[MKdemiurg 1]

Из SIM900_SerialPort_ApplicationNote_V1.02.pdf взял схему

 

 

Вот только непонятно - как она себя будет вести в момент включения и выключения. Есть опасения у меня что напряжение MCU приложится к RxD в момент пока не появилось VDD_EXT.

И для чего там 2 резистора по 470?

 

Ктото работает с такой схемой?

Изменено 18 января, 2012 пользователем MKdemiurg

[ssokol 0]

Вот только непонятно - как она себя будет вести в момент включения и выключения. Есть опасения у меня что напряжение MCU приложится к RxD в момент пока не появилось VDD_EXT.

а с какой стати, там переход в обратном направлении

 

И для чего там 2 резистора по 470?

для ограничения тока

[MKdemiurg 1]

а с какой стати, там переход в обратном направлении

 

Как это? n<-p->n ? Q2? С базы на коллектор и на RXD

 

 

для ограничения тока

 

Какого? Если и там и там по 4.7К ?

Изменено 18 января, 2012 пользователем MKdemiurg

[Peps 0]

MKdemiurg - Ваши замечания очень даже к месту... Я бы такую схему не применял... Вот CADiLO предлагает такую статейку http://we.easyelectronics.ru/Shematech/sog...-ustroystv.html Я из этой статейки использовал вариант согласования на полевом транзисторе (2N7002), когда нужно было заменить SIM300D на SIM900D. Очень понравилась. Фронты сигналов четкие, есть изоляция входов модуля при отсутствии на нем питания. На биполярнике думаю будет то же самое, правда там на 1 резистор больше.

[MKdemiurg 1]

MKdemiurg - Ваши замечания очень даже к месту... Я бы такую схему не применял... Вот CADiLO предлагает такую статейку http://we.easyelectronics.ru/Shematech/sog...-ustroystv.html Я из этой статейки использовал вариант согласования на полевом транзисторе (2N7002), когда нужно было заменить SIM300D на SIM900D. Очень понравилась. Фронты сигналов четкие, есть изоляция входов модуля при отсутствии на нем питания. На биполярнике думаю будет то же самое, правда там на 1 резистор больше.

 

Да я развёл схему сначала - а потом только задумался Теперь вернулся к варианту с 2БП как в семинаре на sim300 приводился.

Так что китайцам доверяй но проверяй.

 

 

 

[rx3apf 0]

Как это? n<-p->n ? Q2? С базы на коллектор и на RXD

На базу-то как попадет ? Эмиттерный переход включен в обратном направлении, так что до напряжения пробоя (вольт семь) на базе будет потенциал "земли".

 

[Peps 0]

А что за схема в семинаре на sim300 ? случайно не с диодной ли развязкой?

[MKdemiurg 1]

На базу-то как попадет ? Эмиттерный переход включен в обратном направлении, так что до напряжения пробоя (вольт семь) на базе будет потенциал "земли".

 

Н какую базу? Оно уже на базе вроде как...

 

 

А что за схема в семинаре на sim300 ? случайно не с диодной ли развязкой?

 

Изменено 19 января, 2012 пользователем MKdemiurg

[vesago 0]

Диод в цепь коллектора. Хотя не очень. Падение на транзисторе + падение на диоде. Может барахлить.

[rx3apf 0]

Н какую базу? Оно уже на базе вроде как...

А, я все ж как-то невнимательно глянул. Да. Но пойдет-то не только на RxD, но и на Vdd_ext, он и зашунтирует. Ну, я всегда был сторонником простых резисторных делителей...

Изменено 19 января, 2012 пользователем rx3apf

[Peps 0]

ДА, схемка указанная на семинаре по SIM300 уж дюже избыточная. Все легко решается на одном транзисторе (полевом или биполянром). Если кто-то собирается согласовывать уровни с помощью диодов шотки - хочу предостеречь: у меня такое согласование было с SIM300. Все работало, и уровни не превышали 3.3В. поставил в замену SIM900D - уровни остались где-то 3.1-3.4В. Почему - времени не было разбиратся, но подозреваю что из за большого обратного тока диодов шотки. А обычный кремниевый диод туда не поставишь - падение напряжение на нем на грани распознования логического 0.

Изменено 19 января, 2012 пользователем Peps

[MKdemiurg 1]

ДА, схемка указанная на семинаре по SIM300 уж дюже избыточная.

 

Ту что по ссылке(с 1 полевиком или биполярником) я раньше видел, но там же они работают в активном режиме, что не есть гуд.

 

[Peps 0]

А чем не гуд?

[MKdemiurg 1]

А чем не гуд?

 

Ну напряжение будет выделяться на нём, всякие тонкости активного режима (разброс коэф-та усиления ит.п.).

НУ а больше личное ощучение :laughing: , что в цифровых схемах активного режима быть не должно.

 

 

[ssokol 0]

Как это? n<-p->n ? Q2? С базы на коллектор и на RXD

Пардон, кое-чего не досмотрел (посмотрите на время моего того поста ) , но чувствую, что в схему просто вкралась какая-то очепятка, тк такую несуразицу нарошно бы не нарисовали.

 

Какого? Если и там и там по 4.7К ?

а такого, что если эмиттерный переход Q2 (или полностью весь транзистор) будет пробит, то у вашего модуля, благодаря R6 и супрессорам модуля, появятся шансы уцелеть. Это характерно именно для приведенной (и неправильной) схемы.