eugeny_bt

А ведь ерунду ж написал, только сейчас заметил. Прошу прощения. С_суммар = 1 / (/2^0/C + 2^1/C + 2^2/C + 2^3/C ...) И площадь банка при последовательном включении конденсаторов как минимум в два раза больше площади банка с параллельно включенными конденсаторами в том же диапазоне перестройки.

Погорячился. Не такая уж она большая (площадь). У меня для RC-цепочки получилось сделать так: выбираем емкость конденсатора (С), который будет обеспечивать минимальную частоту среза, он будет подключен постоянно и ставим его в банке последним. Далее последовательно с ним ставим такой же по емкости конденсатор, параллельно ему ключ. Ключ открыт - суммарная емкость С, закрыт - суммарная емкость С/2. Следующий последовательный каскад уже с емкостью С/4, следующий за ним - С/8 и т.д. С_суммар = 1 / (1/2^0*C + 1/2^1*C + 1/2^2*C + 1/2^3*C ...) Шаг перестройки при моделировании с экстрагированной моделью ключа получился непостоянным, максимальным при fср_max, далее постепенно убывающим при снижении частоты среза. Но этот максимальный шаг перестройки возможно приемлем для некоторых задач. Сходу получился шаг не более 1,5 МГц в диапазоне до 40 МГц, далее нужно корректировать емкости кондеров, чтобы к 10 МГц прийти с меньшим шагом. При сравнении расчетного значения минимальной емкости банка с такой же, полученной при моделировании, увидел, что там чуть ли не 30 % разница: 500 фФ при расчете, 360фФ при моделировании. Так влияют ключи.

Спасибо за ссылки, я бы рад вместо емкости изменять сопротивление, но есть ограничение на диапазон номиналов резисторов. С теми номиналами, что есть, я не обеспечу работу ниже 5 МГц. И если даже теоретически возможно регулировать проводимость в интеграторах, с первым порядком филтра можно было бы справиться, но если порядок повышать, построение звена второго порядка - это уже биквад, с четырьмя значениями крутизны. Изменять пришлось бы номинал не одного резистора, а четырех, причем соотношение номиналов в зависимости от нужной частоты среза разное. Получим набор АЧХ с разным коэффицикнтом передачи и с разной добротностью. Есть вариант, опять же телретический, строить емкость не на параллельных конденсаторах, а последовательно включенных. При этом огромная площадь банка, тоже не вариант.

Искал и среди статей по фильтрам на переключаемых конденсаторах. В принципе не увидел смешения способов управления., чтобы и частотой управлять, и банком конденсаторов с разовой установкой ключей для конкретной частоты среза. Пока что вижу единственный вариант добиться равного шана переключения по частоте среза - нужно увеличивать разрядность. Но при этом уменьшается минимальная емкость, или дискрета. Если она менее 100 фФ, здесь уже мало акой техпроцесс справится со стабильностью. Поменять метод управления я не могу, только банк переключаемых емкостей.

Здравствуйте всем. Пытаюсь понять, каким образом организовать банк преключаемых конденсаторов для перестройки ФНЧ, который представляет собой последовательное соединение RC звеньев 1-го порядка. Нужно организовать равный щаг перестройки частоты среза. Например, от 1 до 10 МГц с шагом 0,5 МГц. Управление двоичным кодом с помощью МОП ключей. Если бы это был аттенюатор, то работает формула р×2^n, где р - минимальный шаг по затуханию, n - текущий номер разряда управлегия, и весь диапазон по затуханию перекрывается с равным шагом. Но в ФНЧ это не работает, шаг перестройки будет увеличиваться с увеличением частоты среза. Кто сталкивался, подскажите, куда копать?

В книге Грибова Э. Б. "Нелинейные явления в приемо-передающем тракте.." (Грибов. Нелинейные явления.). Есть пример расчета умножителя на транзисторе, но частоты, опять же, невысоки. Я когда-то, кстати, пытался провести расчет умножителя на 2 по формулам и графикам из этой книги - не вышло)

В книге "Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет" /Под ред. Валитова я видел пример расчета варакторного УЧ, правда там учетверитель частоты, и частоты несколько не те, но методика, надо полагать, общая. Это как в "Антенны и устройства СВЧ. Проектирование фазированных антенных решеток" /Под ред. Д. И. Воскресенского?

