзисторами сразу, то нет такой зависимости. Если по очереди, то есть, нужно делать обратную связь по напряжению итд. Просто планирую рулить сразу двумя транзисторами, и зациклился на этой идеи.

     

    Не понял, может мы о разных схемах говорим?

    Ести управлять только одним транзистором плеча, то как потечет ток в нагрузку?

    И как заменить один транзистор диодом?

    Вот мой вариант с осциллограммой.

    sin.bmp

  25. Опубликовано · Изменено пользователем tobias_ivan · Пожаловаться

    Это не этой ли темы продолжение?

    http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=19617

     

    Прочитал, сплошной флуд

    Но, у меня задача очень реальная и приземленная, и с вечным двигателем рядов не стояла.

    В приведенной теме полезной информацией является фраза "ведро сгоревших транзисторов". Поэтому и прошу информацию по теме.

     

    2Artem-1.6E-19

    Идея немного другая. Прикрепил упомянутый файл, рисунок 3 показывает работу ШИМ для генерации синуса.

    Я предполагаю использовать мостовую схему. ШИМ настроить на генерацию полуволны. Тогда первый полупериод работает одно плечо моста, второй - второе плечо. Опять же используя формулу, теоретически можно добиться любой амплитуды менее 550 В.

     

    Чтобы от импульсов перейти к форме похожей на синус, нужно пропустить это через фильтр.

     

    Так вот вопрос остается открытым: нет ли зависимости параметров ШИМ от изменяющейся нагрузки ?

     

    И еще, эти самые 550 В имеются только у заказчика, у меня нет возможности организовать начальные испытания в натуре. Насколько объективны будут испытания, проведенные на низком напряжении, скажем 55 В?

     

    2wim

    Пока писал, Вы картинкой уже показали то, что я планирую сделать!

    doc1982.pdf

×
×
  • Создать...