НЕХ
-
Постов
1 577 -
Зарегистрирован
-
Посещение
-
Победитель дней
1
Сообщения, опубликованные НЕХ
-
-
Варистор срабатывает за наносекунды, ему только от старения плохеть будет. Но не в этой схеме.
-
кто знает, что там за свистопляска бывает, если один шустрее другого и когда ток в катушке меняет направление))
-
Опубликовано · Изменено пользователем НЕХ · Пожаловаться
Не удивлюсь, если транзисторы у красавицы пробивают свой затвор-эмиттер))
Почему варисторы не напаять на каждый IGBT , пусть и на большее напряжение ?
Почему эмиттеры IGBT не расположить "звездой" , искоренив провода в их цепи ?
Зачет редкий SOT227, если полно модулей полумостов - даже запасной ключ имеется)))
-
Это фото - просто жесть !
Вы задумывались об индуктивности провода от эмиттера ?
Когда так плохо цепляют ключи, надо ставить синфазный дроссель на каждый затвор-эмиттер !
100А - детский ток, особенно в импульсе. Но при таком подходе выбросы коллектор-эмиттер будут колоссальные...
Где главная ёмкость, если варистор стоит не между коллектор-эмиттер ?
Ещё раз акцентирую - выключать надо очень плавно, ставить доп.ёмкость затвор-эмиттер, иначе IGBT превращается в открытый тиристор (это касается более значимых токов).
-
Бак превращается в буст и ключ травмируется перенапряжением, порождённым энергией выходных конденсаторов и сумасшедшей tl494 ?
Нижний транзистор полумоста работает диодом и на него никогда не приходят открывающие импульсы ?
-
Опубликовано · Изменено пользователем НЕХ · Пожаловаться
Автор темы не пользуется поиском ?
Повторяю - ключевое слово = ФОТОВСПЫШКИ
Одного транзистора за глаза для 100 Ампер -
https://sds.compel.ru/item-pdf/045efdfe899f9043eab6f62d74939255/pn/infin~igw100n60h3fksa1.pdf
А городушка из четырёх требует особого низкоиндуктивного монтажа, индивидуальных резисторов в затворе у каждого ключа и мощного драйвера.
-
Почитайте, как прерывается ток в фотовспышках. Тут обсуждалось...
-
Обычное поведение сердешного))
Измеряйте ток намагничивания вместо добротности.
-
Ещё одно простое решение на depletion mode mosfet, BSS139, например.
https://www.eltech.spb.ru/mosfet-tranzistory-obednyonnogo-tipa-ot-ixys
рис.4
-
В первом сообщении очередные сказки, весьма далёкие от реальности...
Трансимпедансное включение LMP7721 c GBW=17MHz и входной ёмкостью 11pF c Rf=10М может обеспечить 157кГц максимум !
Какие ёщё мегагерцы и гигаомы ?)))
-
Только IGBT в этих конфигурациях не особо применимы.
-
Turn-off energy loss per pulse 45 mJ * 50000Hz = 2,2 kW
Такое под силу только SiC MOSFET
-
50 кГц и IGBT - наивно.
урежьте осетра))
-
Автора беспокоит цена предохранителя с требуемой большой разрывной способностью, а не номинальный ток.
-
В свободном доступе - https://pes.ee.ethz.ch/publications.html
Зашкварная индукция, теперь сендаст... рука-лицо))
-
Интересно - какой диод задумал автор на 2000А и 50 кГц...
Разумнее 10 трансформаторов 1:1
Первичные последовательно, вторичные после выпрямления 200 Амперными диодами, параллельно.
Делал пару раз синхронный выпрямитель на 400А 50В 20кГц. Если есть водяное охлаждение - простые диоды проще. Только не забываем одеть насыщающиеся аморфные/нано колечки на выводы диодов.
-
Главное не превышать 100V/ns - чтобы не открыть паразитный BJT внутри структуры. Это обернётся катастрофой.
Редкий MOSFET не переживёт однократное КЗ в течении 1 мкс))
-
800 Вольт ничего принципиально не меняют.
Ключи справляются с задачей.
Если нужно быстрее - надо ставить более мощный транзистор.
Для справки - на 500V 32768Hz потребляемая мощность 0.7 Вт,
так как первые 5 нс открывающийся ключ работает на фактическое КЗ - ёмкость закрытого оппозитного ключа велика.
-
В документации на транзистор показано, что даже 20 Вольт на затворе не приводят к росту тока - fig.5 fig.9
Это давняя особенность SJ MOSFET в режиме короткого замыкания с ограничением тока.
800 Вольт под рукой не нашел - вот результаты работы полумоста на вышеозначенном транзисторе на 500 В на частоте 32768 Гц
синий луч - напряжение на затворе
жёлтый луч - напряжение на резисторе 3,33 Ома, включенного последовательно с ёмкость имитирующей нагрузку 20 пФ (5V = 1.5A)
Включение:
Длительность управляющего импульса менее 100 нс:
Включение оппозитного ключа - на затворе сохраняется отрицательное напряжение:
Управляющий трансформатор - бусинка, все три обмотки по 2 витка.
Вполне хватило бы и 1 витка и 25-50 нс импульса... Для таких коротких событий ОБР не приводится))
-
IPN95R3K7P7 подходящий кандидат - SJ MOSFET является при переключении ограничителем тока на 2.5 Ампера
1000 V / 10 ns лучше не превышать
За 10 нс током 2.5 А до 800 В можно прокачать 31 пФ
Будет некоторая задержка, связанная с начальной зарядкой выходной ёмкости - но её легко учесть и на длительность перепада напряжения она не скажется.
Управление осуществимо через "трансформатор", выполненный на ферритовой бусинке.
-
Сообразил для чего нужен такой затвор. Импульсная лазерная подсветка и отделение целей на известном расстоянии в тумане.
-
Это ШИМ должен управляться сигналом тока экрана ?
Пиковым, интегральным ?
9 hours ago, serg_Fry said:Интересная идея. Ёмкость МКП существенно больше чем у фотокатода. В результате фронт будет получаться по худшему условию.
Но это нужно оценить количественно, может приемлемо получится.
Есть только ёмкости между фотокатодом и МКП, фотокатодом и корпусом, МКП и корпусом.
ШИМ нужен для сбережения фотокатода от чрезмерной засветки или регулировка яркости так осуществляется ?
Чем чревато направление оптики на Солнце при обесточенном ОЭП ?
-
Можно только догадываться, что нужно автору темы...
Но очевидно, что сверхнизкое потребление и высокое быстродействие требуются обязательно.
-
Почему нельзя сделать так ?
Как улучшить прерыватель тока для катушки ?
в Вопросы аналоговой техники
Опубликовано · Пожаловаться
В вашей схеме отсутствует важная реальная составляющая - индуктивность питающих проводов.
Разъёмы должны были быть зашунтированы ёмкостью !
дешевле $20, действительно sot227 - STGE200NB60S
$25 - SKM75GB12T4
SKM100GB12T4 или SKM150GAL12T4 уже дороже $45