Узкополосный умножитель частоты на одном транзисторе можно сделать по схеме синхронизированного автогенератора, как написано у И. Х. Ризкина в "Умножители и делители частоты". Тогда в цепи коллектора (стока) будет стоять колебательный контур, настроенный на выходную частоту, и, возможно, от фильтра можно будет совсем отказаться?

интересует весь диапазон выходных частот - от 4 до 8. Если шире, хорошо, но не уже. Кстати, ПП3 - пассивный, ему входной сигнал по мощности более высокий нужен, пассивные хотелось бы рассматривать в последнюю очередь.

Да, но верхняя граница по частоте 4,8ГГц, а нужно несколько выше, до 8 ГГц.

Подскажите, пожалуйста, по отечественным умножителям частоты - хотелось бы найти производителей монолитные интегральные схемы умножителей для С-диапазона, т.е. выходные частоты в пределах 4 - 8 ГГц. Нашел статью 2008 года (возможно, с тех пор что-то изменилось), где отмечены Микран, Исток и Кварц: Компоненты и технологии. На сайте Истока указаны "Умножители и делители, 1 - 18 ГГц, Рвых=20...80мВт, Ку=0дБ" - понятно, что МИС, но информации "не много", выпускают ли они указанный в таблице из журнала М43108-2? На сайте Микрана умножителей не нашел. На сайте Кварца есть "Умножители частот см-диапазона", но не понятно, МИС это, или сборка, модуль. Конечно, можно было бы написать данным производителям с просьбой выслать информацию, но есть подозрения, что все это надолго. Возможно, у кого-то есть информация по отечественным УЧ? Кто, кроме Микрана, Истока и Кварца выпускает УЧ в виде МИС, хотелось бы видеть графики основных зависимостей: АЧХ, паразитные гармоники, фазовый шум. В общем, у кого есть какая информация, поделитесь пожалуйста.

Примерно разобрался, спасибо, ledum. Меня с толку сбило, что в одном из документов я видел упоминание о температурном коэффициенте частоты с единицами измерения [1/С]. Это то самое отношение производной частоты по температуре при заданной температуре, отнесенное к рабочей частоте, а так же ко всему диапазону частот, в котором ТКЧ измеряли. Надеюсь, я понял верно. Еще бы теперь понять, как температурная нестабильность частоты синтезатора на основе однопетлевой ФАПЧ с делителем частоты зависит от температурной нестабильности данного кварцевого генератора, существует ли такая формула, или эта зависимость очень сложна? Где почитать на эту тему?

Господа, ткните носом, где можно прочитать об определении коэффициента температурной нестабильности. В ГОСТ 20271.1 есть пункт 10 (стр. 27), описывающий измерение температурного коэффициента частоты (ТКЧ), согласно которому ТКЧ - величина абсолютная, [Гц/С]. Измеряем частоту в крайних точка по температуре и записываем результат отношения изменения частоты к изменению температуры. Первый вопрос - ТКЧ из ГОСТа и "коэффициент температурной нестабильности" - одно и то же? Берем даташит на один из отечественных кварцевых генераторов, написано: "Высокая температурная стабильность до +/-5×10^-8", второй вопрос - каким образом измеряется и рассчитывается данная цифра, откуда берется +/-, из-за погрешности оборудования? Получается ли данная "Высокая температурная стабильность до +/-5×10^-8" как отношение ТКЧ по ГОСТ к выходной частоте генератора? "+/-5×10^-8" - это безразмерная величина или это [1/С]? Третий вопрос . В зарубежных даташитах по КГ есть понятие Temperature frequency stability, выражаемое в +/-ppm, как определяют данное число? +/- опять же, учет погрешности оборудования при измерениях? Как правильно перевести из ppm в относительную температурную нестабильность, умножить +/-ppm на 10^-6 и все?

