=AK=
-
Постов
3 234 -
Зарегистрирован
-
Посещение
-
Победитель дней
5
Сообщения, опубликованные =AK=
-
-
9 minutes ago, eletonik said:
Я понимаю как работает флэйбэк, у меня другая проблема, я на выходе, т. е. вторичная обмотка, получаю около 2,8 вольта и 0,78 Ампера, около 3 - х Ватт. Так и стал вопрос, или у меня КПД меньше 30% или все правильно но тогда с БП я беру 12 вольт и 0,8 Ампера а это 9,6 Ватта. Вообщем кто то кого то пытается обмануть?
Если бы понимали, то оперировали бы джоулями и миллитеслами, а не вольтам, амперами и "процентами от входного напряжения". Загнать сердечник в насыщение - ума совсем не надо, ум нужен чтобы не дать ему войти в насыщение. А если сердечник входит в насыщение, то о каком-либо КПД рассуждать смешно.
-
Истинное положение вещей для флайбэка состоит в том, что на прямом ходе сердечник трансформатора накапливает энергию, а на обратном ходе отдает накопленную энергию в нагрузку. Вот из этого фундамента все и выводится.
Расчет, как это водится, надо вести для самого плохого случая: при минимальном входном напряжении надо успеть закачать нужную энергию в сердечник, а при самом большом токе нагрузки успеть выкачать эту энергию из сердечника. Это определит и частоту работы, и соотношение длительностей прямого и обратного хода, и коэффициент трансформации. Чаще всего для этого режима принимают скважность 2 и от этого дальше пляшут.
Понятное дело, что при прочих равных чем выше частота работы, тем лучше. Но макс частота ограничена и доступностью ИС управления, и параметрами ключа, и т.п. Поэтому макс. частоту тоже можно задать волюнтаристически, на основе выбранных компонентов.
Зная частоту, макс. мощность и скважность, можно посчитать энергию, передаваемую сердечником в каждом цикле. А зная энергию, можно выбрать сердечник трансформатора, он должен быть достаточно большого размера, чтобы эту энергию накопить и не войти в насыщение. Там можно помухлевать с размером зазора в сердечнике, но слишком уж сильно зазор увеличивать не надо: и поля рассеяния будут больше, и меди придется намотать больше, медь может не влезть в окно сердечника.
-
1 hour ago, repstosw said:
Мало. КСВ больше 1,1 не рассматриваю в принципе. Делал J-антенну, которая самодостаточна: имеет противовес и согласующее звено. All in 1. КСВ получилось около 1.02. Это S11 -40 дБ и ниже.
При измерении что было противовесом? Корпус прибора, дополнительный штырь, крепёжный фланец или что?
При измерении противовесом был корпус NanoVNA.
Mеня устраивает даже VSWR 2.5. Учитывая что мой прибор маленький, а характеристики антенны скачут даже в зависимости от того, лежит он на столе "лицом вверх" или "лицом вниз".
Для меня главным критерием является на каком расстоянии обеспечивается устойчивая связь в городских условиях. Сравнил я как-то упомянутую выше дешевую промышленную антенну на 433 МГц с S11 менее -10 дБ и наворочeнную штыревую длиной метр, со встроенным противовесом. У наворочeнной и S11 было лучше -40 дБ, и импеданс тютелька в тютельку 50 Ом, а расстояние оказалось меньше, чем с дешевой антенной. Я подозреваю, что причиной была странная на мой взгляд АЧХ, эта антенна помимо 433 МГц неплохо ловила на частотах GSM.
-
12 hours ago, d00r said:
И я вот подумал, чтобы уменьшить кол-во компонентов, возможно ли использовать этот встроенный P-Mosfet с открытым стоком как драйвер для ключа нагрузки в 17В? То есть заменить им элементы обозначенные как Q1 на обоих ваших схемах.
У вас нарисован N-MOSFET с открытым стоком. Направление стрелки на MOSFET-ах часто бывает нарисовано "от балды". Там по смыслу P-MOSFET-а быть не может, поскольку такой экзотики как микросхемы с негативным питанием я и не знаю даже, делает ли сейчас кто-нибудь.
"Плюсу" на вашей схеме взяться неоткуда, транзистор или открыт, или закрыт. Проверьте, какое предельно допустимое напряжение может быть на этом пине, возможно он не выдержит более, скажем, 6 В. И напишите внятно, когда на выходе 5 В, транзистор открыт или закрыт?
