[НЕХ 4]

бывает необходимость шунтирования накопительного конденсатора диодом во избежании резонансной перезарядки конденсатора в обратной полярности.

[Serg SP 0]

и драйвер, не работующий меньше 15 вольт, например, HCPL3120/

 

Недавно конструировал драйвер полумоста как раз на HCPL3120. Был неприятно удивлён, что попавшиеся мне экземпляры работают начиная с 12В. Вышел из положения хитро: для питания управления верхним и нижним ключом у меня стоит махонький прямоход DC/DC, я домотал ещё одну обмотку, которую застабилизировал на уровне 10В, а две обмотки для питания самих драйверов у меня имеют удвоенные по сравнению с 10 - вольтовой обмоткой количества витков. От этой 10 - вольтовой обмотки я питаю сам ШИМ - контроллер. И что же получается? При старте ШИМ - контроллер менее 7 В не работает, т.е. на драйверах минимум 14В, а при выходе на режим - 20В (отрицательное смещение 3В предусмотрел), т.е. на затворе при работе от -3В до +17В, что очень гуд. При старте от -3В до +11В, что тоже очень даже ничего.

Изменено 30 марта, 2011 пользователем Serg SP

[AlexeyW 0]

бывает необходимость шунтирования накопительного конденсатора диодом во избежании резонансной перезарядки конденсатора в обратной полярности.

Пока транзистор открыт, тут так и получается

 

Получается резонансная частота около 700...900 Гц. Т.е. полпериода максимум 700 мкс. А импульс отпирания транзистора - 2...2,5 мс Процесс однозначно закончится, поскольку контур шунтирован. Это и видно на осциллограмме тока в катушке.

В этой схеме не может ток утихнуть за 2,5мс. Апериодический процесс будет тянуться долго, через 2мс ток будет около 10А. Другое дело, что он течет в диоде, не касаясь транзистора (я раньше ошибся).

[my504 2]

В этой схеме не может ток утихнуть за 2,5мс. Апериодический процесс будет тянуться долго, через 2мс ток будет около 10А. Другое дело, что он течет в диоде, не касаясь транзистора (я раньше ошибся).

Ток через транзистор не течет. А какой ток будет в диоде - дело десятое... На процесс выключения транзистора это не влияет.

[ZVA 0]

Отключение транзистора при 0 тока. Включение тоже.Скорость нарастания тока при включении (при Ваших параметрах контура) менее 1А/мкс.

Следовательно ультрафаст тут не нужен и можно ставить самый медленный лоусатурайшен, и драйвер 6 амперный тоже.... из пушки по воробьям. ИМХО. :rolleyes:

[my504 2]

При штатном функционировании - Вы правы, все именно так. За исключением диода параллельного катушке - он переключается со скоростью изменения синусоиды в точке перехода через 0, в данном случае - 900 Гц.

Но при коммутациях питания при одновременном управлении ключом уже все не так очевидно. А устройство эксплуатируется именно с такими возможными событиями.

Драйвер на 6 ампер стоит 1 доллар. Правда он одноканальный. Но мне 2 канала не нужны, а менее мощные но двухканальные драйверы стоят приблизительно столько же.

Кроме того, схемотехника цепей питания устройства много проще и оптимальнее именно в варианте КМОП драйвера.

Изменено 1 апреля, 2011 пользователем Марк_Я

[NikF 0]

Был случай в практике, привезли разные драйвера фирменные, так вот с драйвером с выходным током 15А и Rg = 3.3 Ом, модуль IGBT на 400А, благополучно накрылся. Плюнули на эти фирменные драйвера и поставили связку HCPL3120+КТ817,816. Этот драйвер прекрасно работал при Rg = 1.8...6.8 Ом с модулями до 1000А. Схема включения почти такая же, одиночный импульс правда длительность от 10 до 100мкс регулируемая. Еще очень влияет паразитная индуктивность силового контура, подводящие шины планарные и т.д.

[AlexeyW 0]

Еще очень влияет паразитная индуктивность силового контура, подводящие шины планарные и т.д.

