[Spike 0]

Уважаемые, подскажите, вот кусок CIR файла

MCKT 1 2 3 4 NMOS_bsim3v3__1
+ L = 3e-05
+ W = 3e-05
+ NRS = 0.0344053
+ NRD = 0.0344053
+ AS = 1.20979e-10
+ AD = 1.20979e-10
+ PS = 3.80653e-05
+ PD = 3.80653e-05

Здесь L - длина, W - ширина, PD - периметр стока, AD - площадь стока. AD и PD на сколько я понимаю можно посчитать, если у меня есть прибор (например промоделированный в SUPREM4), а NRD в таком случае можно через удельное сопротивление посчитать?

Я прав?

Спасибо.

[nikolascha 0]

AD и PD на сколько я понимаю можно посчитать, если у меня есть прибор (например промоделированный в SUPREM4), а NRD в таком случае можно через удельное сопротивление посчитать?

AD, PD, и NRD считаются из топологии стока транзистора. NRD - количество квадратов стока. Я встречал разные варианты расчета NRD: 1) h/W (h -ширина стока); 2) кто-то считает, что h - это не вся ширина стока, а только расстояние от затвора до середины контакта; 3) 1/W - в предположении, что сопротивления самосовмещенного слоя на много больше сопротивления стока (подлегирования контакта).

[Spike 0]

AD, PD, и NRD считаются из топологии стока транзистора. NRD - количество квадратов стока. Я встречал разные варианты расчета NRD: 1) h/W (h -ширина стока); 2) кто-то считает, что h - это не вся ширина стока, а только расстояние от затвора до середины контакта; 3) 1/W - в предположении, что сопротивления самосовмещенного слоя на много больше сопротивления стока (подлегирования контакта).

А на сколько вообще критична точность этих параметров? Сильно ли они влияют на результат моделирования?

[nikolascha 0]

А на сколько вообще критична точность этих параметров? Сильно ли они влияют на результат моделирования?

Зависит от того в каком режиме вы моделируете. При больших токах через транзистор - NRZ будет вносить свой вклад. На больших частотах - PS и AS будут пересчитаны в ёмкость, которая будет влиять на частотные характеристики.