[GetSmart 0]

Конкренее некуда - я же сказал - берклевская модель биполярного транзитора.

Тогда объясните почему некоторые (высоковольтные?) транзисторы не подчиняются этой модели и у них на рабочих (на любых?) токах в режиме насыщения потенциал коллектора никогда не опускается ниже базы, при том что бета значительно падает.

[SM 0]

Тогда объясните почему некоторые (высоковольтные?) транзисторы не подчиняются этой модели и у них на рабочих (на любых?) токах в режиме насыщения потенциал коллектора никогда не опускается ниже базы, при том что бета значительно падает.

 

Вы модель-то саму смотрели? В ее описании, я ссылку давал, там картинка такая, в начале... На схему похожая. На ней RC и RE есть - резистивная составляющая перехода, его неидеальность, "паразиты". Вот на них эти лишние вольты и падают. А условие что Vb'e' > Vc'e' (штрихи тоже взяты из модели, со схемы, и из формул) полностью при этом выполняется, и транзистор в насыщении. Так что подчиняются они этой модели, еще как подчиняются. А сопротивление (обычное омическое) существенное у переходов и появляются из-за высоковольтности - надо же сделать их непробиваемыми... А это без жертв не дается.

Кстати на малых токах, где влияние RC/RE не существенно, и у этих транзисторов Vce упадет ниже Vbe, никуда не денется, физику не обманешь. Можете тестером проверить... Если моделям не доверяете :) :)

 

 

-----

вдогонку... Советую задуматься, где и зачем диод Шоттки стоит в ТТЛШ-логике. И почему время выхода из насыщения значительно выше, чем из активного на грани насыщенного. Тогда вопрос про насыщение еще прояснится.

 

P.S. В общем модель она на то и модель, что наиболее близко к истине описывает происходящие процессы. В отличие от всяких надуманных дифференциальных бетов, сделаных лишь для упрощения рассчетов, но уводящих в сторону от реальных процессов.

[GetSmart 0]

вдогонку... Советую задуматься, где и зачем диод Шоттки стоит в ТТЛШ-логике. И почему время выхода из насыщения значительно выше, чем из активного на грани насыщенного. Тогда вопрос про насыщение еще прояснится.

Шунтирует переход БК. Ну и что? Формально он не мешает насыщению, он мешает глубокому насыщению. Я только мельком слышал о физике этого процесса, знаю что это связано с рассасыванием заряда базы. Но на практике столкнулся (немного изучал) это свойство "изобретая" относительно быстродействующий 24В push-pull на КТ961/КТ9180. В той схеме база биполярного транзистора была похожа на затвор полевика, именно в те короткие моменты резкого переключения. То есть ёмкость приходилось выкачивать приличную. Причём откуда там берётся эта ёмкость я так и не понял. Но она наверное на порядок больше обычной ёмкости коллектора и эмиттера когда он в линейном режиме. Когда я слишком быстро выкачивыал заряд базы (с помощью эмит.повт.) некоторые ключевые транзисторы умирали только из-за этого, причём нагрузка в коллекторе была намного ниже предельной.

 

P.S. В общем модель она на то и модель, что наиболее близко к истине описывает происходящие процессы. В отличие от всяких надуманных дифференциальных бетов, сделаных лишь для упрощения рассчетов, но уводящих в сторону от реальных процессов.

А мне казалось для упрощения понимания свойств схемы. Ну будет перед носом лежать формула Эберса-Молла или ещё какая-либо. Да хоть ВАХ транзистора. По ней совсем неочевидны свойства падения беты. А бета является основой в расчётах схемы. Кроме того, модели есть у малой доли транзисторов, то бишь для большинства остальных совершенно непонятно как они себя поведут в схеме. И под конец - физически потенциал коллектора высоковольтного транзистора в режиме насыщения может быть больше потенциала базы, по каким причинам - допустим ясно, но всё равно больше, и определение, завязанное на потенциалах на выводах транзистора - недостаточно чёткое.

Изменено 28 ноября, 2009 пользователем GetSmart

[domowoj 0]

В бАзу не потечет ток больше, чем ток коллектора/h21

А это и вообще неверно.

А как вам вот такая простенькая схема, где ток базы ничем не ограничен

и зависит только от тока коллектора(эмиттера).

[131959G 0]

Прочитал всю тему уже два раза.

Пока понял только вот это:

И рисуйте схемы правильно, чтобы плюс питания был вверху схемы, а эмиттер смотрел вниз.

Первый раз со мной такое.

Нарисовал ЭМИТТЕР ВВЕРХ и сразу :smile3046: (больноблин).

Больше не буду.

[SM 0]

где ток базы ничем не ограничен

Ошибаетесь. Переход КЭ, открываясь, шунтирует переход БЭ, пытаясь закрыть транзистор и ограничивая ток базы. Диодное включение называется, транзистор пожизненно в активном режиме. Итого в базу течет всегда лишь Ik/h21э, и I = Ik + Ik/h21э, ток базы ограничен... Тепловым пробоем транзистора.

 

Причём откуда там берётся эта ёмкость я так и не понял.

Это не сколько емкость, это восстановление открытого перехода БК, как восстановление любого диода. (Даже если напряжение снаружи на коллекторе больше, чем на базе, внутри все равно переход БК открыт в прямом направлении, именно переход, а не само "тело" коллектора, которое не переход, а тупое R n-типа (или p)) А если вспомнить площади переходов БЭ и БК... Тогда станет понятно, почему это восстановление гораздо тяжелее, чем восстановление одного открытого БЭ.

 

По ней совсем неочевидны свойства падения беты. А бета является основой в расчётах схемы.