-
9 hours ago, d00r said:
Возможно ли в схеме заменить Q1 на p-mosfet? у меня в микросхеме есть сигнал PG, возможно ли его использовать как драйвер для Q2 ?
Я не совсем понял, что вы спрашиваете. На всякий случай, схема с P-МОSFET, работающем в ключевом режиме.
-
On 7/5/2024 at 6:00 PM, repstosw said:
Cколько бы я ни пытался настроить(а чего там настраивать для штыря?) штырь по 36+j0 (или 50+j0) по VNA - ничего не получалось даже и близко. КСВ настолько дикий, и сопротивление далеко от 36/50.
Я на 433 МГц как-то мерял недорогую промышленную штыревую антенну. Получилось 44-j33, а S11 чуть меньше -10 дБ. И кусок провода, 74-j6 и S11 почти -14 дБ. На мой взгляд, примерно тож на тож.
-
On 7/5/2024 at 6:51 PM, TOG said:
Штыревые антенны на 868 МГц, которые мы покупаем в интернете имеют длину ~ 19 см. И там конструкция не такая простая как Вы предлагаете.
(NanoVNA у нас есть).
Там помимо четвертьволновой аннтенны есть еще согласователь импедансов. В классическом варианте это трансформатор, можно также сделать на П-образном LC-фильтре и т.п. Но в массовом производстве это неудобно, поэтому производители антенн делают довольно замысловатые конструции, которые в эквивалентной схеме сводятся к П-фильтру.
Конечно, вы можете взять кусок провода 8.1 см и согласовать его трансформатором или П-фильтром. Однако если вы просто подрежете кусок длинного провода до настройки антенны на нужную частоту, получите практически такой же результат. По факту более длинный провод добавит индуктивность, так что уже получится неплохое согласование на нужной вам частоте.
Можете попробовать в основании антенны добавить конденсатор в несколько пик на землю и настроить длину после этого. Возможно, согласование немного улучшится, однако сомневаюсь что овчинка будет стоить выделки.
Насчет "длинных" антенн я вот еще что хочу сказать. В большинстве случаев производители делают "длинные" антенны ради маркетинга. Чтобы покупатель был уверен, что за свои деньги он купил "вещь", а не фигню какую-то, "недомерок". А как посмотришь на характеристики, усиление у них практически все те же 3 dBi, плюс-минус.
Реально длина больше чем четверть длины волны требуется для коллинеарных антенн, обеспечивающих заметно большее усиление, чем обычный четвертьволновой штырь. Но это редкий тип антенны и стоит он отдельных денег.
-
1
-
-
Четвертьволновой диполь на 868 МГц имеет длину всего 81 мм. Для рулетки это маловато.
Купите векторный анализатор NanoVNA, он очень дешевый. К разъему SMA припаяйте кусок гибкой проволоки, с запасом. Подключите к анализатору и смотрите на получившуюся характеристику антенны. За счет того что она длиннее чем требуется, она окажется настроена на частоту ниже чем надо. Понемножку кусачками отрезайте от антенны кусочки, пока она не окажется настроенной на 868 МГц.
-
Сравнивал, какая дальность связи в городских условиях на частоте 433 МГц при использовании двух чипов: старого (и снятого с производства) TRC105 и вполне современного S2LP.
В TRC105 штатным образом используется ПАВ. Чип старый, приемник не очень чувствительный. Они за счет ПАВ снизили потребление приемника, не тратили энергию на активные фильтры. Из-за этого, конечно, подавление сигналов за пределами полосы слабое, примерно децибел 40: если рядом работают промышленные "воки-токи" на 470 МГц, то связи нет уже на расстоянии метров 10.
Однако если рядом нет таких мощных помех, то к моему удивлению, картина оказалась обратная: на TRC105 связь на 500 м, на S2LP - всего примерно на 300. Возможно в варианте с ПАВ лучше подавлялись сигналы сотовой связи, не знаю.
-
5 hours ago, d00r said:
Объясните, почему ?
-- Если девайс, обозначенный N, это pnp транзистор (как можно догадаться из его неряшливого УГО, эмиттер - верхний электрод), то он будет все время открыт и сгорит от тока, который пойдет от источника +17 на источник +5
-- Если девайс, обозначенный N, это npn транзистор в инверсном включении (эмиттер подключен к +17), то его база-эмиттерный переход пробьется обратным напряжением 12 или 17В, после чего он тоже сгорит
-- Если девайс, обозначенный N, это N-MOSFET, то он или всегда будет закрыт (если пороговое напряжение затвора больше 5В), или же обеспечит всего 2-3 вольта на резисторе R после подачи +5В на затвор. В любом случае напряжение на затворе транзистора P относительно его истока будет всегда больше 12В, т.е. транзистор Р будет всегда открыт.
