[nikolascha 0]

Вот странички из книги с выводом формулы и примером использования...

1.ZIP

[Ed2000 1]

Ищу материалы по МОП-транзисторам с кольцевыми затворами: книги, статьи, правила проектирования, расчёт и т.д.

желательно проектные нормы >1мкм

 

Если вопрос актуален советую поискать на сайте ЦЕРН (CERN, www.cern.ch). Там есть база данных называется кажется "indico". В ней по фамилии Anneli ищите радиационно-стойкие транзисторы.

Кажется они делали parametric cells для Cadence design kit под КМОП технологию IBM 0,13 или 0,18. Там же было какое-то описание с картинками и соответствующие формулы.

[nikolascha 0]

Если вопрос актуален советую поискать на сайте ЦЕРН (CERN, www.cern.ch). Там есть база данных называется кажется "indico". В ней по фамилии Anneli ищите радиационно-стойкие транзисторы.

Кажется они делали parametric cells для Cadence design kit под КМОП технологию IBM 0,13 или 0,18. Там же было какое-то описание с картинками и соответствующие формулы.

Как-то вы сложно описали способ доступа к информации, только "посвященные" найдут... А более прямых путей у вас нет?

[monitor7 0]

... способ доступа к информации, только "посвященные" найдут.

 

Достаточно гугла:-)

h ttp://cdsweb.cern.ch/record/734132/files/...6.pdf?version=1

[nikolascha 0]

Наткнулся в книжке Christian C. E., Eric A. V. Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design - 2006 - 328 c. на главу "4.6.4 Geometrical Effects" (стр. 53), в которой рассматривают уход тока стока от модуляции длинны канала кольцевого транзистора. Так вот, я так понимаю, что ток стока в кольцевом транзисторе будет иметь меньшую зависимость от напряжения сток-исток, причем эта зависимость в прямом и обратном включении будет разной. Интересный момент для размышлений, как мне кажется...

 

[Losik 1]

>>Интересный момент для размышлений, как мне кажется...

теоретических размышлений, для практики информация малополезная.

[Poluektovich 0]

Для транзисторов с формой затвора близкой к квадрату/кругу приведенные формулы работают. А как можно поступить в случае вытянутого прямоугольного транзистора?

[Poluektovich 0]

Для транзисторов с формой затвора близкой к квадрату/кругу приведенные формулы работают. А как можно поступить в случае вытянутого прямоугольного транзистора?

[xelaukxaxa 0]

Для транзисторов с формой затвора близкой к квадрату/кругу приведенные формулы работают. А как можно поступить в случае вытянутого прямоугольного транзистора?

Можете посмотреть здесь:

Modeling of MOS Transistors with Nonrectangular-Gate Geometries TED 1982,

ну а потом гуглом раскрутить множество других нужных ссылок.

[Poluektovich 0]

Спасибо. Интересная статья.

[Jurenja 1]

С корректной экстракцией размеров (L и W) у таких транзисторов обычно проблемы.

Популярные тулы хорошо работают только на линейных лэйаутах.

[amartology 0]

С корректной экстракцией размеров (L и W) у таких транзисторов обычно проблемы.

Популярные тулы хорошо работают только на линейных лэйаутах.

Почти всегда проще посчитать все руками и передать параметры в экстрагированный нетлист, чем мучиться с экстракцией через стандартные тулы. Это не говоря уже о том, что из-за изменения длины канала на перегибах транзистор с посчитанными эффективной длиной и шириной будет вести себя не совсем так, как аналогичный линейный. Для цифровых схем разница скорее всего невелика, а с аналоговыми могут быть проблемы.

 

P.S. А еще есть крутая опция не пользоваться кольцевыми транзисторами Кроме приложений, которыми занимаются в ЦЕРНе Anelli и компания, они ни для чего не нужны.

[Jurenja 1]

P.S. А еще есть крутая опция не пользоваться кольцевыми транзисторами Кроме приложений, которыми занимаются в ЦЕРНе Anelli и компания, они ни для чего не нужны.

Бывают еще заказчики в погонах и большинство доступных технологий их не удовлетворяют, а если и удовлетворяют то в недостаточной степени. Вот и приходится...