Вот мне вообще непонятно, на кой при рассчете насыщения бета (вот в этом "падающем с насыщением" понимании) вообще? Если в насышение транзистор априори попадает лишь тогда (ОК от автора темы в расчет не берем), когда источник в коллекторе физически не может обеспечить достаточно тока для выхода на линейный режим? Просто для оценки необходимого тока, который вдуть в базу, чтобы глубоко насытить? Но это не сложнее рассчитывается из формул модели, но гораздо точнее.

[131959G 0]

Если в насышение транзистор априори попадает лишь тогда, когда источник в коллекторе физически не может обеспечить достаточно тока для выхода на линейный режим? Просто для оценки необходимого тока, который вдуть в базу, чтобы глубоко насытить?

SM

Спасибо.

Эти два вопроса (во всяком случае мне так кажется) ближе всего к моему пониманию режима насыщения транзистора.

Вот только эту идею возможно ли "привязать" к схеме с общей базой?

Это конечно к теме не относится, но все же - как Вы думаете (я про общую базу)?

Изменено 28 ноября, 2009 пользователем 131959G

[SM 0]

Вот только эту идею возможно ли "привязать" к схеме с общей базой?

Еще как можно - это используется в трансляторах уровней на каскадах с общей базой. При этом входной сигнал подается на эмиттер (допустим лог. уровни 1.8 вольта), на базу - порог срабатывания+0.6вольт, а коллектор - к + питания выхода через резистор. Итого - когда на входе (эмиттере) 0 вольт, то транзистор глубоко насыщен, на выходе тоже околоноль вольт. Когда на входе 1.8 - транзистор закрыт - на выходе хоть 100 вольт, сколько там на коллектор подано.

 

ближе всего к моему пониманию режима насыщения транзистора.

Это один из вариантов того, как транзистор оказывается в насыщении. Другой - вам уже приводили, с вашим же ОК, когда напряг на базе превышает VCC.

[GetSmart 0]

Ошибаетесь. Переход КЭ, открываясь, шунтирует переход БЭ, пытаясь закрыть транзистор и ограничивая ток базы. Диодное включение называется, транзистор пожизненно в активном режиме. Итого в базу течет всегда лишь Ik/h21э, и I = Ik + Ik/h21э, ток базы ограничен... Тепловым пробоем транзистора.

Там речь шла о том, что снаружи ток базы не ограничен. И транзистор из базы берёт при этом ровно столько, сколько ей нужно по-минимуму, то есть бету. В ОЭ база возьмёт столько, сколько "вкачают".

 

Это не сколько емкость, это восстановление открытого перехода БК, как восстановление любого диода.

То бишь если я возьму диод, "открою" его током например 0.5А и попытаюсь закрыть с помощью эмиттерного повторителя, то в (короткий) момент закрывания у меня через повторитель потечёт ток значительно выше 0.5А, грубо говоря несколько ампер, только из-за того, что переход диода превратился в ёмкость и успел накопить заряд?

[131959G 0]

Спасибо ВСЕМ кто ответил в теме.

Ноги у темы выросли вот отсюда:

http://forum.cxem.net/index.php?showtopic=...mp;#entry573949

Думаю, что все получилось достаточно пристойно и польза от посещения этого ресурса будет для всех.

Приглашаю и ВАС Разработчики на Паяльник.

С уважением!!!

Гена.

[domowoj 0]

на базу - порог срабатывания+0.6вольт, а коллектор - к + питания выхода через резистор.

0,6 вольт на базу???,

маловато будет.

Вы не учитываете уровень входного лог. 0, обычно берут середину ворот 0,8...2,4В.

[SM 0]

Вы не учитываете уровень входного лог. 0, обычно берут середину ворот 0,8...2,4В.

А Вы читать не умеете. "порог срабатывания+0.6вольт" это не равно 0.6 вольт, если порог срабатывания не нулевой. И вообще, я приводил в пример 1.8-вольтовую логику, там порог аккурат 0.9 вольт. Значит на базу - 0.9+0.6=1.5. А Вы откуда-то про ТТЛ придумали. Типа "чукча писатель".

 

0.5А и попытаюсь закрыть

В общем, чем бы Вы там его (диод) закрывать не пытались, придется "рассосать" заряд Qrr, прежде чем он закроется. И он, естественно, будет рассасываться в виде броска тока. Применительно к базе транзистора - рассосать Qrr только с БЭ, или с БЭ+БК - две большие разницы. А шоттка - она восстанавливается как обычная емкость, в том одно из отличий от классических диодов.

[GetSmart 0]

Вопрос к знающим:

Если транзистор расчитан на предельный ток 3А например, то этот ток можно "гонять" только через виртуальный переход КЭ или через БК в прямом смещении тоже? Обычно у транзистора регламентируетсяпредельный ток базы, но если более точно разобраться - куда он относится - к току БЭ или к любому току базы?

[SM 0]

к любому току базы?

К любому.

А по логике - допустимый ток через БК должен быть больше, чем через БЭ и через КЭ (которые, опять же по той же логике одинаковы и определяются переходом БЭ), так как переход БК имеет большую площадь, чем БЭ. Но сейчас технологий столько, что там черт ногу сломит... Мало ли что у кого понапридумано... Ну и плюс - что чем разварено и какая площадь контакта - это дополнительное ограничение на ток базы, актуальное для мощных девайсов.

[GetSmart 0]

К любому.

Это я к тому, что получается ток разряда базы тоже необходимо ограничивать, чтобы транзистор не помер. Я прав? Хотя формально процесс разряда не влияет на (не увеличивает) прямой ток БЭ.