Сергей Викт

Такие ФНЧ пришли из аппаратуры любительской связи, когда надо было подавить помеху на частоте первого ТВ канала. Так и повторяют до сих пор. Рудимент эпохи, так сказать.

Этим в конце 80х годов умные люди занимались. Только там еще несколько петель связи вперед было. Я тогда "маленький" был, краем глаза глядел.

Там, как минимум линию задержки на выходе Ampl опустили, если полоса широкая, то она должна быть то же в виде частотозависимого фазовращателя. Так же опущен амплитудный корректор по частоте.

На биполярных транзисторах - КТ983А, В. - два ватта в двухтакте получите с ИМД3 не хуже минус 50 дБ. На полевых, отечественных 2П9110А, 2П978В, с питанием 28 В. (двухтакт). Импортные полевые - ART35FE - то же двухтакт при 28 В. RD16MVS1 ,без особых ухищрений обеспечивают в двухтактном включении минус 35 ДБн при питании 12,5 В и выходной мощности в пике 4 Вт. Правда до 50 МГц, выше задачи не было.

В классе А - 50% КПД получится только если усиливается сигнал с постоянной амплитудой и максимально возможной мощностью. Как только амплитуда сигнала начнет изменятся, то КПД сразу упадет. 25% при двухтоновом сигнале будет за счастье. Данное утверждение относится к линейным усилителям мощности. Синтетические методы формирования сигнала, типа Канэ, Догерти и т.д., а так же всевозможные предкоррекции и связь вперед в данном случае не рассматриваются.

До 100 МГц это просто. Ферритовые колечки, автотрансформаторы 1:4, как раз сумматор на 4 получается из 4 колец.

Двухтактный УМ на десятиваттных LDMOS транзисторах при питании 28 В вполне обеспечит ИМД3 минус 40 дБн на частотах до 100 МГц. Раньше выпускались биполярные транзисторы КТ983, КТ9150 - вот они могли и минус 50дБн обеспечить в классе А. Кстати, GaN транзисторы повышенной линейностью не отличаются, у них длинный участок насыщения, но именно высоких ИМД, на уровне минус 50 дБн они не показывают.

И по входу и по выходу, но Кш зависит именно от согласования по входу.

Чаще всего оптимальный импеданс источника сигнала по минимуму коэффициента шума не совпадает с оптимальным импедансом по коэффициенту усиления. Поэтому усилители для приемников желательно настраивать по минимуму коэффициента шума, а усилители мощности по минимуму входного КСВ.

OCF антенна или диполь с несимметричным питанием, есть такой термин. Когда у нас есть спиралька (вертикальный излучатель) и перпендикулярно расположенная к нему проводящая плоскость, то при достаточно больших размерах плоскости она излучать не будет. Т.е. Классическая вертикальная антенна получается. Если уменьшать проводящее основание до одного провода и расположить его соосно со спиралькой у нас получится диполь (это крайнее состояние). Причем в зависимости от соотношения длин спиральки и провода основным излучателем вполне может оказаться именно провод.

В этом я не спорю. Граунд это вторая часть излучателя. В данном случае. Тут еще такой момент, что в зависимости от размеров граунд и излучатель вполне могут поменяться местами.

Эффективность удлиняющей катушки в основании штыря почти никакая, она не изменяет распределение тока вдоль полотна антенны, когда мы включаем удлиняющую катушку в середину антенны, то изменяется форма тока вдоль антенны, она становится более прямоугольной, соответственно эффективность антенны растет. Спиралька это крайний случай удлиняющей катушки. просто ее разимеры надо выбирать исходя из максимальной добротности получающейся катушки и компенсации емкостной составляющей на рабочей частоте. Собственное входное сопротивление в идеале будут единицы Ом, все что выше - это потери.

Грубо говоря спиралька это крайний случай короткого штыря с удлиняющей катушкой, когда катушка занимает всю длину штыря. Но тут есть одна особенность, что антенны удлиненные катушками крайне чувствительны к добротности этих удлиняющих катушек, будет добротность такой катушки больше 1000, она будет работать так же, как и полноразмерный штырь. За счет высокой добротности укороченных антенн у них очень узкая полоса согласования и соответственно получается высокая чувствительность к окружающим предметам. Для уменьшения потерь в удлиняющих элементах лучше применять емкостное удлинение (зонтик на верхушке антенны) но такое исполнение весьма нетехнологично.

GaN с точки зрения технолога HEMT - имеют слой с повышенной подвижностью электронов, а с точки зрения эксплуатации этих транзисторов они MESFET - имеют затвор в виде барьера Шоттки, с соответствующими особенностями применения.

Значит, как выглядит сечение GaN MESFET транзистора представляете. Там между затвором и стоковым выводом есть достаточно длинная обедненная область n типа. При правильном расчете ее длина определяет пробивное напряжение сток-исток. Соответственно чем выше пробивное напряжение. тем длиннее эта область. Но при этом ее сопротивление тоже увеличивается. Соответственно если мы используем транзистор на напряжениях питания ниже рассчетных, то "лишняя" длина этой области добавляет лишнее сопротивление в открытом состоянии. Кроме того, она обеспечивает дополнительную емкость сток-исток, которой бы не было, если транзистор спроектировать на более низкое напряжение питания. Это заметно при снижении напряжения питания GaN транзисторов спроектированых для работы при 28 В до 12 В, выходная мощность снижается более,чем в два раза, а если этот транзистор использовать при питании 5 В, то будет еще печальнее.