НЕХ

У вас на схеме на выходе моста параллельный контур - должен быть последовательный. Если схема верна, то участь конденсаторов понятна и незавидна ))

Если конденсатор непосредственно на выводах транзистора - будет всё хорошо))

С вашим мастерством плести провода, увеличение резистора в затворе чревато...

Ограничения касаются верхней рабочей частоты - потери переключения приводят к перегреву. Источнику питания станет только лучше - ток нагрузки будет спадать плавно, а не мгновенно с закрытием IGBT. Ёмкость ограничит скорость выключения с сохранением низкого импеданса драйвера. Ёмкостная нагрузка драйвера никого не заботит на ваших скоростях - резистор в 10...33 Ом ограничит максимальный ток. Нужно сделать переключение за несколько микросекунд - 1...10

Варистор не параллельно катушке, а между эмиттером и коллектором ! Конденсатор 10нФ-22нФ параллельно затвор-эмиттер.

Если бы GaN были столь уязвимы, то китайские производители быстрых зарядных устройств для смартфонов не стали б использовать их в своих продуктах. Они не имеют свойств лавинного пробоя, присущих mosfet. Непонятно отсутствие входа, закрывающего оба ключа, в демоплате...

Проводимость есть, а диода нет. Вариант 1 - зло. Вариант 2 - зло. Транзисторы GaN надо оба закрывать. А мост пусть работает всегда. Не сочтите за переход на личности - GaN и tl494 - не пара)) С такими ключами надо около мегагерца работать. Перепаяйте исправный нижний ключ на место горелого. Нижний замените на SiC диод. Профит !

Должна быть обратная связь по току дросселя. Ёмкость на выходе должна быть минимальной/отсутствовать. Эти транзисторы HEMT - в них нет диодов между истоком-стоком.

Когда на вход этой дорогой игрушки ничего не подано (0 V) - нижний выходной ключ открыт. Что произойдёт, если выходные конденсаторы будут заряжены ? Итог закономерен...

В вашей схеме отсутствует важная реальная составляющая - индуктивность питающих проводов. Разъёмы должны были быть зашунтированы ёмкостью ! дешевле $20, действительно sot227 - STGE200NB60S $25 - SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 или SKM150GAL12T4 уже дороже $45

Варистор срабатывает за наносекунды, ему только от старения плохеть будет. Но не в этой схеме.

кто знает, что там за свистопляска бывает, если один шустрее другого и когда ток в катушке меняет направление))

Не удивлюсь, если транзисторы у красавицы пробивают свой затвор-эмиттер)) Почему варисторы не напаять на каждый IGBT , пусть и на большее напряжение ? Почему эмиттеры IGBT не расположить "звездой" , искоренив провода в их цепи ? Зачет редкий SOT227, если полно модулей полумостов - даже запасной ключ имеется)))

Это фото - просто жесть ! Вы задумывались об индуктивности провода от эмиттера ? Когда так плохо цепляют ключи, надо ставить синфазный дроссель на каждый затвор-эмиттер ! 100А - детский ток, особенно в импульсе. Но при таком подходе выбросы коллектор-эмиттер будут колоссальные... Где главная ёмкость, если варистор стоит не между коллектор-эмиттер ? Ещё раз акцентирую - выключать надо очень плавно, ставить доп.ёмкость затвор-эмиттер, иначе IGBT превращается в открытый тиристор (это касается более значимых токов).

Бак превращается в буст и ключ травмируется перенапряжением, порождённым энергией выходных конденсаторов и сумасшедшей tl494 ? Нижний транзистор полумоста работает диодом и на него никогда не приходят открывающие импульсы ?

Автор темы не пользуется поиском ? Повторяю - ключевое слово = ФОТОВСПЫШКИ Одного транзистора за глаза для 100 Ампер - https://sds.compel.ru/item-pdf/045efdfe899f9043eab6f62d74939255/pn/infin~igw100n60h3fksa1.pdf А городушка из четырёх требует особого низкоиндуктивного монтажа, индивидуальных резисторов в затворе у каждого ключа и мощного драйвера.

Почитайте, как прерывается ток в фотовспышках. Тут обсуждалось...

Обычное поведение сердешного)) Измеряйте ток намагничивания вместо добротности.

Ещё одно простое решение на depletion mode mosfet, BSS139, например. https://www.eltech.spb.ru/mosfet-tranzistory-obednyonnogo-tipa-ot-ixys рис.4

В первом сообщении очередные сказки, весьма далёкие от реальности... Трансимпедансное включение LMP7721 c GBW=17MHz и входной ёмкостью 11pF c Rf=10М может обеспечить 157кГц максимум ! Какие ёщё мегагерцы и гигаомы ?)))

Только IGBT в этих конфигурациях не особо применимы.

Turn-off energy loss per pulse 45 mJ * 50000Hz = 2,2 kW Такое под силу только SiC MOSFET

50 кГц и IGBT - наивно. урежьте осетра))

Автора беспокоит цена предохранителя с требуемой большой разрывной способностью, а не номинальный ток.

В свободном доступе - https://pes.ee.ethz.ch/publications.html Зашкварная индукция, теперь сендаст... рука-лицо))