-- Если девайс, обозначенный N, это npn транзистор в прямом включении, а к +17 подключен его коллектор, то при подаче напряжения +5 он обеспечит на резисторе R напряжение примерно +4.5В. Это лучший вариант из всех, то толку все равно ноль: транзистор Р будет всегда открыт.
Вы школу-то уже закончили или нет еще?
-
29 minutes ago, vervs said:
Ключевые, в паспорте которых ОБР приведена и для постоянного тока, подойдут?
Любые подойдут. И биполярный npn тоже подойдет. А лучше всего подойдет понижающий импульсный преобразователь вольт на 5-6, имеющий вход EN.
-
1 hour ago, Plain said:
=AK=, что за Q2? Если обычный ключевой, то здесь он в линейном режиме, поэтому сразу выгорит.
Надо брать в корпусе на соответствующую мощность, чтобы не выгорел. И с низким затворным напряжением. В любом случае эту мощность должен кто-то рассеивать, так уж лучше распределить ее примерно поровну между LDO и транзистором.
Вместо Q2 вообще-то лучше LM117 поставить (с соответствующей обвязкой), тогда падение напряжения на нем можно задать точно.
-
2 hours ago, d00r said:
имеет ли она право на жизнь?
Не имеет, она неработоспособна.
Р-канальный MOSFET там вообще говоря не нужен. Вполне сгодится N-канальный, пусть на нем падает напряжение и рассеивается мошность. Зато LDO будет меньше греться при питании от 17В
-
1
-
-
On 3/15/2024 at 2:19 PM, Daniil said:
Интересно, а как?
Вот, к примеру, кривая разряда LiFePo4 при разном токе:
Какой уровень заряда при напряжении 3.22V, к примеру? И это мы ещё не учитываем температуру и деградацию АКБ со временем.
Очень просто: меряйте при одинаковом токе нагрузки, например, при нулевом или близком к нулю. Или вы не способны контролировать ток нагрузки батареи, которую хотите мерять?
-
On 2/28/2024 at 3:58 PM, Daniil said:
С литием так не получится. Там кривая разряда плоская.
Смотря с каким литием. С тионил-хлоридом, действительно, не получится, но это вообще-то экзотика. А со всеми остальными популярными литиями прекрасно получится.
-
On 1/23/2024 at 7:42 PM, AlexMI said:
Существуют ли интегральные датчики способные измерять относительную влажность воздуха от 0,1% до 5%
Никакой из имеющихся интегральных датчиков точность 0.1% обеспечить не может.
Высокая точность достижима только у гигрометров с охлажденным зеркалом, где зеркало охлаждается то тех пор пока оно не запотеет, т.е. до точки росы. Зная температуру зеркала в момент запотевания, можно определить влажность воздуха. Такие гигрометры стоят серьезных денег, громоздки и потребляют большую мощность для охлаждения зеркала. Их точность определяется точностью измерения температуры зеркала.
Например, имеющийся у меня старенький генератор влажности фирмы Michell в момент покупки 20+ лет назад стоил около 20 тыс. баксов. Встроенный в него гигрометр измеряет температуру зеркала с точностью примерно +/- 0.2С, вследствие чего изготовитель гарантирует погрешность измерения относительной влажности всего лишь не хуже 1%. Мои многочисленные тесты показали, что на самом деле этот прибор врет всего лишь на 0.5...0.6%, завышая показания.
Из доступных интегральных датчиков влажности рекомендую SHT45. Обычно они врут не более чем на 1...1.5% если их выдержать не менее часа в измеряемом воздухе, а лучше - 4-6 часов.
Несмотря на объявленные в даташитах интегральных датчиков времена в несколько секунд до уровня 63%, до финального значения доходят они очень медленно. В среде с постоянной влажностью и температурой они дадут стабильный до 0.1% результат примерно через две недели.
-
On 1/11/2024 at 6:31 PM, RDutch said:
У меня аналогичная проблема на STM32F427ZI. RTC тактируется от внешнего осциллятора Q-0,032768-MMTF32-6-10 32,768 кГц, frequency tolerance at 25 °C ± 5 °C ±: 10 ppm / ±20 ppm (указано тут).