Подскажите, пожалуйста, в какой литературе можно найти зависимость относительного коэффициента температурной нестабильности (КТН) синтезатора от КТН опорного генератора, используемого в качестве источника сигнала для данного синтезатора. Можно ли говорить о том, что "КТН синтезатора = N/R * КТН оп.ген.", где N - коэффициент деления в петле ФАПЧ, M - опорный коэффициент деления? Тот КТН, который приводится в российских даташитах на кварцевые генераторы в виде, например, +/-5*10-6 в диапазоне температур от 0 до 50С, какая там размерность, это ведь относительный КТН? В зарубежных даташитах приводят значения КТН в виде, например, +/-10 ppm при температуре от 0 до 50С. Верно ли будет пересчитывать эти "пипиэмы" в "минус шестую степень" как +/-10 ppm = ((10+10)*10-6)/(0 + 50) ? Если дан КТН опорного генератора с размерностью [1/С] в температурном диапазоне от Т1 до Т2, , значить ли это, что для его получения взяли КТН из даташита (+/-5*10-6) и разделили его на сумму |Т1| и |Т2|? Насколько понял, для перевода из ppm температурный диапазон не учитывают, т.е. +/-5 ppm = 5*10-6, и даже знак +/- почему-то не указывают..

Спасибо за ответ, VCO. Если бы перед вами были две задачи - 1) спроектировать УЧ с помощью использования эффекта нелинейности, какую схемотехнику вы бы выбрали в случае высоких требований к фазовому шуму? (Я примерно так понимаю, что минус 130 дБн/Гц при отстройке 10 кГц - относительно невысокий уровень). 2) И тот же самый вопрос об УЧ с ФАПЧ - какая схемотехника, сколько обратных связей? (для данных УЧ, из рекламы хиттайта, достижимы шумы минус 110 дБн/Гц). Еще я так и не смог найти сравнений различной схемотехники УЧ на одной элементной базе, или хотя бы близко к такому сравнению :( PS: под схемотехникой УЧ я все-таки хотел бы представлять именно то, что внутри микросхемы. Ту цепочку умножителей, что вы привели - параметры я вижу, но непонятно, что внутри, как именно организованы умножители.

А все-таки, какой вариант удобнее - если нужно поднять частоту от кварцевого генератора (100 МГц) в область СВЧ, например до 12 ГГц - использовать умножитель на ФАПЧ, или ставить несколько микросхем широкополосного удвоителя частоты, которые не всегда сигнал усиливают, да еще их штук 7 придется поставить, получив частоту 12,8 ГГц, а не 12ГГц. Кто знает, в какую сторону думать, что полезнее изучить?

Почему решили собирать именно на биполярных? В случае одного транзистора, какую схему включения выбрали - только цепи согласования по входу и выходу? Была ли дополнительная цепь смещения по базе? Ставили ли выходной фильтр, полосовой или режекторный? Почему, все-таки, решили именно на одном транзисторе делать? Какая полоса и потери в итоге получились (или, может, усиление)? По поводу ABA-53563, это ведь усилитель, там в составе несколько транзисторов, как методику расчета УЧ можно применить к уже готовым усилителям? Понимаю, что нелинейность и там, и там будет (т.е. и в одном транзисторе, и в готовом усилителе), но ведь нужно какие-то первоначальные расчеты делать, "на коленке"? Для одного транзистора я еще встречал пару примеров расчета в литературе, и то, частоты относительно низкие, транзисторы германиевые. Если проектируется УЧ на одном транзисторе, нужно из него (транзистора) выжать все, что можно - либо нужна максимальная мощность на выходе, либо важен другой параметр, я верно понимаю?

Мне дико жаль, что четче пока не могу поставить задачу. Что еще не хватает в условиях задачи? Если посмотреть даташит на УЧ мини-секитс или хиттайт, там ведь те же самые параметры указаны, что я выше привел - полоса, потери и т.д. Хотим мы умножитель с макисмально ширококй полосой, далее будет уже важно, какакие потери, подавление, шумы. Кто занимался умножителями, неуже незнакомая задача - выбрать вариант изготовления УЧ.ю схемотехнический?

