[asdf 0]

1. Скажите, пожалуйста, в этом случае, должен ли я таки киловольтный н-мосфет посередине поставить, или можно как-то на прямую все закоммутировать.

2. будет ли все это на высоких частотах (мегагерц и выше) работать, или, в этом случае, правильнее все по старинке - мост, огромный конденсатор без ККМ?

По первому вопросу - непонятно что Вы имеете ввиду, говоря "должен ли я таки киловольтный н-мосфет посередине поставить"?

Если Вы про ON3 из схем в сообщении 17, то достаточно 600-800В, особенно если поставить SiC диод, которого , кстати, в Вашей схеме нет.

Он должен стоять в цепи между стоком ON3 и емкостью С2. В схеме есть еще ряд ошибок или неточностей, в частности нет соединения по общему проводу.

По второму - не нужно забираться на мегагерцы, дроссель работающий на частоте 100-200 кГц будет и так небольшой, а величина емкости С2 от ключевой частоты не зависит. Кроме того работа на достаточно больших частотах - 500-1000кГц и более требует хорошего понимания рабочих процессов, чтобы сделать правильную разводку платы.