Отставание составляет от 1,7 сек до 3,0 сек в сутки. Тестировал на 5 экземплярах одного и того же устройства. Устройство несколько лет находится в производстве и схемотехнические изменения вносить в него запрещено.
Когда-то у меня был подобный случай. Устройство успешно прошло все испытания, а в серии у каких-то экземпляров стали сильно врать часы. В ходе расследования выяснилось, что часы врали из-за цифровых помех.
PCB была четырехслойная. На испытаниях и в первой выпущенной партии структура PCB была такой, что внутренние слои земли и питания находились близко от поверхности. А при заказе новой партии плат их изготовили методом попарного прессования (поскольку я структуру PCB стека не указал, прошляпил), поэтомy слои земли и питания оказались в глубине. Из-за этого наводимые на цепи часового кварца цифровые помехи хуже гасились и давали ложные импульсы, часы убегали вперед.
-
1 hour ago, Alex Kuritsyn said:
Полно доступных расширителей с I2C, ... но мне нужен именно SPI.
Постарайтесь исключить эмоции и рассмотрите вопрос еще раз. В схожих условиях я долго "сидел" на 74HC595, но потом в конце концов перешел на I2C I/O expander и с тех пор радуюсь жизни. Обмен с ним у меня по bit-bang, без ненужных понтов.
-
8 hours ago, aske1 said:
А нет какого нибудь примера правильной разводки?
https://caxapa.ru/lib/emc_immunity.html
8 hours ago, aske1 said:. А нет возможности как то попробовать улучшить цепь сброса МК если уже нет возможности переразвести плату?
Навесьте керамический конденсатор 10 нФ между пином NRST мелкоконтроллера и землей, как можно ближе к пину.
-
8 hours ago, mitya1698 said:
удалось починить? Ж:)
Проводок отвалился, там же сплошные сопли. Припаял - заработало.
-
37 minutes ago, mplata said:
Мне кажется это сделано в Китае.
Не верится, что в России инженеры на такое способны.
Там среди деталей замечен линейный регулятор КРЕН. Невозможно поверить, чтобы китайцы импортировали их их России чтобы засунуть в это устройство.
-
Принесли в ремонт ультразвуковой массажер ESMA 12.17 российской фирмы ESMA. Сейчас он выглядит немножко иначе, но тот, что попал в руки ко мне выглядит так:
А вот как он выглядит внутри:
Столь откровенной халтуры, продаваемой "солидной фирмой", я в своей жизни не встречал. Никакие китайцы не опускаются до такого паскудства. Это уровень разве что школьного радиолюбителя. Обратите внимание на "инновационный" способ монтажа проводов и деталей на передней панели: ESMA их "приваривает" паяльником прямо к корпусу.
-
Датчик SHT45 в коробке с влажной поваренной солью (75%); темература 25.3С ±0.1С. Показания в некоторые моменты времени:
1hr 6hr 24hr 200hr 380hr ------------------------------------------------------- SHT45 71.8% 73.8% 74.6% 75.5% 75.9%
Фиг.17 -
Датчики SHT45 (зеленая линия) и HTE301 (черная линия) в одной коробке с селикагелем; температура 24.8С ±0.3С. Показания в некоторые моменты времени:
1hr 6hr 24hr 200hr -------------------------------------------------- SHT45 28.1% 23.8% 22.8% 22.5% HTE201 31.7% 24.2% 22.6% 22.2%
Фиг.16
P-Ключ без драйвера.
в Силовая Преобразовательная Техника
Опубликовано · Пожаловаться
То, что вы нарисовали, работать не будет, там просто полная ерунда нарисована.
Из-за того, что предельно-допустимое напряжение на пине PG такое маленькое, вам придется поставить еще один транзистор, одними только резисторами обойтись не получится. В конечном счете деталей будет больше, чем в первой предложенной схеме на N-MOSFET.
С учетом того, что LDO расчитан всего на 15 В, именно эту схему использовать наиболее целесообразно. Ей не нужны никакие стабилитроны, на вход LDO попадет меньше 15 В за счет падения напряжения на транзисторе Q2. Надо только использовать транзистор с пороговым напряжением затвора не менее 2 В. Возьмите, например, IRF540.
Чтобы ничего не грелось, надо использовать импульсный понижающий преобразователь, как неоднократно предлагалось ранее, например, LMZM23600 или наподобие него.