Хорошо. Предположим, самый важный параметр, который берется во внимание, это ширина полосы рабочих част по уровню минус 3 дБ, чем шире - тем лучше, для конкретики от 10 МГц до 10 ГГц (входная частота, если малый коэффициент умножения, если коэф большой, то диапазон по входу соответственно сужается). Опять же, мощность по входу адекватная для широкого использования, от минус 10 до 10 (20) дБм, потери преобразования не более 10 дБ, подавление паразитов не менее 25 дБ. Фазовы шумы: минус 130 дБн/Гц реально? И как, все-таки, с обзорами, неужели никому не попадалось сравнение, например диодных УЧ разной схемотехники по одному техпроцессу? Полоса по уровню минус 3 от 10 МГц до 10 ГГц - это я погорячился, конечно..

Исполнение монолитное интегральное. Но и более низкие частоты интересны, а там возможны внешние элементы (катушки, например, опять же, в полосковом исполнении или дискретный транс.). Входные частоты до 10 - 12 ГГц, но это, скорее, к удвоителям частоты относится, если большой коэффициент умножения, то диапазон, конечно же, ниже. Пусть 24 ГГц / 24 = 1 ГГц - верхняя граница по входной частоте для схемы с ФАПЧ(ИФАПЧ). Уровни входной мощности, если по аналогии с покупными УЧ: от -10 дБм до 10 дБм (хотя и до 20 дБм тоже интересно). По поводу исполнения важно, в чем будет микросхема - не хотелось бы, чтобы было бескорпусное исполнение, пусть будет корпус, пусть металлокерамика. Габаритные размеры и вес тогда исходя из уже написанного - может кристалл 2х2 мм, вес соответствующий. Мне сейчас подумалось, что нужно обязательно знать все достоинства и недостатки каждой схемы УЧ, чтобы выбрать верное решение. И универсального решения нет - например, нельзя сказать, что вот хочу УЧ с ФАПЧ и все. Но этих схем огромное количество. Существуют ли обзоры, в которых по одной технологии были спроектированы разные УЧ? Если делать многокаскадный УЧ на нелинейных элементах, с усилителями, это ведь модуль получится. Но тоже возможный вариант. Самое главное, пока мне так кажется, это именно оптимум по характеристикам, если таковой бывает. И на ячейке Гилберта УЧ есть, это ж свихнуться можно, сколько всего есть. Можно еще добавить, что уровень выходной мощности все же не хотелось бы получить менее минус 10 дБм. А вот с подавлением паразитных гармоник пока с трудом представляю, насколько хорошее оно должно быть. Пока что кажется, что 20 - 25 дБ относительно основной выходной гармоники достаточно.

Здравствуйте. Есть вопрос не совсем по синтезаторам, тем не менее довольно близко к ним. Существует большое количество схем исполнения умножителей частоты, которые условно, насколько я понял, делят на три группы: 1) схемы, эффект умножения в которых достигается за счет нелинейной характеристики элемента (УЧ на одном диоде, на двух диодах (которые могут быть включены встречно параллельно, либо с входным или выходным трансформатором, УЧ на 4-х диодах (мостовая схема с вх. и вых. трансф.), УЧ на варакторе последовательном или параллельном, УЧ на одном транзисторе (нужная гармоника выделяется за счет фильтра), УЧ на двух транзисторах (балун и дифф. каскад с общим коллектором, причем балун активный, либо пассивный, для диодных УЧ, я так понимаю, с балуном то же самое, самое главное получить сдвиг 0 - 180 град.). Вторая группа: 2) УЧ, сделанные по схеме сравнения - это как раз ФАП или ИФАПЧ, как в синтезаторах, но необходимости в настраиваемом делителе, вроде как, нет (и, соответственно, дельта-сигма модулятор не нужен). Третья группа: №) УЧ на смесителях. Собственно, в чем вопрос: интересно на сегодняшний день понимание человека о выборе варианта исполнения УЧ (кто какую бы схему выбрал). И это именно в широком смысле: основные характеристики УЧ - чем шире диапазон рабочих частот, чем меньше потери (или чем больше усиление), чем сильнее давятся паразитные гармоники, чем меньше ток потребления, если он есть, чем ниже уровень фазовых шумов - тем лучше. Я, вроде как, понимаю, что все в компромиссе - если, например, потери преобразов. меньше, то и подавление паразитов хуже, но все же. Диапазон входных частот пусть будет довольно широк, до 12 ГГц, например. Сам процесс мышления интересен тех, у кого есть опыт. Хочу сделать УЧ, и как выбрать оптимальный вариант. Надеюсь, вопрос задал более-менее корректно. Например, процесс моего безопытного мышления: хочу УЧ, желательно с высоким коэф. умножения, например 24. О всех УЧ на нелинейных элементах пишут, что их коэф. умн. не выше 3 по причине слабой выходной мощности, значит либо нужен усилитель после каждого УЧ, либо нужна схема с ФАПЧ, в которой не особо важно, какой коэф. умн. Но схема с ФАПЧ сложнее, там есть делитель частоты, который сам по себе сложнее УЧ на нелинейном элементе, стоят ли потраченные усилия на изучение УЧ с ФАПЧ? Да и фазовый шум, вроде как, выше будет, т.к. он определяется ГУНом. а хороший ГУН не просто сделать.. В общем сложно все.

