Перейти к содержанию
Поиск
    

Integrator1983

Свой
 Профиль  Обзор контента

  • Постов

    707

  • Зарегистрирован

  • Посещение

 Тип контента 

Сообщения, опубликованные Integrator1983

  3. Опубликовано · Пожаловаться

    На словах красиво, а на деле не понял. Как дроссель на входе "доберется" до транзисторов со своим квазирезонансом, если на его пути еще конденсатор и дроссель резонансного контура?

     

    Доберется легко. Ток-то переменный. Но проще, наверное, по первичной стороне с дросселем играться.

  4. Опубликовано · Пожаловаться

    используемые STB16N65M5

     

    В схеме у Вас указаны несколько другие ключи. STB16N65M5 - это те из пары подходящих у ST, о которых я говорил. Хотя, Reverse recovery charge 3.5 uC - тоже не очень.

     

    моего транзистора суммарно 7.5нанокулон

     

    Такого даже у SicFET'ов нет. Это ST буквы u и n путают. 3.5 - 4uC.

     

     

    Для примера, сравним FCH150N65F(FRFET от Fairchild) и STB16N65M5 (MDmesh V).

     

    Для FCH150N65F Сgd/Cgs = 0.77/2810 = 0.000274.

    Для STB16N65M5 Сgd/Cgs = 3/1250 = 0.0024.

    Gate threshold voltage - одинаковые. Кто откроется раньше при высоких dU/dt?

     

    Reverse recovery time/Reverse recovery charge для FCH150N65F 123ns/597nC.

    Reverse recovery time/Reverse recovery charge для STB16N65M5 300ns/3500nC.

     

    Хотя, повторюсь, STB16N65M5 - один из лучших у ST.

  5. Опубликовано · Пожаловаться

    Новость... Повезло же выбрать именно эти

     

    Вообще, для двухтактных схем CoolMOS - очень плохие ключи. Посмотрите в даташите такие параметры, как Reverse recovery charge, а также отношение емкостей Cgd/Cgs (образующих делитель) и Gate threshold voltage. Будете неприятно удивлены. Чтобы избежать лишних танцев, возьмите предназначенные для двухтактной работы ключи - с шустрым диодом и пониженной емкостью Миллера.

     

    Диодом мы купируем Forward Recovery, а не заряд !

     

    Да, вспомнил. Я имел в виду Reverse Recovery.

     

    Посоветуете какой?

     

    Полно у Ixys, до 650В - есть у Fairchild (серия FRFET), парочка приличных есть и у ST (на 650В - точно есть - сам применял).

  6. Опубликовано · Пожаловаться

    Дадут - мы же выяснили как плохи транзисторы М5-серии !

     

    Дадут - если поставить последовательный диод в цепь С-И. У паразитных диодов (особенно, у CoolMOS'ов) прямое падение на 0,5-1В ниже, чем у хороших Ultrafast'ов. Так что набрать заряд паразитный диод все равно сможет - хоть стоит внешний Ultrafast, хоть нет.

     

    Извините, если повторяюсь - вроде, уже обсуждали этот момент.

  8. Опубликовано · Пожаловаться

    А что с ней не так?

     

    Не знаю. Кроме Вас ее, похоже, никто не видел. Выложите на обозрение. Просто, по опыту, описываемые Вами проблемы происходят из монтажа на соплях и "петлевой" топологии ПП.

  11. Опубликовано · Пожаловаться

    Есть фторопластовая пленка с липким основанием - типа скотча. Клей держит до 150 градусов, пленка - до 250. Покупали немецкую и китайскую - разницы нет (кроме стоимости).

  12. Опубликовано · Пожаловаться

    Что бы не возникало разногласий в терминологии, можно поступить как писал в своей книжке кто-то из аксакалов (Поликарпов, если склероз не изменяет) - преобразователь 1-го типа, преобразователь 2-го типа, преобразователь 3-го типа, изолированный преобразователь 1-го типа... И т.д.

