НЕХ 7 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба в этой теме обсуждались проблемы высоковольтных полевых транзисторов. проблема начинаетя не при выключении транзистора. при выключении она себя лишь проявляет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Высоковольтные полевые в третьем квадранте вообще никак не работают? Понятно, что при выключении проблема уже себя проявляет. Бороть её там, где она начинается - в обратном диоде - можно ??? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 1 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба For Vokchap: К вопросу о работе обратного диода. Берем первый попавшийся высоковольтный ключ - например, IXFX 38N80Q2. ID25 = 38 A, RDS(on) = 220 mΩ, VSD (IF = IS, VGS = 0 V) = 1.5 V. Что будет, если обратный ток канала превысит 6.8 А? Бороть её там, где она начинается - в обратном диоде - можно ??? Не только можно, но и нужно - если нет запасного ведра для транзисторов. Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах (затвором или внешними цепями, а лучше - всем вместе). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Integrator1983, зачем первый попавшийся, ещё и десятилетней давности. Если говорить о 800 В, то 140 мОм уже не рекорд при том же Vsd. IXFB 60N80P 500 - вольтовые с каналом менее 100 мОм уже нормальное явление. Ну и 100 вольтовые с каналом единицы мОм - тоже "высоковольтные". Ответ один - держать dU/dt, dI/dt в допустимых пределах. В этом нового уже ничего нет. Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 1 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Вопрос не в том, сколько лет транзистору. Возьмем APT8014L2LL (2003): 140 мОм, 1,3 В на диоде. При каком обратном токе канала заработает диод? То же самое и для IXFB 60N80P (2006). А других ключей на 800 В 140 mOhm я не видел. Кроме того, некоторых может смущать их цена. А если почитать DataSheet еще дальше и сравнить накапливаемые в диоде заряды у Ixys и APT - то и о 10 годах как-то забываешь. По-моему, для 100 В ключей еще можно выбрать режим, в котором обратный диод никогда работать не будет. А вольт на 400 и выше - увы. Это рождает только ограничения на частоту, КПД и габариты. КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба А вольт на 400 и выше - увы. Так-уж и увы? 10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк? Пусть не на 100% канал зашунтирует паразитный диод, накопленный в диоде заряд будет пропорционален его прямому току. Соответственно это уже другая картина. Есть некая ниша. КПД и, косвенно, габариты - согласен. А частота тут причем? Интеграл под кривыми больше при крутых фронтах :). Частота и КПД понятия неразделимые. ps Я не имею ничего против идеи шунтировать диод каналом (или сформированным TMBS диодом) с напряжением на затворе ниже порогового, как предлагает автор в соседней теме. Раз это работает, значит будет определенная ниша. Всегда приходится искать компромисс между что хочется и что можно. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 1 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Так-уж и увы? Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод. :) 10А обратного тока мимо диода на 800-вольтовом - сущий пустяк? Конечно же не пустяк. И КПД повыше, и заряд поменьше. Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ). Частота и КПД понятия неразделимые. Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Под УВЫ подразумевается полное исключение протекания тока через диод. :) А если не полное, стало быть фтопку? Но накопление заряда в диоде будет, и обходится с ключем придется аккуратно (к чему и призывает уважаемый НЕХ). Будет или не будет, как много будет и при каких условиях я думаю уже понятно. С ключами нужно всегда аккуратно, возражений нет. Вот тут не согласен. Если коммутировать один и тот же ток/напряжение с частотой 50 кГц со скоростью Х и с частотой 100 кГц со скоростью 2*Х? Как по мне, динамика будет та же. Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно). Вы сами опровергли своё возражение :). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 1 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба А если не полное, стало быть фтопку? Если не полное - возникают вопросы, рассматриваемые в этой теме - то есть, вроде как режим ключа нормальный (на первый взгляд), до предельных значений токов/напряжений далеко, а ключ горит. Ну "динамика" будет в два раза выше, КПД условно такой-же (если всё линейно). Не понял, как это??? Потери на переключение в 1 случае в 2 раза выше, но происходят переключения в 2 раза реже. То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 7 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения ! на низкой частоте вредные дырки, возникшие при токе через паразитный диод, успеют рекомбинировать за время открытого ключа. а на высокой - после закрытия могут спровоцировать лавинный пробой с открытием паразитного внутреннего биполярного транзистора при напряжения сток-исток меньше паспортных. это может произойти только когда зарядов неосновных мало - при большом их количестве они сами ограничат динамику при рассасывании. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 1 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения ! А режим КЗ? Длительность интервалов передачи энергии крайне мала, все остальное - свободная циркуляция, ток в диодах приличный. Плюс нагрев кристалла этим током. Если долбить ключ высокими скоростями - на любой частоте улетит (ну, разве что до единиц кГц опускаться). при большом их количестве они сами ограничат динамику при рассасывании. Как по мне, лучше не надеяться на заряд диода, а поставить внешнюю емкость, ограничив dU/dt. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба То есть, динамические потери в ключе что в 1, что во 2 случае одинаковые. Вот и я говорю, что КПД преобразователя не изменится. Т.е. обострение фронтов в 2 раза (которое возможно при решении вопроса лавинного пробоя), позволит условно в два раза задрать частоту при сохранении прежнего КПД преобразователя. Частота - принципиальна ! и дело не в динамике переключения ! Об этом и речь - решив проблему накопления заряда в диоде (или хотя-бы его величины) - задираем частоту (обостряем фронты) без ущерба для здоровья (ключа). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 1 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Об этом и речь - решив проблему накопления заряда (или хотя-бы его величины) - задираем частоту без ущерба для здоровья (ключа). То есть все говорят об одном и том же - только по-разному. По сути, либо не допускаем насыщения диода, либо "мягко" его рассасываем, не вгоняя в область вторичного пробоя, если все же насытился. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vokchap 0 2 июня, 2011 Опубликовано 2 июня, 2011 · Жалоба Стало быть договорились. Можно пойти выпить чаю :beer: . Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 7 3 июня, 2011 Опубликовано 3 июня, 2011 (изменено) · Жалоба неосновные носители - дырки - начнут появляться как только напряжение на стоке упадет до -0,5 Вольта(условно) и ниже. поэтому 5 Ампер Х 0,1 Ома - предел безмятежности для условного транзистора. есть надежда, что при бОльшем токе при условии сохранения полного открывающего напряжения на затворе, вред дырками нанесён не будет после закрытия транзистора. Применение снабберов приводит к необходимости увеличивать реактивный ток, иначе самокоммутация под вопросом. В PFC до киловатта CoolMos прекрасно трудится без их помощи. Жаль, что они жадно впитывают заряд при обратном течении тока через исток-сток. Схемка драйвера обошлась тремя дискретными транзисторами, полумосту теперь фиксированный dead-time не нужен. Недалек тот час, когда все эти потуги канут в лету http://catalog.compel.ru/blog/2011/03/18/c...remniya/?q=cree попался транзистор симпатичный, MeanWell ставит в БП, Toshiba делает, вроде по лицензии Infineon. Изменено 3 июня, 2011 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться