Перейти к содержанию
    

НЕХ

Участник
  • Постов

    1 579
  • Зарегистрирован

  • Посещение

  • Победитель дней

    1

Сообщения, опубликованные НЕХ


  1. На днях обнаружил (и ценой ещё одной ИМС, подтвердил) выход из строя с коротким замыканием, предположительно, синхронного ключа в составе TPS54308 при касании маленькой изолированной отвёртки свободного вывода EN. 

    После аварии выход звонится на землю как несколько Ом... 

    Случай не единичный, подобный - 

    https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/959804?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TPS54308

     

  2. 1 hour ago, Plain said:

    ... пресловутый FDV301 тоже без разницы чем заменять... 

    Это вы специально транзистор с огромной входной ёмкостью изобразили ?)) 

    У 301го единицы пФ, задержка на  RC небольшая

  3. Транзистор FDV301N хитрО смастерён - отрицательное напряжение на стоке приводит к разрядке затвора. Там внутри вместо стабилитрона стоит биполярный транзистор, похоже)) 

    Но в схеме выше это неважно... 

  4. 6 hours ago, 2expres said:

    Очень интересно! 2х10кВт=20кВт или 2х5кВт=10кВт?

    В каждом уровне применялся только 1 трансформатор?

    2 по 5. 40 кГц 

    у каждого по трансформатору. по нынешним временам гордиться нечем...

  5. Соединял последовательно два мостовых фазорегулируемых преобразователя подобно рисунку выше, 10 кВт 380 В. Цепи управления затворами запараллелены логически. Не столкнулся с трудностями - если на входе/выходе используется разное последовательно/параллельное подключение - нет проблем. А вот если на выходе выпрямителя индивидуальные дросселя, то возникает свистопляска с резонансом в котором участвуют первичные ёмкости питания мостов. Можно и это купировать, связав дроссели витком индуктивной связи.

  6. Это ближе к делу. Питание такого моста происходит через силовой дроссель немалой индуктивности, никаких других конденсаторов, кроме снабберных с резисторами, IGBT переключаются с перекрытием по времени - никакого мертвого времени.

    Диоды по параметрам - не хуже возможностей IGBT ))

    В вашей поделке контур только последовательный.

    Или индуктивность добавьте между параллельным контуром и выходом моста.

  7. Ограничения касаются верхней рабочей частоты - потери переключения приводят к перегреву.

    Источнику питания станет только лучше - ток нагрузки будет спадать плавно, а не мгновенно с закрытием IGBT.

    Ёмкость ограничит скорость выключения с сохранением низкого импеданса драйвера.

    Ёмкостная нагрузка драйвера никого не заботит на ваших скоростях - резистор в 10...33 Ом ограничит максимальный ток.

    Нужно сделать переключение за несколько микросекунд - 1...10 

  8. Если бы GaN были столь уязвимы, то китайские производители быстрых зарядных устройств для смартфонов не стали б использовать их в своих продуктах.

    Они не имеют свойств лавинного пробоя,  присущих mosfet.

    Непонятно отсутствие входа, закрывающего оба ключа, в демоплате...

  9. Проводимость есть, а диода нет.

    Вариант 1 - зло. Вариант 2 - зло. Транзисторы GaN надо оба закрывать. А мост пусть работает всегда.

    Не сочтите за переход на личности - GaN и tl494 - не пара))

    С такими ключами надо около мегагерца работать.

    Перепаяйте исправный нижний ключ на место горелого. Нижний замените на SiC диод. Профит !

×
×
  • Создать...