  13. Опубликовано · Пожаловаться

    У меня есть только одна причина для выполнения трансформатора с зазором это амплитуда индукции в сердечнике близкая к величине индукции насыщения

     

    Еще одна причина - получение заданной индуктивности намагничивания (для схем с мягкой коммутацией).

  14. Опубликовано · Изменено пользователем Herz · Пожаловаться

    И где Вы там квазирезонансники нашли? Цитата:

    "4.3 Inverter

    The inverter is a series resonant, series/parallel loaded topology. A proprietary control scheme is used for regulating the power generated from the inverter.

    The switching devices are IGBT’s. These devices provide high frequency switching to control the resonant current flow. The typical resonant operating period is

    approximately 10 Seconds. The gate control for the switching devices is provided by the application circuitry located on the CONTROL/POWER PWB.

    The CONTROL/POWER PWB also provides circuitry for sensing shoot thru and overcurrent conditions in the inverter."

     

    И КПД ниже 90 я у них не видел. Возможно, плохо смотрел.

     

    А на счет 220V - так они из них 100кV получают - и ничего...

  15. Опубликовано · Пожаловаться

    Дайте ссылку на рабочий прототип и желательно с расчётами.

     

    Есть такая смешная фирмочка - Spellman High Voltage. Так у них там все повышатели резонансные, и что характерно - в основном, LLC (есть, правда, и FlyBack'и). Расчетов, правда, не дают - т.к. для любого LLC они одинаковые.

     

    меньше крутить витков? так 10 витков это уже и так минимум для даного сечения. может как-то шунтировать первичку?

     

    Это как Вы считали? по моим понятиям, 2-4 витка вполне достаточно.

     

    Кроме того, возможно, Вы выбрали слишком низкое значение Q, т.к. значение Lr достаточно приемлимое.

  16. Опубликовано · Пожаловаться

    w=U*t/B*s

    Она же - w=L*I/B*s

    Угу, а индукция от зазора не меняется?

    Не путайте индукцию и индуктивность.

    Потому потребное количество витков резко возрастает.

    Потребное количество витков - понятие растяжимое. Ну вырастет у Вас ток намагничивания (при тех же вольт-секундах) - и что с того? Иногда даже полезно бывает...

  17. Опубликовано · Пожаловаться

    Надо просто взять сердечник с зазором вынесенным за пределы катушки...

     

    Угу. И расположить этот дроссель персонально в ящике объемом 1м3 (чтобы конструкционные элементы не грелись). Разработчик поступил абсолютно правильно - минимизировал внешнее поле зазора. Сердечник РМ, судя по всему, выбран по тем же соображениям.

  18. Опубликовано · Пожаловаться

    Емкости между чем и чем, A-K?

     

    Именно. В Datasheet от TI (SLVS543N –AUGUST 2004–REVISED JANUARY 2014) нашел только одну схему с емкостью АК (Figure 22) - там четко дана ссылка - "Refer to the stability boundary conditions in Figure 15 and Figure 16 to determine allowable values for C". У Вас же нагрузкой является С4 = 100 нФ?

  19. Опубликовано · Пожаловаться

    Вообще, у TI четко указан диапазон стабильной работы TL'ки для емкостных нагрузок (если не ошибаюсь, менее 10нФ и более 5мкФ - всегда стабильно). От этого и отталкивайтесь.

  20. Опубликовано · Пожаловаться

    Считать там нужно, по большому счету, только резистор и 2 конденсатора (цепь Comp) - на калькуляторе и бумажке минут 5-10. Хотя, можно вообще ничего не считать - как правило, для стандартных применений и так работает нормально.

  22. Опубликовано · Пожаловаться

    где реально найти такой резонансный конденсатор

     

    Берется мешок обычных конденсаторов (желательно хороших) - и включаются они последовательно/параллельно - до достижения необходимой емкости и реактивной мощности.

     

×
×
  • Создать...