сформулируйте вопрос более однозначно.
другие точки не считаются вообще (настройки Optimetrics надо поменять) или считаются, но без задействования всей мощности?
Загрузка нескольких процессоров (или нод в кластере) идет по такой иерархии: Optimetrics variations -> Solution Setup -> Sweep
вы можете параллельно считать 18 distributes of Optimetrics variations. Т.е. 18 расчетов с разным параметром.
Тонкие настройки дистрибуции если снять галочку Automatic:
Появляются опции отдельно Tasks и Cores. Сколько задач параллельно и сколько ядер на каждую задачу можно.
Как сейчас установлено?
я тоже раньше такое слышал и делал Unite
а потом надоело и решил проверить (в 17-ой версии наверное) и не нашел подтверждения этому мифу
может это связано с алгоритмом меширования, возможно его улучшили
в Agilent не работал, но раз никто не отвечает - то попробую угадать. в большинстве программ касание 3D объектов плоскими гранями или 2D объектов гранями-отрезками - считается полноценным электрическим контактом, как будто это единая кристаллическая решетка из металла.
Кроме того, есть бинарные операции объединения (или вычитания) - Unite нескольких 3D или 2D структур в одну. В этом случае вся структура может быть только из одного материала. При стыковке возможные разные материалы.
вопрос о граничных условиях типа PerfectE или PerfectH? Обычно они накладываются на некоторую поверхность (прямоугольник, круг, грань параллелепипеда, грань цилиндра и т.д.) и имеют размеры той поверхности на которую назначены
Или вопрос о других Boundary?
не та устойчивость. "повторямость, предсказуемость, дураукоустойчивость".
в П-контуре ФНЧ типа минимизируется влияние неучтенных ёмкостей в самой плате, но выше влияние непредсказанных R/jX самой антенны
в Т-контуре меньше влияние неопределенности со стороны антенны, но больше со стороны платы
Г самый капризный и используется в основном на низких частотах с подстроечными элементами на крутилках
Из простых схем согласования (Г, П, Т) самая устойчивая - П-контур типа "low pass" типа (ФНЧ)
На обоих концах фильтра есть ёмкости С, что позволяет при выборе их номинала учесть (вычесть) ёмкость монтажа.
Они чаще всего используются во всякой бытовой электронике типа WiFi
Считается он простейшими формулами, вот в утилите 4NEC2 калькулятор
Возможно бесконечное число комбинаций CLC в зависимости от желаемой добротности нагруженного контура Q
Чем выше добротность, тем контур более избирательный и более узкополосный. Номиналы ёмкостей при этом выше, т.е. соотношение паразитных ёмкостей монтажа к расчетному С будет ниже и такой контур будет более устойчив к изготовлению.
Чтобы получить параметры в широкой полосе и получить параметры для других значений CLC (округлений до доступных номиналов) - очень просто пользоваться Ansys Circuit Designer
Pi_Matching_patron2500.aedt
проблема не в потерях, а в ненормированной толщине и эпсилон.
1) MMANA (только L-matching)
2) 4NEC2 (3 вида - L, Pi, T. По нашему Г, П и Т согласование)
Если речь о SMD, то явно не идет разговор, что КСВ не должен превышать 1.1 и что мощности будут десятки Ватт. Т.е. требования мягко говоря не жесткие.
Если FR4 двусторонний то не пойдет. Если односторонний и линия CPW, то неприличный ламинат FR4 хватит (будет намного точнее и меньше потери чем SMD всё равно)
линию можно делать не только печатную (не знаю какие там у вас производственные ограничения и ограничения на размер устройства)
Такого, чтобы вообще ничего не делать, а само генерировало схемы (не только номиналы и топологию, но и сам тип схемы) - я не слышал. Слишком фантастично.
Задача слишком частная и узкая, чтобы ради неё делать генератор схем.
С такой высокой частотой получаются компактные полосковые линии, а потери на SMD компонентах - наоборот высокие.
Полосковыми линиями сделать проще. Для этого достаточно в стык 2 линии, одна убирает jX, вторая трансформирует R
Мне проще всего считать в Ansys Circuit Designer, используя параметрический sweep
Z и P отрезка линии задать переменными, и с шагом например 5 мм прогнать от 0 до 1 lambda, а Z от
Чтобы не гонять начальные значения, можно калькулятор от MMANA взять (это схема чуть другая, закороченная вторая линия, но вариантов много разных)
Получаем схему из 2 отрезков длиной L1 и L2, характеристическим импедансом Z1 и Z2. Её тоже можно нарисовать в Circuit Designer и получить сквозной расчет КСВ и импедансов для двух трансформаторов сразу
Чтобы воплотить её в медь, можно просчитать размеры линии или с помощью приближенных формул:
https://www.eeweb.com/tools/microstrip-impedance
Или используя инструмент 2D Extractor (тоже в Ansys) для своей технологии (одно или 2-сторонняя и т.д.) подобрать размеры дорожек для получения Z1 и Z2
Даже если решается через 3D full-wave солвер, используется хитрый прием:
1) рисуется лишь мизерная часть линии, достаточно длины линии 50 микрон
2) создается тип проекта DrivenTerminal (не Modal) и на оба торца линии назначается WavePort (на всё сечение линии до границ. если линия открытая - то на ширину и высоту не менее 10 ширин "горячей" полосы линии
3) Торцевое сечение "горячей" дорожки назначается как терминал у порта WavePort. В свойствах порта "do not renormalize" (значение импеданса для ренормализации терминала не используется)
4) для виртуального моделирования длинной линии используется опция "Deembed port" на любую желаемую длину. Например если длина модели X, а желаемая длина симуляции линии Y, то каждый порт де-ембедится на (Y-X)/2 расстояние
5) верхний и/или нижний земляные поверхности можно вместо 3D назначить граничное условие "Finite conductivity" на плоскость, указать там материал медь и моделируемую толщину (например 18 микрон)
6) в возбуждении (Edit Sources) подводим напряжение только к одному из терминалов (например 1 вольт), второй терминал холостой (0 вольт)
в MWO не работаю, думаю что там должны быть доступные такие же техники
