-
Постов
1 579 -
Зарегистрирован
-
Посещение
-
Победитель дней
1
Сообщения, опубликованные НЕХ
-
-
Infineon производит mosfet, адаптированные для линейной работы
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/12v-300v-n-channel-power-mosfet/ipb048n15n5lf/
-
-
Можно просто представить, что внутренние витки размещены внутри индукционной печки, образованной внешними витками...
-
На днях обнаружил (и ценой ещё одной ИМС, подтвердил) выход из строя с коротким замыканием, предположительно, синхронного ключа в составе TPS54308 при касании маленькой изолированной отвёртки свободного вывода EN.
После аварии выход звонится на землю как несколько Ом...
Случай не единичный, подобный -
https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/959804?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TPS54308
-
-
Опубликовано · Изменено пользователем НЕХ · Пожаловаться
Модель отличается от реальности))
По входу стоит фактически стабилитрон. Можно подавать +5.5 Вольт при напряжении питания 0 Вольт.
-
Серия 74AHC не имеет защитного диода к плюсу питания.
Этот анахронизм присущ НС и АС.
-
Опубликовано · Изменено пользователем НЕХ · Пожаловаться
1 hour ago, Plain said:... пресловутый FDV301 тоже без разницы чем заменять...
Это вы специально транзистор с огромной входной ёмкостью изобразили ?))
У 301го единицы пФ, задержка на RC небольшая
-
PC814 легко заменить 2мя РС817 - светодиоды встречно-параллельно, К-Э параллельно.
-
Транзистор FDV301N хитрО смастерён - отрицательное напряжение на стоке приводит к разрядке затвора. Там внутри вместо стабилитрона стоит биполярный транзистор, похоже))
Но в схеме выше это неважно...
-
Вот до кучи ещё варианты -
-
6 hours ago, 2expres said:
Очень интересно! 2х10кВт=20кВт или 2х5кВт=10кВт?
В каждом уровне применялся только 1 трансформатор?
2 по 5. 40 кГц
у каждого по трансформатору. по нынешним временам гордиться нечем...
-
Соединял последовательно два мостовых фазорегулируемых преобразователя подобно рисунку выше, 10 кВт 380 В. Цепи управления затворами запараллелены логически. Не столкнулся с трудностями - если на входе/выходе используется разное последовательно/параллельное подключение - нет проблем. А вот если на выходе выпрямителя индивидуальные дросселя, то возникает свистопляска с резонансом в котором участвуют первичные ёмкости питания мостов. Можно и это купировать, связав дроссели витком индуктивной связи.
-
Рекомендую CPH6904, сдвоенный, НЧ шумы меньше BF862. Физики не гнушаются и сотнями ставить JFET параллельно для термометрии по тепловому шуму))
-
Трансформатор тока в виде магнитопровода, окольцовывающего рельс. Особенно удобно, если рельса 2
-
Это ближе к делу. Питание такого моста происходит через силовой дроссель немалой индуктивности, никаких других конденсаторов, кроме снабберных с резисторами, IGBT переключаются с перекрытием по времени - никакого мертвого времени.
Диоды по параметрам - не хуже возможностей IGBT ))
В вашей поделке контур только последовательный.
Или индуктивность добавьте между параллельным контуром и выходом моста.
-
Вы потеряли рассудок ? Параллельный контур питается током, в его мосте добавлены диоды и никаких конденсаторов !
-
У вас на схеме на выходе моста параллельный контур - должен быть последовательный.
Если схема верна, то участь конденсаторов понятна и незавидна ))
-
Если конденсатор непосредственно на выводах транзистора - будет всё хорошо))
-
С вашим мастерством плести провода, увеличение резистора в затворе чревато...
-
Ограничения касаются верхней рабочей частоты - потери переключения приводят к перегреву.
Источнику питания станет только лучше - ток нагрузки будет спадать плавно, а не мгновенно с закрытием IGBT.
Ёмкость ограничит скорость выключения с сохранением низкого импеданса драйвера.
Ёмкостная нагрузка драйвера никого не заботит на ваших скоростях - резистор в 10...33 Ом ограничит максимальный ток.
Нужно сделать переключение за несколько микросекунд - 1...10
-
Варистор не параллельно катушке, а между эмиттером и коллектором !
Конденсатор 10нФ-22нФ параллельно затвор-эмиттер.
-
Если бы GaN были столь уязвимы, то китайские производители быстрых зарядных устройств для смартфонов не стали б использовать их в своих продуктах.
Они не имеют свойств лавинного пробоя, присущих mosfet.
Непонятно отсутствие входа, закрывающего оба ключа, в демоплате...
-
Опубликовано · Изменено пользователем НЕХ · Пожаловаться
Проводимость есть, а диода нет.
Вариант 1 - зло. Вариант 2 - зло. Транзисторы GaN надо оба закрывать. А мост пусть работает всегда.
Не сочтите за переход на личности - GaN и tl494 - не пара))
С такими ключами надо около мегагерца работать.
Перепаяйте исправный нижний ключ на место горелого. Нижний замените на SiC диод. Профит !
Аспекты использования ключевых MOSFET в линейном режиме
в Вопросы аналоговой техники
Опубликовано · Пожаловаться
Если нет материальных ограничений, можно попробовать HEMT
https://gansystems.com/wp-content/uploads/2020/09/GN004-Design-Considerations-of-Paralleled-GaN-HEMTs_200910.pdf
10 Ампер при 20 Вольт гарантируют на DC у GS61008