Еще одно сравнение: Differencial oscillators. Так же есть работа, в которой утверждают, что ГУН, сделанный по технологии GaN на SiC по фазовому шуму мало отличается от того же ГУН, сделанного по тех-ии GaN на Si. (High Power and Low Phase Noise MMIC VCO Using 0.35 µm GaN-on-Si HEMT, Hsuan-ling Kao, Bo-Wen Wang, Chih-Sheng Yeh, Cheng-Lin Cho, Bai-Hong Wei, and Hsien-Chin Chiu ).

Я так понимаю, ГУН - один из основных элементов СВЧ синтезатора. Фазовый шум ГУН определяется добротностью элементов, которые обычно являются внешними по отношению к кристаллу. Может, поэтому никто не отвечает на вопрос, я его не в той теме задаю?

Встречались ли кому статьи/литература по сравнению уровня фазового шума выходного сигнала источника СВЧ колебаний, изготовленного в виде монолитной ИС (аналоговый автогенератор, быть может) по различным техпроцессам? В идеале одна и та же схема (желательно как можно проще) и топология в кремнии, арсениде галлия, нитриде галлия, кремний-германии. Глобально хотелось бы понять связь"фазовый шум - технология", фазовый шум - конструкция прибора (биполярный, биполярный с гетеропереходом, МОПТ, HEMT, ПТШ).

Просьба, если у кого есть возможность, поделиться следующими статьями: - ROM-Based Direct Digital Synthesizer at 24 GHz Clock Frequency in InP DHBT Technology. Steven Eugene Turner, Member, IEEE, Richard T. Chan, and Jeffrey T. Feng, Member, IEEE. IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, VOL. 18, NO. 8, AUGUST 2008. - A 12 GHz 1.9 W Direct Digital Synthesizer MMIC Implemented in 0.18 μm SiGe BiCMOS Technology. Xuefeng Yu, Fa Foster Dai, Senior Member, IEEE, J. David Irwin, Life Fellow, IEEE, and Richard C. Jaeger, Fellow, IEEE. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 43, NO. 6, JUNE 2008. - Direct Digital Synthesizer With Sine-Weighted DAC at 32-GHz Clock Frequency in InP DHBT Technology. Steven Eugene Turner, Student Member, IEEE, and David E. Kotecki, Senior Member, IEEE. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 41, NO. 10, OCTOBER 2006. - 36-GHz, 16 х6-Bit ROM in InP DHBT Technology Suitable for DDS Application. Sanjeev Manandhar, Student Member, IEEE, Steven Eugene Turner, Student Member, IEEE, and David E. Kotecki, Senior Member, IEEE. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 42, NO. 2, FEBRUARY 2007. - 24-Bit 5.0 GHz Direct Digital Synthesizer RFIC With Direct Digital Modulations in 0.13 m SiGe BiCMOS Technology. Xueyang Geng, Student Member, IEEE, Fa Foster Dai, Fellow, IEEE, J. David Irwin, Life Fellow, IEEE, and Richard C. Jaeger, Life Fellow, IEEE. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 45, NO. 5, MAY 2010.