НЕХ

Природа помехи исходит от диода преобразователя - его закрытие сопровождается всплеском тока и последующим ростом напряжения с высокой скоростью. Потом начинают "звенеть" с затуханием паразитные элементы. Диод должен быть Шоттки с малой ёмкостью.

от резистора и 1200 вольт входного...нелюбо. отключаемый ключик с напряжением от 1500 В просится... но тоже - не оригинально.

а как запускаться будем ? от чего запитать контроллер поначалу ?

как не верти, а 4 ключа вынь да положь - http://www.dianyuan.com/bbs/u/79/2403401248882098.pdf обратноходовый

http://www.power-e.ru/2009_5_74.php (последняя схема) только выходной выпрямитель бывает удачнее по схеме с удвоением напряжения.

phase-shift https://docs.google.com/viewer?url=patentim...s/US6353547.pdf

Тогда- трёхуровневый на полевиках (4 штуки)

для снаббера мкФ не нужно у NPO и механическая и электрическая прочность выше у NP0 ниже ESR и потери в диэлектрике

а почему не NP0 ?

LLC - с горяча... и питание в широких пределах и внутренние диоды ключей норовят свинью подложить... TTF, он же "косой", предлагаю.

и зачем приплели LLC ? это графики работы преобразователя без расчетов и понимания, что творят шаловливые ручки. например - A Novel ZCS-PWM Full-Bridge Converter with a Simple Active Auxiliary Circuit http://www.eng.uwo.ca/electrical/education...ousavi,%20A.pdf

http://www.dmphotonics.com/Imaging_Publica...roscopyPHC5.pdf Слышал звон, да не помню... https://www.google.com/search?num=100&b...erp.rscKOcErZ1M http://libgen.org/scimag4/10.1109/3.245558.pdf (по-секрету: давить спеклы (рубить когерентность) удобно миниатюрным передатчиком на 433 МГц)

Только главное не забывать - ток НЕ должен течь через параллельные IGBT диоды. Если их приходится закрывать обратным током - все труды насмарку !

ZVS не подходит к IGBT, он оптимален для MOSFET. Потери на выключение не снижаются более 30-50% с конденсаторами на коллекторе-эмиттере IGBT, из-за роста заряда, съедаемого хвостом тока. Для IGBT надо ZCS с прекращением тока коллектора, но с удержанием на затворе открывающего потенциала в течении около 1 мкс. Тогда потерь на выключение от хвоста не будет. Есть топологии дающие ZVZCS. Работают хорошо. http://valvol.ru/topic51-1035.html#p84969 ...но 80 кГц на 1200-вольтовых IGBT, ИМХО, безрассудство...

читали ли Вы - "Laser Noise Cancellers" Dr. Philip C. D. Hobbs на http://electrooptical.net/ ? у эффективного светодиода выходной шум при питании от источника тока оказывается меньше, если его НЕ шунтировать ёмкостью...такой фокус. а шум теплового источника имеет спектральное распределение не 1/f^2 ?

видел воочию в этой конторе - lascompany.ru но дорого...и описания на сайте не нашел.

"HCPL3180 с его низковатым dV/dt" это может и не помочь - если помеха наводится на фотодиод и его усилитель внутри оптрона. ИМХО, оптроны = атавизмы, когда под рукой есть si823x или аналоги AD. http://www.silabs.com/products/power/isodr...ges/si826x.aspx http://www.silabs.com/products/power/isola...technology.aspx

Светодиод управлялся от ADM485 и был, конечно, смещён обратным напряжением. С блокировочными емкостями тоже всё было правильно. Это такая фича, а не баг !

питание HCPL 15 вольт, никакого CMR, меадр, частота не гуманна = 200кГц. Но сам факт - настораживает... у FOD3120 ничего подобного не наблюдаю.

если любопытствующие нагрузят HCPL-3120 резонансным контуром, дождутся после 10 импульсов амплитуды тока 0,5 Ампера, то смогут лицезреть лишнее включение этого "оптрона". Наблюдается всегда, но только у производителя AGILENT. мне хлопот это не доставляло, но нагружать на затвор - зарёкся !

с какого перепугу току захочется выбраться из mosfet в наружный диод ? ...тут прибежали санитары и зафиксировали нас... это другое дело, правильное, но ущербное. "недостаточность напряжения" = паранойя. В высоковольтных обычных ключах отвратительные диоды. как это сможет работать на низкой частоте, на постоянном токе ? что будет на выходе от синфазной помехи ? нагрузка трансформатора тока должна стоять после выпрямительного моста.

Статья конечно найдется, был бы человек - за промышленный шпионаж... http://fotkidepo.ru/photo/358797/30781Lv6M...V3Bs/850056.jpg http://fotkidepo.ru/photo/358797/30781Lv6M...V3Bs/872475.jpg в подобных схемах большую роль играют свойства паразитного диода полевого транзистора. внимание заостряем на - Reverse recovery charge и Peak diode recovery voltage slope irfp4668pbf ещё лучше с этой стороны - http://www.irf.com/product-info/datasheets...irfp4668pbf.pdf кто лапшу навешал о пользе диодов, параллельных MOSFET ? откуда квазиунофантазия о датчиках тока с левой стороны схемы ?

Помеху в затвор гонит быстрое (но запоздалое) закрытие внутреннего паразитного диода. можно отталкиваться от http://fotkidepo.ru/photo/358797/30781Lv6M...V3Bs/850057.jpg (в вашей схеме много недочетов и неподходящих компонентов...слишком много - поставьте IRFP4768 и Si8233)

Надеюсь, что и мне ничто не помешает...

лично согласен заплатить больше, чтоб в этот день были только положительные эмоции.