Действительно очень важно. Причем, не знаю про модули - но обычные транзисторы в корпусах до ТО-247 имеют, как правило, только силовой вывод эмиттера, а у него еще внутренняя индуктивность - при быстром нарастании или спаде тока выброс на ней вполне может пробить затвор.

[NikF 0]

Ну пробить затвор это врядли, надо все-таки вольт 30, а вот подкинуть затворное напряжение вольт на 5 может, в то время когда это не нужно. Что приводит к несанкционированному включению ключа и как следствие, к тепловому пробою от сверхтока. Поэтому и закрывать IGBT рекомендуется небольшим вольт 5, минусом.

Изменено 20 апреля, 2011 пользователем NikF

[AlexeyW 0]

Ну пробить затвор это врядли, надо все-таки вольт 30, а вот подкинуть затворное напряжение вольт на 5 может, в то время когда это не нужно. Что приводит к несанкционированному включению ключа и как следствие, к тепловому пробою от сверхтока. Поэтому и закрывать IGBT рекомендуется небольшим вольт 5, минусом.

Зависит от тока - мы с трудом и ухищрениями боролись с самозапиранием при работе на нагрузку около 0,4мкГн при напряжении 300-400В, там запросто 6-7 вольт набегало, и это не самый трудный случай. Про -5В учту, спасибо.

[НЕХ 4]

познавательный труд нашёл... про ключи и не только.

[AlexeyW 0]

познавательный труд нашёл... про ключи и не только.

Спасибо! Какая знакомая классика жанра :)) Я для таких ускоряющих линий даже свое моделирование писал когда-то :)

[Znextry 0]

Цел диодик. Только что прозвонил.

 

Вы попробуйте посмотреть внимательно на геометрию эмиттерной цепи. Если Вы выключаете транзистор при ненулевом токе, на индуктивности эмиттерной цепи вполне можно при хорошем раскладе получить иголку более 20В, и дёшево выбить IGBT по затвору. Проверьте, что у проводника земли управления, которая идёт к драйверу, и у земли силовой, которая идёт к "минус 300В", нет общих участков. Длительность этой иголки примерно равна длительности спада для данного транзистора, а амплитуда - обратно пропорциональна ей.

 

Ну пробить затвор это врядли, надо все-таки вольт 30

 

Да с лёгкостью необычайной! Для более быстрых транзисторов IRGP50B60PD1, ну и чуть более серьёзных отключаемых токов, скажем, около ста с небольшим ампер, для этого вполне может хватить длины эмиттерного вывода. Но я с Вами совершенно согласен, что получить повторное отпирание транзистора гораздо проще.

[vao 0]

Я не очень часто использую IGBT, поэтому был весьма удивлен, когда в типовой схеме включения происходит пробой транзистора (все электроды стянуты в точку).

Намагничивающее устройство. Импульсы разовые (не чаще 1...2 секунд период). Конденсатор разряжается в катушку. Ток около 90 ампер в пиковом значении. Время процесса около 750 мкс (импульс запуска длиннее).

Драйвер 6 амперный. Блокировки по питанию не показаны, но имеются.

Транзистор имеет импульсный допустимый ток 220 ампер. Напряжение коллектора 600 вольт (у меня всего 300...320).

Вроде все ОК...

Схема:

 

 

Я в некотором недоумении.

Спасибо.

 

Я бы посоветовал вам заменить дид на ультабыстрый, так как у вас обычный диод - это не правильно. И переделать затворную цепь транзистора - поставить супрессор. Но основная причина (на мой взгляд) - это диод.

У меня с подобными схемами проблем небыло.

И еще. как сгорает транзистор? через какоето время - не проходит по току.

Внезапно - пробой по напряжению.

 

У вас ключ без обратного диода, время во велюченом состоянии больше полупериуда коллебательного прцесса "Время процесса около 750 мкс (импульс запуска длиннее)." (хотя судя по номиналам схемы это бред). В этом случае IGBT точно сгорит.

В общем у вас есть нестыковки.