BarsMonster 0 3 февраля, 2012 Опубликовано 3 февраля, 2012 · Жалоба Кто может подсказать, на какой максимальный ток для постоянной работы можно рассчитывать 1 пин SOIC корпуса + bonding wire? Температурный бюджет самого кристалла не учитываем. Возможно ли в обычных SOIC корпусах на обычном корпусировочном производстве 1 пин соединять несколькими bonding wire (2-4)? На чипе то дополнительных контактных прощадок на каждую bonding wire можно понаделать, а вот с ногой не понятно. Понятно что в даташите обычно написано что для 25um bonding wire fusing current 0.5A и выше, в зависимости от материала. Но мне это не говорит о практическом допустимом токе для постоянной работы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
fragment 0 3 февраля, 2012 Опубликовано 3 февраля, 2012 · Жалоба Кто может подсказать, на какой максимальный ток для постоянной работы можно рассчитывать 1 пин SOIC корпуса + bonding wire? Температурный бюджет самого кристалла не учитываем. Понятно что в даташите обычно написано что для 25um bonding wire fusing current 0.5A и выше, в зависимости от материала. Но мне это не говорит о практическом допустимом токе для постоянной работы. Кажется, 0.5 А - это и есть предельно-допустимый режим. Не превышайте его и все будет нормально. В качестве примера ADP1706 от Analog Devices (1 ампер через два пина). Возможно ли в обычных SOIC корпусах на обычном корпусировочном производстве 1 пин соединять несколькими bonding wire (2-4)? На чипе то дополнительных контактных прощадок на каждую bonding wire можно понаделать, а вот с ногой не понятно. Да, можно. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
BarsMonster 0 3 февраля, 2012 Опубликовано 3 февраля, 2012 · Жалоба Кажется, 0.5 А - это и есть предельно-допустимый режим. Не превышайте его и все будет нормально. В качестве примера ADP1706 от Analog Devices (1 ампер через два пина). Вот только вопрос сколько там bonding wire и какой толщины внутри :-) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
fragment 0 3 февраля, 2012 Опубликовано 3 февраля, 2012 · Жалоба Вот только вопрос сколько там bonding wire и какой толщины внутри :-) Да, Вы правы :) Просто обычно главный ограничивающий фактор - это рассеиваемая мощность самой микросхемы. Ладно, конкретный пример: микросхема регулятора с максимальным током 800 мА (1.3 A в пике). Диаметр проволоки, судя по размеру площадки, 32-35 мкм. Одна площадка, один провод. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
