artemkad 69 27 ноября, 2009 Опубликовано 27 ноября, 2009 · Жалоба Вполне допускаю, что переход на гораздо более дорогой модуль был оправдан из-за его более высокой долговременной надежности. Ему не на гораздо более дорогой модуль надо переходить, а на готовый модем. Что-бы вообще согласование было на уровне школьника-радиолюбителя . :smile3046: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alx125 0 28 ноября, 2009 Опубликовано 28 ноября, 2009 · Жалоба По поводу фантомного питания у Simcom300. На сколько я понимаю это не проблема конкретного изделия, а КМОП технологии вообще. Дело в том, что для некоторой (не сверхзащиты!) защиты от статического электричества МОП-транзисторов на внешних входах применяются структуры на защитных диодах. А у этой топологической структуры есть побочный эффект. При неправильном включении питания (сначала подать напряжение на входы, а потом общее питание микросхемы) получается паразитный тиристорный эффект! Возможны перегревы элементов ИМС. Из этого режима можно выйти только если полностью снять напряжение со всех выводов! Это было известно еще 20 лет назад и проявлялось на ИМС гораздо более мелкой степени интеграции ;-) Поэтому это нужно просто принять как должное и эксплуатировать модуль в соответствии с ТУ. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
HARMHARM 0 28 ноября, 2009 Опубликовано 28 ноября, 2009 · Жалоба А у этой топологической структуры есть побочный эффект. При неправильном включении питания (сначала подать напряжение на входы, а потом общее питание микросхемы) получается паразитный тиристорный эффект! ИМХО тиристорный эффект и защита входов - разные вещи. Я наблюдал такое защелкивание без всяких защитных диодов. В остальном Вы правы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 5 28 ноября, 2009 Опубликовано 28 ноября, 2009 · Жалоба мо многих микроконтроллерах ( Microchip, Atmel, NXP, ... ) это технология защиты от тиристорного эффекта реализована и называется Brown-out detect. но видимо у AD этого нет или это не работает. Ссылка на патент от 1995 года от Microchip -> http://www.freepatentsonline.com/5606511.pdf Но связано это с фантомным питанием или нет? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
HARMHARM 0 28 ноября, 2009 Опубликовано 28 ноября, 2009 · Жалоба Brown-out detect это защита от нестабильных логических состояний при пониженном питании. Тиристорный эффект тут не при чем, хотя механизм схожий. Все ИМХО. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Aner 5 28 ноября, 2009 Опубликовано 28 ноября, 2009 · Жалоба нет, именно при включении питания (или временном пропадани) и работает Brown-out detect не давая сработать тиристорному эффекту. Патент почитайте, там и схемки есть и уровни питания обозначены. Ни о какой защите от нестабильных логических состояний при пониженном питании речи нет. Пока питание микроконтроллера ниже определенного уровня он находится в сбросе и не стартует, либо перезагрузка во время сбоя питания. Именно без Brown-out detectа, нечасто, но проявлялся тиристрный эффекет, например при включении питания, микропроцессор начинал большое потребление тока, разогревался, часто c выходом из строя. Примеров много в 1992-1995 годы было с Microchip. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Baser 5 28 ноября, 2009 Опубликовано 28 ноября, 2009 · Жалоба Все в кучу свалили: фантомное питание, тиристорное защелкивание и brown-out detect ;) Все это находится рядом друг с другом, но вещи это различные. Написано правильно и про тиристорный эффект и про brown-out detect, но к фантомному питанию это никакого отношения не имеет. Если начать поднимать напряжение на выводах КМОП схемы при отсутствии напряжения питания, то из-за защитных диодов на входах и выходах это напряжение начнет попадать и на шину питания схемы. Пока это напряжение мало и ниже напряжения срабатывания brown-out детектора, он держит схему в сбросе и ничего криминального не происходит. Не будем забывать, что современный скоростной КМОП работает при очень низких напряжениях питания, от 1..2В, поэтому и порог brown-out детектора примерно такой же. Повышаем напряжение на входах выше порога brown-out: схема начинает успешно работать, включать/выключать какие-то нагрузки, пытаться управлять другими чипами чипсета, на которые тоже еще не подано питание, паразитное питание начинает прыгать туда-сюда. В общем полный хаос. Вот это состояние и называется "фантомным питанием", "паразитным питанием" и может еще как нибудь... А "тиристорный эффект", "защелкивание", "latch-up" может случится только тогда, когда вы поднимите напряжение на входах значительно больше, чем напряжение стабилизации источника питания схемы. Для защелкивания должен быть превышен ток через защитные диоды. Современные схемы выдерживают без защелкивания токи в 100-500мА. После защелкивания схема начинает коротить источник питания и очень часто пробивается. Так что при обычном неправильном согласовании МК-модем и наличии паразитного питания через входы (небольшого напряжения) никакого тиристорного эффекта не случается... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alx125 0 5 декабря, 2009 Опубликовано 5 декабря, 2009 · Жалоба ИМХО тиристорный эффект и защита входов - разные вещи. Я наблюдал такое защелкивание без всяких защитных диодов. В остальном Вы правы. Добрался наконец до библиотеки и чтобы не быть голословным цитирую из книги "Цифровые устройства на комплементарных МДП интегральных микросхемах" авторы Ланцов и др. Стр.11. "... Для защиты от высоковольтных разрядов статического электричества на входах всех ИС имеется специальная диодно-резистивная схема защиты. ..... При применении в ИС рассмотренной схемы защиты недопустима подача на вход напряжения, превышающего напряжение питания более чем на 0,2 вольта. Это связано с активизацией паразитных биполярных транзисторов в комплементарной структуре, что в свою очередь может привести к сбоям в работе ИС или ее разрушению. .... Оба транзистора образуют совмещенную тиристорную структуру, которая будучи возбужденной, может далее поддерживать свое состояние. Возбуждение такой структуры возникает при превышении на затворе напряжения питания... Так что тиристорный эффект здесь "при чем". :rolleyes: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
artemkad 69 7 декабря, 2009 Опубликовано 7 декабря, 2009 · Жалоба Это связано с активизацией паразитных биполярных транзисторов в комплементарной структуре, Так мы о современной технологии или о технологиях 30-летней давности? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
